【产品】60V/300mA的N沟道增强型MOSFET 2N7002K，内置了ESD保护二极管

时间： 2020-10-25 来源：PANJIT

技术问答

PANJIT公司的N沟道增强型MOSFET 2N7002K，内置了ESD保护二极管，采用先进的沟槽处理技术，高密度单元设计实现超低导通电阻。

该器件漏源电压为60V，漏极持续电流为300mA，最大耗散功率为350mW（T_A=25℃时），采用SOT-23封装，符合欧盟RoHS 2.0标准。

图1 2N7002K的内部电路

产品特性：

● R_DS(ON)，V_GS@10V，I_DS@500mA=3Ω

● R_DS(ON)，V_GS@4.5V，I_DS@200mA=4Ω

● 先进的沟槽处理技术

● 高密度单元设计实现超低导通电阻

● 在关断情况下非常低漏电流

● 专为电池供电系统、固态继电器设计

驱动器：继电器、显示器、灯、电磁阀、存储器等。

● 2KV HBM 静电防护

● 无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准

● 绿色环保塑封，符合IEC 61249标准

机械参数：

● 外壳：SOT-23封装

● 端子：可焊性符合MIL-STD-750, Method 2026

● 标记：K72

● 重量约为: 0.0003 盎司, 0.0084 克

2N7002K的最大额定值参数(T_A=25℃，除非特殊说明)

注：

1.最大直流电流受封装限制

2.表面安装在FR4板上，t<=10秒

3.脉冲宽度<=300μs，占空比<=2%

2N7002K的电气特性：

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