英诺赛科双向导通氮化镓芯片INN040W048A，荣获第十七届“中国芯”优秀技术创新产品奖
1月5日，以“开放创芯 协同共赢”为主题的2022琴珠澳集成电路产业促进峰会暨第十七届“中国芯”颁奖仪式在横琴凯悦酒店举行，并颁发了第十七届“中国芯”优秀产品及企业奖项，来自珠海高新区的6家企业荣获7项大奖，充分展现了高新区集成电路产业发展的最新技术和应用成果。
英诺赛科作为全球领先的硅基氮化镓IDM企业，拥有全球最大的氮化镓晶圆生产与制造基地，已向市场交付超1亿颗高压和低压氮化镓芯片。凭借卓越的产品性能及市场表现，英诺赛科INN040W048A功率芯片被评为第十七届“中国芯”优秀技术创新产品。
为高效系统而生
英诺赛科INN040W048A是一颗耐压40V，导阻4.8mΩ的增强型双向导通氮化镓功率器件，采用WLCSP 封装，尺寸仅2.1mmx2.1mm，十分小巧。利用一颗INN040W048A就能替换两颗Si MOS，在智能手机充电过压保护电路、高压侧负载开关电路、多电源系统的开关电路等应用场景中节省系统空间，降低系统能耗。
INN040W048A 双向导通氮化镓芯片
为终端应用护航
在市场应用上，INN040W048A是全球首款导入手机内部的GaN芯片，目前已应用于OPPO / Realme 智能手机的电池管理系统，大大节省了手机内部空间，降低发热峰值，实现了体积降低64%，峰值功率发热降低85%，保证手机在充电过程中更高效，更安全。
双向导通氮化镓平台是英诺赛科在行业中的首创，基于此平台的多款产品也将在2023年不断更新迭代，为极致高效的终端应用护航。
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型号- NCA8244-DTSTR,NCA8245-DSWTR,NSI6602,NCA1051,NSI1312,NCA9617,NSI8308X,NCA8244,NSM2017,NSI6611X,NSM2018,NSM2019,NSM2013,NIRS485,NSI6801X,NCA8T245-DTSXR,NSM2015,NSM2016,NSD1624-Q1,NSI6601B,NSM2011,NSI6601C,NSM2012,NSI6651X,NSI6631ASC-DWSR,NSI36XX,NSI6601MB,NSI6801L,NSI6601MC,NSI1306,NSI824X,NSI812X,NSI8308XE,NCA1042,NSI6801T,NSI6801,NSI1305,NCA1043,NSI6622X,NSR35XXX Q1,NSM201X,NSE11409,NSM2020,NSL2163X,NSD8306,NCA8244-Q1TSTR,NSD8308,NCA3491,NSD1025X,NSI8308A,NSI86XX,NSI6651ASC-DWSR,NSI68010,NSI68011,NSI1303X,NSI6851X,NSI66X1X-Q1,NSM2035,NSM2031,NSM2032,NSI6801C,NSM2033,NSIP8308X,NCA8245-DTSTR,NSD1624,NSR31XXX Q1,NSI6801B,NCA8245L-DTSTR,NSI6811,NSD731X,NSIP88XX,NSI1400,NSI6931,NSI82XXC,NSD11416,NSI826X,NCA3485,NCA8541-DTSTR,NSD56008,NSI82XX,NCA8244L-DSWTR,NSM2041,NSI6651ALC-DWSR,NSL2161X,NSI319X,NCA9539,NSI6601X-Q1,NSI6611ASC-DWSR,NSR33XXX Q1,NSI821X,NIRSP31,NSG65N15A,NSD5604,NSD122X,NSI66X1X,NSI6911,NCA9646,NSIP89XX,NCA9645,NCA9648,NCA8244-DSWTR,NSD12409,NCA8245L-DSWTR,NSD2621,NSIP87XX,NSD1015,NSI810X,NSI6601MX,NCA8T245-Q1DTSXR,NCA1042A,NSI823X,NSI6601XM,NSI1311X,NSI6602V,NSD3608,NSI6602HC,NSI6601X,NSI6602HB,NSIP1042,TL432,TL431,NSM2111,NCA84245-DTSXR,NSD1025,NCA82DS44-Q1TSTR,NIRS31,NCA8244L-DTSTR,NSI1200,NSI1042,NSI6611,NCA9306,NCA1145,NSI6602HA,NSI822X,NSI1300X,NCA1021,NCA8244-Q1SWTR,NSI6601WC,NSD262X,NSI6602B,NSI6602C,NSI6602E,NSI1050,NSIP8XX,NSI6602A
