【产品】500V/20A的N沟道功率MOSFET SLW20N50C/SLH20N50C

时间： 2020-07-06 来源：美浦森

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SLW20N50C/SLH20N50C是美浦森推出的漏源电压500V的N沟道功率MOSFET，使用Maple semi先进的平面条纹DMOS技术生产——这项先进的技术是专门为最小化导通电阻，提供优越的开关性能，并在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲而量身定制的。这些器件非常适合于高效率的开关电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

图1 产品的封装和内部电路图

最大额定值方面，连续漏极电流为20A，脉冲漏极电流为80A，适用于大电流应用。单脉冲雪崩能量为1110mJ，雪崩电流为20A，雪崩能力较好。耗散功率为280W。工作温度和存储温度范围为-55℃~150℃，25℃的温度条件下，漏源导通电阻的典型值为0.21Ω，最大值为0.26Ω，导通损耗较低。漏源体二极管的反向恢复时间的典型值为500ns。

特点

20A，500V，R_DS(on)typ.=0.21Ω @V_GS=10V

低栅极电荷：50nC typ.

高耐用性

快速开关

100%雪崩测试

增强的dV/dt能力

应用

开关电源

基于半桥拓扑的有源功率因数校正

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