【产品】漏源电压为-60V的P沟道MOSFET DE100PG，持续漏极电流-20A，漏源导通电阻＜90mΩ
DE100PG是一款由杜因特推出的TO-252封装的P沟道MOSFET，采用了先进的沟槽技术和设计，具有出色的漏源导通电阻RDS(on)特性和低栅极电荷特性，可应用于多种应用领域。当VGS=-10V，ID=-12A时，漏源导通电阻最大值为90mΩ。在热性能方面，结到壳的热阻最大值为2.5℃/W（表面贴装在FR4板上，t ≤ 10秒）。
DE100PG的特性：
1）VDS=-60V，ID=-20A，RDS(ON)<90mΩ@VGS=-10V
2）低栅极电荷
3）绿色环保器件
4）采用高单元密度沟槽技术，具有出色的RDS(ON)特性
5）采用先进的封装形式，可提供良好的散热性能
DE100PG的最大额定值参数（Tc=25℃，除非特别说明）：
note1：EAS条件: Tj=25℃,VDD=-20V,VG=-10V,L=1mH,Rg=25Ω
DE100PG的订购信息：
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