【产品】采用先进的SGT技术和设计的N沟道MOSFET BG2R6TG，具有低栅极电荷
杜因特（Doingter）公司致力于功率半导体的开发、生产、销售，主要产品为：MOS场效应管。其推出N沟道MOSFET BG2R6TG，采用先进的SGT技术和设计，以低栅极电荷提供出色的RDS（on），可用于多种应用。
BG2R6TG TO-263封装
BG2R6TG特性：
VDS=80V,ID=280A,RDS(ON)<2.6mΩ@VGS=10V
低栅极电荷
器件绿色认证
基于先进的高单元密度沟槽技术的超低RDS(ON)
良好的散热封装
最大额定参数（TC=25℃，特殊说明除外）
热性能参数：
封装和订购信息：
备注：
根据最大允许结温计算连续电流。
重复的评级，脉冲宽度受最大结温限制。
PD是基于最大结温，采用结-壳热阻。
RθJA 的值是在在Ta=25℃的静止空气环境中，器件贴装在2盎司铜厚的FR-4板材上测量得到。
VDD=50V, RG=25 Ω, L=0.3 mH, 从Tj=25 °C开始.
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杜因特MOS管选型表
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产品型号
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品类
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Package
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Technology
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Schottky
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N/P
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VDSS(V)
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ID(A)25℃
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RDS(ON)(MΩ)4.5V(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)4.5V(MAX)
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RDS(ON)(MΩ)2.5(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)2.5V(MAX)
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VGS(V)(MAX)
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VGS(TH)(V)L
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VGS(TH)(V)H
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Ciss(pF)(TYP)
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Qg nC(TYP)
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@VGS(V)
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DB006NG-B
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MOSFET
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TO-252
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Trench
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N
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N
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20
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60
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4.5
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6
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7
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10
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12
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0.5
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1
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1820
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25
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4.5
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选型表 - 杜因特 立即选型
杜因特MOS选型表
杜因特提供以下技术参数的MOSFET选型，耐压范围20V-900V，具有极低的导通电阻，封装规格突破16种，可根据客户需要定制低中高压及不同封装参数产品
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产品型号
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品类
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VDSS(V)(MIN)
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ID(A) at 25℃
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VGS(V)(MAX)
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Ciss(pF)(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(TYP)
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RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(MAX)
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DB010NG
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MOSFET
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20V
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30A
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12V
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990pF
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8MΩ
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10MΩ
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杜因特 - N-CHANNEL MOSFET,N沟道贴片MOS管,DE018NG-F
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最小起订量： 1 提交需求>
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