【产品】采用先进的SGT技术和设计的N沟道MOSFET BG2R6TG，具有低栅极电荷
杜因特（Doingter）公司致力于功率半导体的开发、生产、销售，主要产品为：MOS场效应管。其推出N沟道MOSFET BG2R6TG，采用先进的SGT技术和设计，以低栅极电荷提供出色的RDS（on），可用于多种应用。
BG2R6TG TO-263封装
BG2R6TG特性：
VDS=80V,ID=280A,RDS(ON)<2.6mΩ@VGS=10V
低栅极电荷
器件绿色认证
基于先进的高单元密度沟槽技术的超低RDS(ON)
良好的散热封装
最大额定参数（TC=25℃，特殊说明除外）
热性能参数：
封装和订购信息：
备注：
根据最大允许结温计算连续电流。
重复的评级，脉冲宽度受最大结温限制。
PD是基于最大结温，采用结-壳热阻。
RθJA 的值是在在Ta=25℃的静止空气环境中，器件贴装在2盎司铜厚的FR-4板材上测量得到。
VDD=50V, RG=25 Ω, L=0.3 mH, 从Tj=25 °C开始.
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