WAYON 集成电路产品介绍
型号- WR1117A 系列,WR0332A,WJ1043-AT,WY32M0133CCT3,WP101X,WR0338,WY32F1233RBT7,WR78L系列,WJ5201,WP250152XX-B,WR0343,WY32F1221K8T7,WR0340,WP560X,WD2305,WD2308,WD2306,WR78L,WR1117AN,WR431,WY32F1233K8T7,WR432,WP25XX,WP2106,WY32F1235VCT7,WP2101,WR0114,WY8S9003F4D7,WP111X,WY8S8003,WR1117A,WD2316,WY8S8001,WA8199-AT,WY32M系列,WD230X,WY32F1133CBU7,WP8312,WA3321,WY32M4510RET3,WP5602,WA3324,WP5601,WR0116,WR0115,1117,WJ1040&WJ1050,WP110X,WY32A4770IGT9,WD3302A,WP8421,WY32M4771IGT7,WP1230,WA8201,WA3552,WP26XX,WA3551,WJ3157,WY32L系列,WD2XXX,WY8L8006F3P7,WP8412,WA3581,WR78DXX,WY32M1331G6T7,WR0120-AT,WA3582,WY8S8003Y3D7,WY8M9031G6U7,WP8XXX,WR03XX,WP580X,WJ485,WR03XX 系列,WY32F1133C8T7,WY32A1552RCT9,WD1016,WR78LXX,WP25P21XX-B,WY8S9005K6T7,WP8521,WJ1021-AT,WP5X02,WR1241,WA3331,LMV331,WP5X01,WY32F1791RET7,WP8526,WY32F1235RCT7,WP2301,WA3339,WJ1040,WY32M1331C8T7,WP143X,WP8512,WY32F4771ZGT7,WY32M4510VET3,WP5801,WR1010,WP2XXX,WP5802,WR1006,WJ3485,LMV339,WR1008,WJ1050,WY32F4710VCT7,WD2326,WP25P04XTX,WR78MXX,WD231X,WA8240,WD3302,WA3233,WJ1044-AT,WR0603,WA3358,WP1430,WY8L9006Y4P7,WP1432,WY32F1735VCT7,WP250152,WP25P041T5-B,WA3321A,WJ1028-AT,WR1271,WY32F4771IGT7,WP3883CL,WY8S9005G6U7,WY32A系列,WR0115-AT,WA34310,WA3358A,WJ1057-AT,WY32A1552VCT9,WP5X01 系列,WP8721,WY32F1221C8T7,WP6422,WY32F1235CCT7,WP6420,WY32F1791VET7,WY32M1331F6T7,WY8M9031K6T7,WA3133,WY8S8003F3P7,WP520X,WP21XX,WY32F1233C8T7,WJ102X-AT,WA34320,WR033,WJ485X,WY8S系列,WY32F1235CCU7,WP5X02 系列,WY32F1221C8U7,WY32M1333RCT3,WY32A1591VET9,WJ1051-AT,WP8716,WR0516,WY32F4711VCT7,WP8714,WR0514,WA3721,WP8713,WR0513,WR0512,WA3722,WA3724,WY32A,WY8S,WY32L,WA3324A,WY32F4710VET7,WY8L,WY32M,WY8M,WA3393,WY32F1233CBU7,WY8S8003F4P7,LMV393,WR3006,WY8L8006Y3P7,WY8S8003系列,WJ1040-AT,WR0332-AT,WY32M4511VET3,WA8199,WA3XX,WA32177,WA3188,WR4XX,WP311X,WP11XX,WR0301,WY32F1735RCT7,WP540X,WY32F1133K8T7,WY8S9003F4P7,WP3116,WY32M4771ZGT7,WR0308,WP3118,WR0307,WR0306,WR0305,WR0303,WR0302,WP6420系列,WJ1042-AT,WY32F1133RBT7,WY8M系列,78XX,WP101X 系列,78XX SERIES,WY32W1691VET7,WP8111,WY32A1591RET9,WY32F4711VET7,WA3521,WP5401,1117 SERIES,WA3522,WA3OP07,WY8S8003F4U7,WY8M9031E6U7,WY8S8003Y4M7,WP1X1X,WP311X&WP3883CL,WP111X 系列,WD9006,WR4132,WA3199,WA3631,WD1082,WP8108,WA3632,WR78XX,WA3634,WR0331,WP210X,WY8L系列,WY32F1735CCT7,WY8L9006F4P7,WY32A4770VET9,J1040&WJ1050
