【产品】国产200V高侧/低侧栅极驱动器TCG1200，采用独创的自举电容自动充电技术

时间： 2022-04-21 来源：无锡紫光微

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TCG1200是无锡紫光微旗下的高侧和低侧栅极驱动器，专为驱动增强型氮化镓（eGaN®）场效应晶体管而设计的。这是一个单片集成电路，它满足eGaN®FET驱动器特殊要求：电源钳位，低的上拉和下拉阻抗，以及高峰值电流。

较高的灌电流能力可以保持栅极驱动线处于较低水平，使在快的dv/dt期间eGaN®FET不会出现意外的开启。快速传播延迟，快速上升时间和专有的自举电容的自动充值允许更高开关频率和更小的组件面积。

TCG1200的集成自举二极管所需面积相比分立解决方案大大降低，适用于高速的DC-DC转换器、高频开关电源、无线充电。

图 1 实物图

特点

●浮动高侧驱动器可自举到200V

●驱动器具有灌5A/1.2A源的输出峰值电流能力

●0.4Ω/2Ω下拉/上拉阻抗

●内部自举电源电压钳位到5.2V

●独立的高侧和低侧逻辑输入

●独创的自举电容自动充电技术

●快速传播延迟（25ns的典型值）

● 独立的源和灌电流输出

图 2 典型应用

推荐工作条件

表 1

直流电气特性（V_CC=V_BS=5V，T_A = 25°C和V_SW=GND=0V， LOL，LOH， HOL，HOH 全部空载, （除非另有规定）

表 2

交流电气特性（V_CC=V_BS=5V，T_A = 25°C 和V_SW=GND= 0V；lOl/lOH/HOl/HOH全部空载。（除非另有规定）

表 3

封装尺寸 (TDFN-10)

图 3

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棒棒猫 Lv6. 高级专家 2022-04-25

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2020年6月 - 选型指南 - 第六版代理服务技术支持采购服务

TC2003 Half-Bridge Gate Driver

TC2003是一款高压高速栅极驱动器，适用于半桥配置中的N沟道MOSFET和IGBT。它具有高侧浮空驱动能力，可承受高达200V的电压，并具备宽范围的低侧栅极驱动电源电压（10V至20V）。该产品支持标准TTL和CMOS电平的逻辑输入，并提供固定内部死区时间以保护MOSFET。

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2019/05/30 - 数据手册 - V1.0 代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。此外，eGaN FET还通过了AEC-Q101车规级认证，确保了器件的可靠性和安全性。

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2023/11/29 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务查看更多版本

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术，旨在提供更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本。与硅MOSFET相比，eGaN FET具有更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。文章还强调了eGaN FET在汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明、无线充电和太阳能应用等领域的应用优势。此外，文章还提到了eGaN FET的可靠性、成本效益和全面设计支持。

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2023/10/6 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能了全新的功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN FET广泛应用于汽车、激光雷达、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等领域。

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2023/9/26 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能了全新的功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN FET广泛应用于汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等领域。

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2023/9/11 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能全新功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN® FET技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。

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2023/7/12 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。文章详细阐述了eGaN® FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和反向恢复方面的性能优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还介绍了eGaN® FET在汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等领域的应用。

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2023/2/11 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，包括更低的阻抗、导通损耗、开关损耗和反向恢复。此外，氮化镓器件具有低成本、可靠性高、易于使用和全面设计支持等特点。文章还列举了eGaN® FET在不同应用中的优势，如汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2023/1/25 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，氮化镓器件在成本效益、可靠性、安全性以及耐辐射性方面也具有显著优势。文章还列举了eGaN® FET在多个领域的应用，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2023/1/10 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术，旨在提供更高效的功率转换。与传统的硅MOSFET相比，eGaN FET具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章还讨论了eGaN FET在汽车、射频放大器、LiDAR、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等领域的应用。此外，还提供了eGaN FET器件的选型和设计资源。

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2022/10/8 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，eGaN FET技术具有成本效益，适用于多种应用，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2022/9/7 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，eGaN FET技术具有低成本、简单易用、可靠性和耐辐射等特点，适用于多种应用，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2022/8/10 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。文章详细阐述了eGaN FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还介绍了eGaN FET在汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等领域的应用。

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2022/4/4 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，一种基于氮化镓的功率晶体管技术。该技术与传统硅MOSFET相比，具有更快开关速度、更小型化和更高效率等优点。文中详细阐述了eGaN FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还提到了eGaN FET的应用领域，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2022/3/2 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，一种基于氮化镓的功率晶体管技术。该技术与传统硅MOSFET相比，具有更快开关速度、更小型化和更高效率等优点。文中详细阐述了氮化镓器件的低阻抗、低导通损耗、快速开关特性以及低成本优势。此外，还提供了多种基于eGaN FET技术的产品和应用案例，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、激光雷达、马达驱动器、医疗应用和无线充电等领域。

