【产品】60V/300mA的N沟道增强型MOSFET 2N7002K，内置了ESD保护二极管
PANJIT公司的N沟道增强型MOSFET 2N7002K，内置了ESD保护二极管，采用先进的沟槽处理技术，高密度单元设计实现超低导通电阻。
该器件漏源电压为60V，漏极持续电流为300mA，最大耗散功率为350mW（TA=25℃时），采用SOT-23封装，符合欧盟RoHS 2.0标准。
图1 2N7002K的内部电路
产品特性：
● RDS(ON)，VGS@10V，IDS@500mA=3Ω
● RDS(ON)，VGS@4.5V，IDS@200mA=4Ω
● 先进的沟槽处理技术
● 高密度单元设计实现超低导通电阻
● 在关断情况下非常低漏电流
● 专为电池供电系统、固态继电器设计
驱动器：继电器、显示器、灯、电磁阀、存储器等。
● 2KV HBM 静电防护
● 无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
● 绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
机械参数：
● 外壳：SOT-23封装
● 端子：可焊性符合MIL-STD-750, Method 2026
● 标记：K72
● 重量约为: 0.0003 盎司, 0.0084 克
2N7002K的最大额定值参数(TA=25℃，除非特殊说明)
注：
1.最大直流电流受封装限制
2.表面安装在FR4板上，t<=10秒
3.脉冲宽度<=300μs，占空比<=2%
2N7002K的电气特性：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Jerry_Wang翻译自PANJIT，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】DFN2020B-6L封装的60V/3.2A N沟道增强型MOSFET PJQ2460
PANJIT(强茂)电子有限公司推出了DFN2020B-6L封装的PJQ2460（60V/3.2A）N沟道增强型MOSFET。无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
新产品 发布时间 : 2019-12-17
【产品】内置ESD防护的60V/300mA N沟道增强型MOSFET-2N7002K-AU
PANJIT（强茂）推出了2N7002K-AU为N沟道增强型MOSFET内置ESD防护。采用SOT-23封装，其中漏-源电压最大额定值为60V，连续漏极电流最大额定值为300mA。先进的沟槽技术，高密度单元设计，超低的导通电阻，专为电池驱动系统、固态继电器驱动:继电器、显示器、存储器等设计。
新产品 发布时间 : 2019-12-23
【产品】强茂新推1A/20V无铅N沟道增强型MOSFET PJQ1820U-20V，采用先进沟槽工艺技术
强茂（PANJIT）推出一款采用DFN1010B-6L封装的N沟道增强型MOSFET PJQ1820U-20V，在TA=25℃的条件下，漏源电压为20V，栅源电压为±8V，连续漏极电流为1.0A。
新产品 发布时间 : 2022-09-09
【产品】DFN5060-8L封装的60V/42A N沟道增强型MOSFET PJQ5462A
PANJIT(强茂)推出了DFN5060-8L封装的PJQ5462A（60V/42A）N沟道增强型MOSFET。符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
新产品 发布时间 : 2019-12-20
【产品】内置ESD防护的60V/250mA N沟道增强型MOSFET 2N7002KDW-AU
PANJIT（强茂）推出了2N7002KDW-AU为N沟道增强型MOSFET且内置ESD防护。采用SOT-363封装，其中漏-源电压最大额定值为60V，连续漏极电流最大额定值为250mA。
新产品 发布时间 : 2019-12-30
【产品】采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3420E，栅源电压±8V，专为开关负载、PWM应用等设计
强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3420E，在TA=25℃的条件下，漏源电压为20V，栅源电压为±8V，连续漏极电流为5.1A，该器件专为开关负载、PWM应用等设计。
新产品 发布时间 : 2022-09-08
【产品】30V/90A的N沟道增强型MOSFET PJD90N03
PANJIT（强茂）推出了PJD90N03为N沟道增强型MOSFET。采用TO-252AA封装，其中漏-源电压最大额定值为30V，连续漏极电流最大额定值为90A。
新产品 发布时间 : 2019-09-21
【产品】DFN3333-8L封装的60V/11A N沟道增强型MOSFET PJQ4460AP
PANJIT(强茂)推出了DFN3333-8L封装的PJQ4460AP（60V/11A）N沟道增强型MOSFET。符合欧盟RoHS 2.0无铅的标准，绿色环保塑封，符合IEC 61249标准。
新产品 发布时间 : 2019-12-21
【产品】强茂推出20V/2A无铅N沟道增强型MOSFET PJA3430-AU，SOT-23封装
PANJIT（强茂）推出的N沟道增强型MOSFET PJA3430-AU，采用SOT-23封装，在TA=25℃条件下，漏源最大电压20V，漏极直流电流最大2A，在ESD保护方面，HBM保护2KV，专为开关负载、PWM应用等而设计，无铅。
新产品 发布时间 : 2022-09-01
【产品】30V/7.2A N沟道增强型MOSFET PJW8N03
PANJIT（强茂）推出了PJW8N03为N沟道增强型MOSFET。采用SOT-223封装，其中漏-源电压最大额定值为30V，连续漏极电流在25℃时最大额定值为7.2A。
新产品 发布时间 : 2019-09-20
【产品】40V/100A N沟道增强型MOSFET PJD100N04,采用TO-252AA封装
PANJIT（强茂）推出了PJD100N04为N沟道增强型MOSFET。采用TO-252AA封装，其中漏-源电压最大额定值为40V，连续漏极电流最大额定值为100A。
新产品 发布时间 : 2019-10-29
【产品】采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3424E，漏源电压为30V
强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3424E，在TA=25℃的条件下，漏源电压为30V，栅源电压为±12V，连续漏极电流为4.2A，该器件专为开关负载、PWM应用等设计。
产品 发布时间 : 2022-08-13
【产品】PANJIT推出N沟道增强型MOSFET PJA3406-AU，规格为30V/4.4A
强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3406-AU，在TA=25℃的条件下，其最大额定值方面，漏源电压为30V，栅源电压为±20V，连续漏极电流为4.4A，该器件专为开关负载、PWM应用等设计。
产品 发布时间 : 2022-06-15
【产品】100V/35A N沟道增强型MOSFET PJQ4476AP，采用DFN3333-8L封装
PJQ4476AP是PANJIT公司推出的一款采用DFN3333-8L封装的N沟道增强型MOSFET，漏源电压最大额定值为100V，连续漏极电流的最大额定值为35A，上升时间的典型值是42ns，下降时间的典型值是19ns。
新产品 发布时间 : 2019-11-17
【产品】强茂N沟道增强型MOSFET PJA3416AE-AU，ESD保护高达2KV HBM
强茂（PANJIT）推出一款采用SOT-23封装的N沟道增强型MOSFET PJA3416AE-AU，高达2KV HBM的ESD保护，在TA=25℃的条件下，其漏源电压为20V，栅源电压为±8V，连续漏极电流为6.5A。
产品 发布时间 : 2022-07-30
电子商城
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
价格：￥0.1090
现货： 6,465
品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet
价格：￥1.1300
现货： 5,000
现货市场
品牌：PANJIT
品类：Ultra Low Capacitance TVS/ESD Protection
价格：￥0.1994
现货：181,927
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论