【产品】650V/8A/21nC的碳化硅肖特基势垒二极管SCS308AM，采用TO-220FM封装
ROHM推出的碳化硅肖特基势垒二极管SCS308AM具有高浪涌电流承受能力，可降低开关损耗，可高速开关，采用TO-220FM封装。反向电压VR为650V，总电容电荷Qc为21nC，连续正向电流IF为8A，重复峰值正向电流IFRM为27A，总耗散功率PD为33W，为主要应用于PFC电路中升压拓扑、二次侧整流、数据中心、光伏功率调节器。该产品基本订货单位为50pcs，包装代码为C，包装标记为SCS308AM。
图1 SCS308AM产品图及内部电路图
特征：
恢复时间更短
降低温度依赖性
可以进行高速开关
高浪涌电流承受能力
应用：
PFC电路中升压拓扑
二次侧整流
数据中心
光伏功率调节器
最大额定值和电气特性等参数见下图。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由浪仔翻译自ROHM，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】650V/10A的碳化硅肖特基势垒二极管SCS210AG，采用TO-220AC封装
ROHM推出的碳化硅肖特基势垒二极管SCS210AG，可降低开关损耗，可高速开关，采用TO-220AC封装。反向电压为650V，总电容电荷Qc为15nC，连续正向电流为10A，主要应用于PFC电路中升压拓扑、二次侧整流、数据中心、光伏功率调节器。
【产品】650V/6A碳化硅肖特基势垒二极管SCS206AG，总电容电荷Qc为9nC
ROHM新推出的碳化硅肖特基势垒二极管SCS206AG可降低开关损耗，可高速开关，采用2pin封装。反向重复峰值电压VR为650V，总电容电荷Qc为9nC，连续正向电流IF为6A，主要应用于PFC电路中升压拓扑、二次侧整流、数据中心、光伏发电机。
【产品】Littelfuse新推出耗散更少的七款GEN2碳化硅肖特基二极管
2018年6月5日，Littelfuse新推出五款GEN2系列1200 V 3L TO-247肖特基二极管和三款GEN2系列1200 V 2L TO-263肖特基二极管。其耗散能量更少且在高达175 °C的结温下工作。为电动汽车充电器、数据中心电源和可再生能源系统的设计师提供了多重优势。
瞻芯电子（InventChip）碳化硅（SiC）功率器件/驱动与控制芯片选型指南
公司介绍 产品应用 产品概览 SiC Devices 产品概览 驱动与控制芯片 碳化硅（SiC）MOSFET 产品目录 碳化硅金属氧化物场效应晶体管系列产品 碳化硅（SiC）肖特基二极管产品目录 碳化硅肖特基二极管系列产品 碳化硅功率模块系列产品 栅极驱动芯片系列产品 图腾柱 PFC 控制芯片系列产品 产品可靠性测试规范
瞻芯电子 - SIC MODULES,碳化硅肖特基二极管,专用栅极驱动芯片,SIC二极管,通用栅极驱动芯片,碳化硅功率模块,SIC DIODES,碳化硅 MOSFET,SIC MOSFETS,隔离驱动芯片,图腾柱 PFC 控制芯片,SIC模块,通用门驱动器,碳化硅金属氧化物场效应晶体管,SIC SBD,GENERAL GATE-DRIVER,电源管理控制芯片,SIC肖特基势垒二极管,SIC专用栅极驱动器,比邻驱动芯片,SIC-SPECIFIC GATE-DRIVER,SIC MOSFET,IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12050T4,IV1Q12080BD,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IV2B12003HA2L,IVCO1A02DWQR,IVCR1801ASR,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D12015T2,IV1D20020BD,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1,充电桩,储能变流器,新能源汽车,数据中心,风电,5G基站,充电桩模块,新基建,通信电源,轨道交通,EVTOL 电动垂直起降飞行器,光伏逆变器,储能
派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南
派恩杰 - SIC SBD,碳化硅肖特基二极管,SIC场效应晶体管,SIC SBD,碳化硅MOSFET,SIC MOSFET,SIC备用电池,P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4
SiC肖特基势垒二极管
这份资料主要介绍了多种类型的元器件，包括碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET、全碳化硅功率模块和智能功率模块。资料详细描述了这些元器件的尺寸、封装类型和基本订购单位。此外，还提供了相关产品的图片和包装信息。
ROHM - FULL SIC POWER MODULES,智能电源模块,SIC肖特基势垒二极管,IGBTS,SIC MOSFETS,SIC SCHOTTKY BARRIER DIODES,INTELLIGENT POWER MODULES,全碳化硅功率模块,SIC MOSFET
ROHM（罗姆） SiC（碳化硅）肖特基二极管选型指南（中文）
SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有很小的总电荷（Qc），低开关损耗且高速开关工作。因此，它被广泛用于电源的PFC电路中。此外，与硅基快恢复二极管的trr（反向恢复时间）会随温度的升高而增加不同，碳化硅（SiC）器件可保持恒定的特性，从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸，非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。
ROHM - SIC 肖特基势垒二极管,SCS208AG,SCS206AJ,SCS208AJHR,SCS220KE2,SCS206AG,SCS306AM,SCS304AM,SCS308AJ,SCS205KG,SCS220AE2,SCS308AM,SCS315AG,SCS220KG,SCS315AJ,SCS230KE2,SCS230AE2,SCS220KE2HR,SCS212AJ,SCS210AG,SCS212AG,SCS315AM,SCS210AJ,SCS210KE2HR,SCS320AM,SCS215KG,SCS210KE2,SCS220AE2HR,SCS320AJ,SCS215AJHR,SCS320AG,SCS240KE2HR,SCS240AE2HR,SCS220AJHR,SCS220AJ,SCS212AJHR,SCS220AG,SCS310AM,SCS312AJ,SCS310AJ,SCS312AM,SCS312AG,SCS310AG,SCS215AJ,SCS240KE2,SCS215AG,SCS230KE2HR,SCS240AE2,SCS230AE2HR,SCS304AG,SCS210AJHR,SCS308AG,SCS306AJ,SCS306AG,SCS210KG,SCS304AJ,SCS206AJHR,SCS208AJ
