【产品】85V 135A N沟道功率MOSFET SGX855R0T，导通电阻最大5.5mΩ
HI-SEMICON推出的85V 135A N沟道功率MOSFET SGX855R0T采用先进的屏蔽栅极沟槽（SGT）技术制造，具有极低的导通电阻，特别适用于需要高功率密度和出色效率的应用中。
特性
◆ VDS=85V, ID=135A
◆ RDS(ON)
典型值：4.5mΩ@VGS=10V , ID=50A
最大值：5.5mΩ
应用
◆ 功率因数校正(PFC)
◆ 开关模式电源(SMPS)
◆ 不间断电源(UPS)
◆ LED照明电源
订购信息
绝对最大额定值（TJ =25℃ 除非另有说明）
热特性
电气特性
源-漏二极管额定值和特性
注：
1. 脉冲宽度受最大结温限制
2. L=0.5mH, IAS=30A, VDD=10V, VG=10V, RG=25Ω, 开始TJ=25℃
3. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs, 占空比≤2%
4. 基本上与工作温度无关
典型性能特性
测试电路
封装尺寸TO-220-3L
单位：mm
封装尺寸TO-263-2L
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