【产品】正芯推出的N/P沟道增强型功率MOSFET RC4606，拥有栅极电荷低、功率高、电流处理能力优异等特性
正芯推出的N/P沟道增强型功率MOSFET RC4606使用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于形成电平转换高侧开关，并用于许多其他应用。
一般特征
●N沟道
VDS=30V，ID=5.8A
RDS(ON)<30mΩ@VGS=10V
●P沟道
VDS=-30V，ID=-5.2A
RDS(ON)<45mΩ@VGS=-10V
●高功率和电流处理能力
●无铅产品
●表面贴装封装
原理图和器件标识，引脚分配
封装标记和订购信息
绝对最大额定值（除非另有说明，否则TA=25℃）
热特性
N-CH电气特性（除非另有说明，否则TA=25℃）
P-CH电气特性（TA=25℃，除非另有说明）
注意：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制。
2.表面安装在FR4板上，t≤10秒。
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4.以设计为保证，不以生产为准
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产品型号
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品类
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Polarity
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V(BR)DSS(V)
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Id(A)
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Pd(W)
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VGS(V)
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IDM(A)
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Typ RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
|
Max RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
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|
RC2312
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MOSFET
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N
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20V
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7A
|
0.35W
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±8.0V
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20A
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15mΩ
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25mΩ
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选型表 - 正芯 立即选型
正芯-AOS MOSFET对照表
型号- RC10N10,AO3407A,AO3415A,RC4842,AO4419,RC4807,AO3407A_2C1,RC4606,AO3402,RC4407,AO4612,AON6407,AO3403,RC7P06S8,AO3442,AO4407A,RC3414A,AOD2910E_001,AO3415C,RC6144,RC4441,RC6420,AOD478,AO6401A,RC3420,RC4614B,RC30N10,RC3422,RC4800B,AO3416,AO3418,AO4468,AON7407,AO3413,AO3414,RC3485C,AO3415,AOD2610E,AO4421,RC3401A,RC3413A,AO3415AS_101,RCQ5303,RC4801A,AOD403,RC3415,RC3480C,RC403,AOD409,RCD7N65,RC4468,AOD407,RC407,RC3418,RC409,RC3416A,RC50N03,AOD7N65,AO3420,AO3422,AO4801A,AOD2910E,RC3400A,AO3401A,AO3485C,RC50N06,RC3403,RC3415P,RC3402,RC4612,RC7407,RC3404,AO3404A,RC3442,AO4807,AOD516,AO4606,AO4800B,RC3407,RC4419,AO4842,AON6144,RC6401A,AO4614B,AO3480C,AO4441,AO6420,AO3400A
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无锡明芯微电子
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
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可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
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