【产品】16M-bit串行接口Flash存储器ZD25WQ16B，无需额外的数据存储设备

时间： 2022-03-16 来源：ZETTA

技术问答

ZD25WQ16B是一款16M-bit串行接口Flash存储器，该存储器可用于各种大容量消费类应用，其程序代码可以从Flash存储器中映射到嵌入式或外部RAM中执行。该设备具有灵活的擦除架构和页擦除粒度，是数据存储的理想选择，无需额外的数据存储设备。

该设备已经对块擦除大小进行了优化，以满足当今的代码和数据存储应用程序的需求。通过优化块擦除的大小，可以更有效地使用内存空间。由于某些代码模块和数据存储段必须单独驻留在它们自己的擦除区域中，因此大扇区和大块擦除闪存设备可以大大减少浪费和未使用的内存空间。这种增加的内存空间效率允许添加额外的代码例程和数据存储段，同时仍然保持相同的总体设备密度。

该设备还包含一个额外的3*512字节的带OTP锁的安全寄存器(One-Time Programmable)，可以用于唯一设备序列化，系统级电子序列号(ESN)存储，锁密钥存储等目的。该设备专为许多不同的系统而设计，支持读取、编程和擦除操作，供电电压范围从1.65V到3.6V，编程和擦除不需要单独的电压。

一般特征如下：

（1）单电源1.65V到3.60V供电

- 1.65V-3.6V用于读取，擦除和编程操作

（2）工业温度范围-40℃~ 85℃

（3）SPI兼容:

支持SPI模式0、模式3

（4）单通道，双通道和四通道IO模式

- 16M x 1bit

- 8M x 2bits

- 4M x 4bits

(5)灵活的代码和数据存储架构

-统一256字节页编程

-统一256字节页擦除

-统一4K字节扇区擦除

-统一32K/ 64K字节块擦除

-全芯片擦除

性能如下：

（1）快速读取

- 4 I/O 104MHz, 2+4个假周期，相当于320M

- 2 I/O 104MHz, 4个假周期，相当于160M

- 1 I/O 104MHz, 8个假周期

（2）快速编程和擦除速度

- 1.3ms 页编程时间

- 10ms 页擦除时间

- 10ms 4k字节扇区擦除时间

- 10ms 32k字节的块擦除时间

- 10ms 64k字节的块擦除时间

（3）突发读操作

- 8/16/32/64字节包装

（4）超低功耗

- 0.1uA 深度睡眠电流

- 12uA 待机电流

- 4mA 33MHz下的读操作电流

- 6mA 编程操作或擦除电流

（5）高可靠性

- 100,000次编程/擦除周期

- 数据保存20年

软件特性如下：

（1）一次性可编程(OTP)安全寄存器

-带有OTP锁的3*512字节安全寄存器

（2）软件保护模式

-块保护 (BP4、BP3、BP2、BP1和BP0)位定义了存储阵列中可以使用的部分，可以读但不可以更改。

（3）每个设备128位唯一标识

（4）编程/擦除暂停和编程/擦除恢复

（5）JEDEC标准制造商和设备ID读取方法

硬件特性如下：

（1）硬件保护模式

-通过WP引脚硬件控制锁定保护扇区

（2）行业标准绿色封装选项

- 8-pin SOP (150mil/208mil)

- 8-land USON (3x2x0.55mm)

- 8-land WSON (6x5mm)

- 8-pin TSSOP

- WLCSP

- KGD for SiP

管脚分配如下图所示：

管脚描述如下：

CS#：片选信号；SO：串行数据输出信号； WP#：写保护信号，低有效； GND：地

SI：串行数据输入信号； SCLK：串行时钟输入信号； HOLD#：暂停操作信号； VCC：电源供电信号。

内部框图如下：

内存地址映射：

存储器阵列可以在三个级别的粒度被擦除，包括整芯片擦除。块擦除的大小针对代码和数据存储应用程序进行了优化，允许代码和数据段驻留在它们自己的擦除区域中。

ZD25WQ16B内存组织如下：

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由Shirmei翻译自ZETTA，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【IC】奥简科技发布28V/500mA低功耗，超高性价比LDO芯片DS8241/DS8242

DS8241/DS8242是一款耐压28V，输入VDC支持2V-24V，输出电流500mA（限流点典型值700mA），超低静态电流IQ=1.5uA的高性能LDO产品。此产品可以广泛应用于消费类电子、工业类电子的产品应用，尤其适用于对静态功耗有着高要求的电池供电类产品应用以及电池管理系统等应用，是一款高性价比LDO产品。