AKCK2D020WBHH 1200V 20A碳化硅肖特基二极管规格书
本资料为AKCK2D020WBHH硅碳化物肖特基二极管的规格说明书。该二极管具有1200V重复峰值反向电压和20A连续正向电流的能力，适用于功率因数校正（PFC）升压拓扑、逆变器级自由轮换二极管和高频操作等应用。
瑶芯微 - SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE,FREE WHEELING DIODES,碳化硅肖特基二极,自由轮二极管,AKCK2D020WBHH,INVERTER STAGES,AC/DC变换器,FC BOOST TOPOLOGY,AC/DC CONVERTERS,FC升压拓扑,逆变器级,DATA CENTER,数据中心
S10SC650V AEC-Q 650V硅肖特基二极管
S10SC650V是一款650V硅碳化硅肖特基二极管，采用TO-220-2封装。该二极管具有低反向恢复、高速开关、正温度系数、温度独立开关、高频、低散热要求等特点，适用于开关电源、太阳能逆变器、数据中心和高可靠性应用。
AIT - 硅巴比肖特基二极管,DIODE,SILICON BARBIDE SCHOTTKY DIODE,二极管,S10SC650V,S10SC650VQ,开关模式电源,SOLAR INVERTER,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,SWITCH MODE POWER SUPPLY,DATA CENTER,SOLAR INVERTER,数据中心
【产品】国产低反向漏电流的碳化硅肖特基二极管DD06500010J，适用于工业电源、数据中心
顶诺微推出的碳化硅肖特基二极管DD06500010J，重复反向峰值电压和冲击反向峰值电压均为650V，有低正向偏压（VF）、 正温度系数、 零正/反向恢复电流等特性，可应用于工业电源和开关电源等领域。
S20SC650V二极管650V硅肖特基二极管
S20SC650V是一款650V硅碳化硅肖特基二极管，采用TO-247封装。该二极管具有低反向恢复、高速开关特性，适用于开关电源、数据中心、不间断电源等应用。
AIT - 硅巴比肖特基二极管,DIODE,SILICON BARBIDE SCHOTTKY DIODE,二极管,S20SC650V,开关模式电源,SOLAR INVERTER,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,SWITCH MODE POWER SUPPLY,DATA CENTER,SOLAR INVERTER,数据中心
AKCK2A040WHH 1200V 40A碳化硅肖特基二极管规格书
本资料为AKCK2A040WHH硅碳化物肖特基二极管的规格说明书。该产品具有1200V重复峰值反向电压和40A正向电流能力，适用于功率因数校正（PFC）升压拓扑、逆变器阶段自由轮换二极管和高频操作等应用。
瑶芯微 - SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE,FREE WHEELING DIODES,碳化硅肖特基二极,自由轮二极管,AKCK2A040WHH,INVERTER STAGES,AC/DC变换器,FC BOOST TOPOLOGY,AC/DC CONVERTERS,FC升压拓扑,逆变器级,DATA CENTER,数据中心
SSC1065-T碳化硅肖特基二极管，650V/10A
该资料介绍了SSC1065-T碳化硅肖特基二极管的产品特性、应用领域和电学参数。产品具有低反向恢复时间、高速开关和高正向温度系数等特点，适用于开关电源、太阳能逆变器、数据中心和不间断电源等领域。
时科 - SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE,碳化硅肖特基二极,SSC1065-T,开关模式电源,SOLAR INVERTER,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,SWITCH MODE POWER SUPPLY,DATA CENTER,SOLAR INVERTER,数据中心
SCS210AJ SiC肖特基势垒二极管
本资料为ROHM公司生产的SCS210AJ碳化硅肖特基二极管的数据手册。该器件具有650V的反向电压、10A的正向电流和15nC的充电电荷，适用于PFC升压拓扑、次级侧整流、数据中心和光伏电源转换器等领域。
ROHM - SIC SCHOTTKY BARRIER DIODE,SIC肖特基势垒二极管,SCS210AJ,PFC BOOST TOPOLOGY,PV POWER CONDITIONERS,PFC BOOST拓扑,二次侧整流,SECONDARY SIDE RECTIFICATION,光伏功率调节器,DATA CENTER,数据中心
SSC0665D碳化硅肖特基二极管，650V/6A
本资料介绍了SSC0665D碳化硅肖特基二极管的产品特性、应用领域和最大额定值。该器件具有低反向恢复时间、高浪涌电流和高频率等优点，适用于SMPS、太阳能逆变器、数据中心和UPS等领域。
时科 - SILICON CARBIDE SCHOTTKY DIODE,碳化硅肖特基二极,SSC0665D,SOLAR INVERTER,开关模式电源,不间断电源,UPS,SMPS,DATA CENTER,SOLAR INVERTER,数据中心
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
最小起订量： 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品，尺寸：0.6*0.3mm-3.2*2.7mm，波长：405-940nm，亮度：24-750mcd，电压：1.5-3.5V。
最小起订量： 3000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论