【产品】60V/300mA的N沟道增强型MOSFET 2N7002K，内置了ESD保护二极管
PANJIT公司的N沟道增强型MOSFET 2N7002K，内置了ESD保护二极管，采用先进的沟槽处理技术，高密度单元设计实现超低导通电阻。
该器件漏源电压为60V，漏极持续电流为300mA，最大耗散功率为350mW（TA=25℃时），采用SOT-23封装，符合欧盟RoHS 2.0标准。
图1 2N7002K的内部电路
产品特性：
● RDS(ON)，VGS@10V，IDS@500mA=3Ω
● RDS(ON)，VGS@4.5V，IDS@200mA=4Ω
● 先进的沟槽处理技术
● 高密度单元设计实现超低导通电阻
● 在关断情况下非常低漏电流
● 专为电池供电系统、固态继电器设计
驱动器：继电器、显示器、灯、电磁阀、存储器等。
● 2KV HBM 静电防护
● 无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
● 绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
机械参数：
● 外壳：SOT-23封装
● 端子：可焊性符合MIL-STD-750, Method 2026
● 标记：K72
● 重量约为: 0.0003 盎司, 0.0084 克
2N7002K的最大额定值参数(TA=25℃，除非特殊说明)
注：
1.最大直流电流受封装限制
2.表面安装在FR4板上，t<=10秒
3.脉冲宽度<=300μs，占空比<=2%
2N7002K的电气特性：
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产品型号
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品类
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Package
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Product Status
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Replacement Part
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AEC-Q101 Qualified
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ESD
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(±V)
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ID(A)
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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(10V)
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Qg Typ. (nC)(4.5V)
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PJQ1938
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Small Signal MOSFET
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DFN1006-3L
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New Product
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ESD
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N
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Single
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50
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选型表 - PANJIT 立即选型
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品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET
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品牌：PANJIT
品类：Dual N-Channel Enhancement Mode Mosfet
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