新产品发布时间 : 2023-06-14

【产品】Zetta推出LGA8封装的SD NAND，操作方式类似SD卡，可支持高达50Mhz的时钟频率

Zetta的SD NAND是一种采用LGA8封装设计的嵌入式存储解决方案。SD NAND的操作方式与工业标准的SD卡类似。SD NAND由NAND闪存和高性能控制器组成。NAND区需要3.3V的电源电压，完全兼容大多数通用CPU使用的SD2.0接口。

新产品发布时间 : 2021-10-14

【产品】支持蓝牙5.2的SoC EFR32BG22系列，可满足智能家居、消费类电子、商业和工业物联网应用需求

Silicon Labs（亦称芯科科技）新年发布的特别优化的蓝牙单芯片SoC解决方案－EFR32BG22(BG22)，支持蓝牙5.2、Bluetooth® Low Energy、蓝牙网状网络和1米以下测向精度，适用于物联网产品的大量生产。该系列提供了三种蓝牙SoC产品供选择，专为满足智能家居、消费类电子、商业和工业物联网应用（包括那些需要多年电池使用寿命的应用）对价格/性能的各种要求所打造。

新产品发布时间 : 2020-02-03

【选型】Nor Flash芯片ZD25WQ16BTIGT用于智能暖通阀数据存储，容量16M bit，关机电流仅0.1μA

智能暖通阀通过物联网远程控制阀门开关、上传数据信息至后台管理系统，其中配置协议、固件、供暖数据等信息需要外挂Nor Flash存储芯片来实现，推荐ZETTA的Nor Flash芯片ZD25WQ16BTIGT，存储容量16M bit，工作电压1.65-3.6V。

器件选型发布时间 : 2022-11-30

澜智（ZETTA）闪存、DDR3(L)和电源管理芯片选型指南

目录- LDO/Flash/EEPROM/DDR3L

型号- ZD24C64A-SSGMT,ZD25WQ80BOIGT,ZD25Q64BSIGT,ZDV4256M16A-14DPH,ZD24C1MA-SSGMB,ZDV4128M16A-13IPH,ZD35Q2GC-IBR,ZD8028IB5TR,ZDSD16GLGEAG,ZDV4256M16A-11IPH,ZD1117ILTR33,ZD25LQ64ASIGT,ZD24C08A-XGMT,ZD25WD20BNIGR,ZD24C256A-SSGMT,ZDV4256M16A-13DPH,ZDV4128M16A-14DPH,ZD25WQ80BTIGR,ZD24C16A-SSGMT,ZD25LQ64AWIGR,ZD24C32A-SSGMT,ZD25WD40BEIGR,ZDSD02GLGEAG,ZDV4256M16A-14IPH,ZD35Q1GC-IBR,ZDV4128M16A-13DPH,ZD25WQ80BUIGR,ZDSD04GLGEAG,ZDSD64GLGEAG,ZD25WD20BUIGR,ZDSD08GLGEAG,ZDV4128M16A-11IPH,ZD25LD40BNIGR,ZD25WQ16BTIGR,ZDSD01GLGEAG,ZD24C512A-SSGMT,ZD25LQ128AVIGR,ZDND1G08U3D-IA,ZDV4256M16A-13IPH,ZD24C64A-XGMT,ZDV4256M16A-11DPH,ZD1117ILTR18,ZDV4128M16A-14IPH,ZD25WD20BTIGR,ZD25Q64BWIGR,ZDV4128M16A-11DPH,ZD25D40BTIGR,ZD25WQ16BUIGR,ZDND2G08U3D-IA,ZD24C128A-XGMB,ZD25WD40BOIGT,ZD24C08A-SSGMT,ZD25LQ128AWIGT,ZD24C128A-SSGMT,ZD24C16A-XGMB,ZD25D40CEIGR,ZD1117ILTR50,ZDSD32GLGEAG

选型指南 - ZETTA - 2022/2/25 PDF 英文下载

澜智提供高性能EEPROM,NOR FLASH,NAND FLASH，容量最高可达8Gb

澜智集成电路（苏州）有限公司是一家致力于通用类IC芯片工艺开发、芯片设计、应用和销售的无晶圆厂设计公司。ZETTA品牌Flash闪存、MCU和电源管理芯片以世界级的研发与工艺能力，提供高质量、创新及具备高性能表现的产品。