【应用】基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案
基于Type-C协议的PD快充是目前充电器的优选，传统的PD快充通常采用Si MOS作为主开关器件，其开关频率一般低于100kHz，相应的磁性元件体积较大，整机功率密度和效率较低。针对以上问题，本方案采用GaN FET作为主开关器件，并搭配高效的同步整流IC、低导通损耗的整流桥、高可靠性保险丝和多协议PD控制芯片等器件，实现基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案的产品设计。
应用方案 发布时间 : 2020-04-10
Application Brochure for INDUSTRIAL
型号- BD52W04G-C,BD900N1W,BM2SCQ123T-LBZ,R6007RND3,CSL1901 系列,BD900N1G-C,BD2311NVX-C,RBR2VWM60A,BD933N1,BD1421XG-LA 系列,RBR1VWM40A,BM2SC12XFP2-LBZ,CSL1901,BP3622,BD14210G-LA,BP3621,SCT4013DW7,R6035VNX3,RB068VWM150,R60XXYNX 系列,BD1421X-LA 系列,CSL1901DW,QH8KXX 系列,BD950N1WG-C,BM2LE160FJ-C,BM2P060LF-Z,BV1LE080EFJ-C,BM2SC123FP2-LBZ,SH8MC5,REFPDT007-EVK-001,BD1421XG-LA,SCT4018KW7,RB168VWM-40,RFS 系列,BD9XXN1 系列,SCT4018KE,BD52W03G-C,SCT4026DE,BM2SCQ121T-LBZ,RB168VWM-60,BD48W00G-C,RBR1VWM30A,SH8MB5,SCT4018KR,SCT4026DR,R6035VNX,BM2P061MF-Z,BM6437X,CSL1901UW,BM64378S-VA,BD900N1EFJ-C,SCT4013DE,BM2P063MF-Z,R6024VNX3,SCT4013DR,BD7XXL05G-C,BD950N1,RB068VWM100,RFL,R60XXYNX,SH8KXX,CSL1901VW,RFS,BD14215FVJ-LA,BM2SC12XFP2-LBZ 系列,PSR,RB168VWM-30,SCT4036KW7,R6004RND3,BM2LE040FJ-C,RF05VAM2S,BD750L05G-C,BM2SC122FP2-LBZ,BD900N1,BD933N1G-C,BM2P061LF-Z,BD52W02G-C,SH8KXX 系列,BM64377S-VA,BD933N1EFJ-C,BD950N1EFJ-C,QH8MB5,REFLD002,R60XXRNX,SH8MX5 系列,RBLQ2VWM10,PSR500,SCT3017AL,BD1421XFVJ-LA,SCT4026DW7,BV1LE040EFJ-C,RFS30TZ6S,BD900N1WG-C,BD9S402MUF-C,QH8MC5,CSL1901YW,BV1LEXXXEFJ-C,RFL60TZ6S,RFL 系列,R6013VND3,BM2P06XMF-Z 系列,R6009RND3,R6077VNZ,BM6437X 系列,BM2SCQ122T-LBZ,RFL60TS6D,S WAVE B-01,PSR400,RFS30TS6P,BD933N1WG-C,BD52W01G-C,RB068VWM-60,R WAVE B-01,BD9F500QUZ,RLD90QZWX 系列,REFPDT007-EVK-001B,REFPDT007-EVK-001A,R60XXVNX 系列,REFPDT007-EVK-001C,LTR10,BD950N1WEFJ-C,SCT3030AL,BM2SC124FP2-LBZ,QH8MX5 系列,QH8KB5,R6013VNX,QH8KB6,RBR2VWM30A,BM2LE250FJ-C,BD2311NVX-LB,RGW00TS65CHR,BM2LEXXXFJ-C 系列,RFK 系列,SCT4045DW7,BV1LE250EFJ-C,SCT4036KE,QH8MX5,SCT4045DE,R6024VNX,BM2SCQ124T-LBZ,R60XXRNX 