【经验】多颗隔离驱动芯片SI8238共用Disable信号的设计建议，避免单颗失效时影响正常运行

时间： 2021-06-12 来源：世强

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SILICON LABS 隔离驱动芯片 SI8238 Disable管脚为设备禁用管脚，将其设为高电平时，无论VIA和VIB的状态如何，DISABLE输入都会无条件地将VOA和VOB驱动为低电平。器件操作在DISABLE=VIH之后在tSD内终止，并在DISABLE = VIL之后在tRESTART内恢复。时序图如下：

图1——控制时序图

多颗SI8238共用一个信号控制Disable时，若Disable直接连接在一起，其中一个IC失效后，disable管脚出现异常对地短路时，另外正常的IC无法被关闭。所以Disable管脚间需要做隔离，防止单颗异常影响其他IC工作，建议如下：

图2——Disable管脚设计建议

（1）当输入1为高电平+5V时，Q6/7的基极接到+5V，发射极接地，Q6/7的集电极和发射极导通，导通后压降Uce为0.3V，则输出1/2电压为4.7V。

（2）当输入1为低电平时，Ube <0.7V，Q6/7集电极和发射极不能导通，输出被拉到地端，输出1/2为低电平。

（3）如输出1失效被强制拉低，不会影响到输出2脚。

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9/1/2020 - SILICON LABS - 产品变更通知及停产信息代理服务技术支持采购服务

【经验】加强版的双驱动芯片Si823H3BD-IS3更完美的做MOS管或SIC MOS管驱动

针对目前电源行业用到上下桥拓扑的设计会用到MOS管或SIC，目前这块的设计处于弱电侧需要供电能够与MCU的供电共用，另外原边的输入可以有上下桥互锁功能，开关频率可以支持到几百KHz，驱动电流可以到4A，针对该运用Slilicon Labs推出的SI823H3BD-IS3副边可以支持到3V的供电电压，4A的拉电流和灌电流，双路独立的驱动，125KV/us的CMTI值，满足AEC—Q100的认证。

2019-08-01 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

全碳化硅功率mos是否和igbt一样驱动需要负压？有没成熟的驱动芯片推荐？

SIC MOSFET驱动是需要负压的，而GaN FET是可以不用负压。成熟的SIC MOSFET驱动芯片，推荐Silicon Labs 的SI827x，可以参考：如何为SIC MOSFET选择一款理想的隔离驱动芯片？

2019-10-15 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

我需要一个芯片，控制一个12V2A的电机，输入用MCU控制，我只需要控制正反转，不关心调速的问题。芯片MCU输入和电机输出部份电源独立。有没有现成的芯片。

你好，根据您描述的需求及电话交流情况了解正在找一个DC电机的单路H桥隔离驱动IC，目前要集成驱动+MOS+隔离的驱动器没有相应的芯片推荐，如下给您推荐的是不带隔离的单路H桥驱动IC方案：1、中科微马达驱动IC AT1124/AT9110 数据手册2、ROHM DC有刷电机驱动IC BD63573NUV 数据手册如果需要做隔离方案，推荐Silicon Labs 的数字隔离器：Silicon Labs（芯科科技） Si861x/Si862x数字隔离器数据手册

2020-05-29 - 技术问答