原厂动态发布时间 : 2022-01-05

ZD25WQ16B Ultra Low Power, 16M-bit Serial Multi I/O Flash Memory Datasheet

型号- ZD25WQ16B,ZD25XXXXXXXX

数据手册 - ZETTA - Rev. 1.1 - 2020-05-10 PDF 英文下载查看更多版本

聚辰半导体（Giantec）汽车级EEPROM存储器选型指南

目录- 公司简介汽车级EEPROM存储器

型号- GT24C32B,GT24C04A,GT24C128A,GT25A64A,GT25A128A,GT25C08,GT93C46A,GT24C16,GT93C66A,GT93C56A,GT93C76,GT25C64,GT24C256B,GT25C04,GT25C02,GT24C64D,GT25A1024A,GT34TS04A,GT25C128A,GT25C16,GT24C08,GT24C64,GT25C512,GT25C32,GT24C128E,GT24C512B,GT25C256,GT24C02

选型指南 - 聚辰 - Apr,2020 PDF 中文下载

澜智集成电路（ZETTA）是一家致力于通用类 IC 芯片工艺开发、芯片设计、应用和销售的无晶圆厂设计公司。闪存和内存芯片累计出货量超过20亿颗。现已建成芯片成品测试与应用分析中心，完成自研存储器芯片测试系统V1.0，单月存储器芯片、电源芯片和MCU芯片测试能力超过1000万颗。

EEPROM NOR Flash Nand Flash SPI NAND eMMC Parallel SLC NAND SD NAND 8位MCU 32位 MCU

授权代理商 - 深圳市世强元件网络有限公司线上商城技术资料

展开

芯伯乐存储器选型表

芯伯乐存储器参数信息如下，工作电压：1.8-5.5V，工作频率：1MHz，工作温度：-40~85°C，湿气敏感性等级：3级(168小时)，等级认证标准：SGS,ISO9001,ISO1400，SOP-8、DIP-8、SOT23-5、MSOP-8、TSSOP-8、UDFN-8封装形式。

产品型号	品类	工作电压(V)	工作频率（MHz）	工作温度（℃）	湿气敏感性等级	等级认证标准	封装
24C01BN	存储器	1.8-5.5V	1MHz	-40~85°C	3级(168小时)	SGS,ISO9001,ISO1400	SOP-8

选型表 - 芯伯乐立即选型

澜智（ZETTA）EEPROM选型表

提供澜智EEPROM选型参考，器件存储容量8Kb~1Mb，电压范围1.65-5.5V，I2C接口，主要用在手机,平板电脑,车载设备,监控,POS机,家电,M2M,数据卡,机顶盒等终端产品上。

产品型号	品类	Density（Kb）	Interface	Type	Voltage Range（V）	Package	Packaging
ZD24C08A-SSGMT	EEPROM	8Kb	I2C	EEPROM	1.65V-5.5V	SOP8-150	Tape&Reel

选型表 - ZETTA 立即选型

芯伯乐-MICROCHIP、TI 存储器对照表

型号- AT24C64D-PUM,24LC02BT-I/OT,AT24C04C-SSHM-T,AT24C02C-SSHM-T,AT24C64C-SSHM-T,24C16BN,AT24C08D-PUM,AT24C02D-PUM,AT24C08C-SSHM-T,24C32BN,24C32N,24C64N,AT24C04D-PUM,24C02N,AT24C32D-PUM,24C16N,24C04N,24C04BN,24C08N,NE555P,24C08BN,AT24C16D-PUM,24C01BN,24C02BN,24C64BN,AT24C16C-SSHM-T,AT24C01C-SSHM-T,AT24C32C-SSHM-T,24C02S,24C128BN

对照表 - 芯伯乐

澜智（ZETTA）DDR3（L）闪存选型表

DDR3(L)闪存产品选型，容量64M~128M，总线宽度x16/x8，封装96ball FBGA，时钟频率800~1066Mhz，时序11/13/14，温度0℃~85℃/-40℃ to 85℃

产品型号	品类	Den（Gb）	Type	Organization	Freq.（MHz）	Package Type	Tem.Range（℃）
ZDV464M16A-14DPH	DRAM	1Gb	DDR3L-2133	64Mx16	1066	96-ball FBGA (7.5x13.5 mm)	0℃ to 85℃