【产品】650V碳化硅肖特基二极管MSP16065G1，开关速度极快

【元件】1200V/10A的国产碳化硅肖特基二极管KS10120-B，采用TO-252-2L封装

森国科推出的碳化硅肖特基二极管KS10120-B，VRRM为1200V，IF为10A，QC为71nC，具有高效率、零开关损耗、易于并联使用，可减小散热器，具有零反向恢复电流和零正向恢复电压、高工作频率等特点，采用TO-252-2L封装，适用于开关电源、功率因数校正等应用。

【产品】650V/10A的碳化硅肖特基二极管B1D10065H和B1D10065F

基本半导体的碳化硅肖特基二极管（SiC肖特基二极管）B1D10065H和B1D10065F，反向重复峰值电压为650V，连续正向电流为10A（Tc=155℃时），总电容电荷典型值为29nC，可用于开关电源（SMPS），不间断电源和电机驱动器等应用。

【产品】650V碳化硅肖特基二极管，采用TO-252封装，具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性

WS3A002065E、WS3A003065E、WS3A012065E是中电国基南方（CETC）推出的三款第三代650 V SiC肖特基二极管，具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性，最高工作结温为175℃，开关不受温度影响。散热器尺寸小，并联使用不会出现热失控，基本没有开关损耗。适用于开关电源，功率因数校正，AC/DC转换器，电机驱动，光伏逆变器,风电站等。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管全应用解析：光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩

碳化硅肖特基二极管（SiC Schottky Diode）在现代电子设备中扮演着重要角色，尤其在高功率、高频和高温应用中表现尤为突出。本文中小编将带你探讨时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管在实际中的典型应用，包括光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩。

时科碳化硅肖特基二极管Q-SSC20120-T，光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩的最佳选择

在电子设备的设计和应用中，选择合适的碳化硅肖特基二极管是确保电路性能和可靠性的关键步骤。时科的碳化硅肖特基二极管又有什么优势呢？本文中时科小编将详细介绍Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管及其性能优势，帮助工程师朋友更好地了解这款产品的卓越之处。

【产品】中电国基南方推出碳化硅肖特基二极管WS3A004065F，工作结温达175°C

中电国基南方（CETC）研发的高压大功率SiC电力电子器件关键技术被评为“第十三届中国半导体创新产品和技术”。中电国基南方公司推出碳化硅肖特基二极管WS3A004065F，TO-220FM封装，满足RoHS要求，用于风力，光伏发电等绿色能源。

【产品】森国科推出的碳化硅肖特基二极管KS06065-B，VRRM为650V，采用TO-252-2L封装

森国科推出的碳化硅肖特基二极管KS06065-B，VRRM为650V，IF（TC=154℃）为6A，QC为13.4nC，具有不受温度影响的开关特性，高效率。产品采用TO-252-2L封装，适用于开关电源、功率因数校正、电机驱动等应用。

【产品】森国科推出的650V/2A碳化硅肖特基二极管KS02065-I，采用SMA封装，易于并联使用

森国科碳化硅肖特基二极管KS02065-I，VRRM为650V，IF（TC=137℃）为2A，QC为4.5nC。工作频率高，零反向恢复电流，零正向恢复电压，具有不受温度影响的开关特性。采用SMA封装，零开关损耗，易于并联使用。

【产品】直流电压1200V的碳化硅肖特基二极管HDW40S120B，专为太阳能逆变器和不间断电源设计

华太的碳化硅肖特基二极管HDW40S120B，具有与温度无关的开关特性，即使在高工作温度下也具有低正向电压特性，此外，器件还具有出色的热性能，适用于太阳能逆变器、PFC、UPS、SMPS、车载充电器 (OBC)等应用。

【产品】650V/16A碳化硅肖特基二极管KS16065-A2，具有工作频率高、零反向恢复电流等特性

森国科推出的碳化硅肖特基二极管KS16065-A2，VRRM为650V，IF（TC=158℃）为16A，QC为36nC。该产品的工作频率高，零反向恢复电流，零正向恢复电压，具有不受温度影响的开关特性。产品采用TO-220-2L封装。

【产品】采用SMBF封装的碳化硅肖特基二极管B2D04065V，正向连续导通电流4A

基本半导体的碳化硅肖特基二极管B2D04065V，最大反向重复峰值电压为650V，正向连续导通电流为4A，总电容电荷为12nC；可应用于SMPS、不间断电源、电机驱动器等。采用SMBF封装，符合RoHS标准。

【产品】QC为49nC的碳化硅肖特基二极管KS20065-A，采用TO-220-2L封装，具有零反向恢复电流等特性

森国科推出的碳化硅肖特基二极管KS20065-A，VRRM为650V，IF（TC=153℃）为20A，QC为49nC。该产品的工作频率高，零反向恢复电流，零正向恢复电压，具有不受温度影响的开关特性。采用TO-220-2L封装。