系列,R6055VNX,R6018VNX,R6055VNZ,SCT4045DR,RGW80TS65CHR,REFPDT007,QH8KC6,CSL1901MW,QH8KC5,RB168VWM150,R60A4VNZ4,BD52W06G-C,SCT4062KR,BD1421XFVJ-LA 系列,BD48HW0G-C,BM2P06XMF-Z,RBR2VWM40A,BD9XXN1,R6077VNZ4,RGWXX65C,BM1390GLV-Z,RBR1VWM60A,REFLD002-1,QH8KXX,REFLD002-2,R6055VNX3,BD52W05G-C,SCT4036KR,RFL30TS6D,BM2LEXXXFJ-C,BD900N1WEFJ-C,RLD90QZWX,BD7XXL05G-C 系列,RFS60TS6D,BD733L05G-C,BD933N1WEFJ-C,BD9G500EFJ-LA,SCT4062KE,GNE1040TB,LTR10 系列,BM64374S-VA,BD950N1W,BD725L05G-C,BD933N1W,BD730L05G-C,BM2SC121FP2-LBZ,PSR350,BD8758XYX-C,SH8KC6,BV1LEXXXEFJ-C 系列,BM64375S-VA,SH8KC7,BM2LE080FJ-C,SH8MX5,SCT4062KW7,R60XXVNX,PSR100,RB168VWM100,BD950N1G-C,RGW60TS65CHR,RGWXX65C 系列,R6055VNZ4,BM2P060MF-Z,RLD90QZWJ,RFS60TZ6S,RLD90QZWD,RLD90QZWC,SH8KB7,RLD90QZWB,RB068VWM-40,SH8KB6,RLD90QZWA,RLD90QZW8,RB068VWM-30,BV1LE160EFJ-C,RFL30TZ6S,RLD90QZW5,PSR系列,BD1421X-LA,PSR330,RLD90QZW3
世强平台可提供全方面的器件，助力采用氮化镓技术符合Type-C协议的60W PD快充设计
基于氮化镓采用Type-C协议的PD快充是目前充电器的优选，其中 60W的PD快充是目前主流的功率段之一。基于原理示意图，世强平台可提供里面的PD快充设计的全方面的器件和相关资料，协助高效高密的PD快充设计。
应用方案 发布时间 : 2020-02-27
【产品】EPC新推350V氮化镓功率晶体管EPC2050，脉冲输出电流26A，较等效硅器件小20倍
EPC氮化镓功率晶体管EPC2050专为功率系统设计人员而设计，在极小的芯片级封装中，实现 350V、80mΩ 最大 RDS(on)和26A 峰值电流，是多电平转换器、电动汽车充电、太阳能逆变器、激光雷达和 LED 照明的理想器件。
新产品 发布时间 : 2022-04-08
英诺赛科（Innoscience）高压GaN FET/低压GaN FET/晶圆选型表
描述- 英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。主要产品涵盖从低压到高压（30V-650V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。
型号- INN150LA070A,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN100W08,INN040LA015A,INN100W14,INN650D190A,INN650D080B,INN40W08,INN650N500A,INN650D350A,INN040W048A,INN650TA030A,INN650DA190A,INN650DA350A,INN650N260A,INN650DA150A,INN650DA260A,INN100W032A,INN650N150A,INN650TA080A,INN650N140A,INN650N240A
【应用】英诺赛科耐压650V的GaN芯片INN650DA260A助力Realme闪充，有效节省空间
英诺赛科INN650DA260A，耐压650V，瞬态耐压750V，支持超高开关频率，无反向恢复电荷，具有极低的栅极电荷和输出电荷，符合JEDEC标准的工业应用要求。得益于工业的迭代，性能明显提升，适用于65-120W的反激架构，120-200W的LLC架构。
应用方案 发布时间 : 2023-04-29
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。
实验室地址： 深圳 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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