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2021/07/01 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出低阻抗、低导通损耗、快速开关、低开关损耗和没有反向恢复等特点。此外，eGaN FET器件具有低成本、成熟工艺、低系统成本、简单易用、可靠性和耐辐射等优点。文章还提供了eGaN FET器件的选型和应用示例，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2021/05/16 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，氮化镓器件在成本效益、可靠性、耐辐射性等方面也具有显著优势。文章还介绍了eGaN FET在汽车、射频放大器、DC/DC转换器、马达驱动、激光雷达、医疗应用、D类音频放大器、模拟开关和无线充电等领域的应用。

EPC - 宽带隙器件,多模无线电源演示套件,放大器电路板,驱动器演示板,非隔离型降压转换器,无线电源演示套件,EPC2212,EPC950X,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2053,EPC9086,EPC9121,EPC9084,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC2100,EPC9014,EPC9097,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2152,EPC2034,EPC2033,EPC9063,EPC9126HC,EPC9064,EPC8010,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9514,EPC9118,EPC9078,EPC9111,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9204,EPC9205,EPC9046,EPC9047,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC9058,EPC2022,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC2010C,EPC9001C,EPC2034C,EPC9029,EPC9144,EPC9024,EPC2111,EPC2110,EPC9141,EPC9022,EPC9143,EPC9048C,EPC9038,EPC2007C,EPC9039,EPC9034,EPC9035,EPC9036,EPC9037,EPC90122,EPC9030,EPC90123,EPC9031,EPC90120,EPC9032,EPC9033,EPC90124,激光雷达,汽车,马达驱动器,包络跟踪,无线充电,医疗应用,DC/DC转换器,负载点转换器,模拟开关,D类音频放大器,射频放大器,LED照明

2020/11/16 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术适用于多种应用，包括汽车、DC/DC转换器、负载点转换器、激光雷达、D类音频放大器、无线充电、射频功率放大器、马达驱动器、医疗应用和LED照明等。文章还提供了eGaN® FET器件的选型和设计支持信息。

EPC - EPC2212,EPC950X,EPC2214,EPC9003C,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC9089,EPC2053,EPC9086,EPC9088,EPC9121,EPC9084,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9138,EPC9013,EPC2100,EPC9014,EPC9130,EPC9092,EPC9093,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC9106,EPC2032,EPC2031,EPC2034,EPC2033,EPC9063,EPC9126HC,EPC9064,EPC8010,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2015C,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9078,EPC9111,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9204,EPC9205,EPC9046,EPC9047,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC9001C,EPC2112,EPC2010C,EPC2115,EPC9029,EPC9024,EPC2111,EPC2110,EPC9141,EPC9022,EPC9038,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9035,EPC9036,EPC9037,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033

2019年5月 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

SLM27211 120 V、4 A峰值、高频高压侧和低压侧驱动器

SLM27211是一款高频N沟道MOSFET驱动器，具备120V自举二极管和高侧和低侧驱动器，具有独立输入以实现最大控制灵活性。该产品适用于半桥、全桥、两开关正向转换器和主动钳位正向转换器中的N沟道MOSFET控制。高侧和低侧栅极驱动器可独立控制，并匹配至2ns的开启和关闭延迟时间。片上自举二极管消除了外部离散二极管的需求。

数明半导体 - 高频N沟道MOSFET驱动器,高频高端和低端驱动器,HIGH-FREQUENCY HIGH-SIDE AND LOW-SIDE DRIVER,HIGH-FREQUENCY N-CHANNEL MOSFET DRIVER,SLM27211,SLM27211EK-DG,SLM27211EL-7G,SLM27211CA-DG,SLM27211CB-DG,电信,POWER SUPPLIES,高压同步BUCK变换器,两个开关正激变换器,全桥变换器,数据通信,CLASS-D AUDIO AMPLIFIERS,DATACOM,MERCHANT,HIGH VOLTAGE SYNCHRONOUS-BUCK CONVERTERS,有源箝位正激变换器,半桥变换器,推挽变换器,电源,FULL-BRIDGE CONVERTERS,TWO-SWITCH FORWARD CONVERTERS,TELECOM,PUSH-PULL CONVERTERS,ACTIVE-CLAMP FORWARD CONVERTERS,D类音频放大器,HALF-BRIDGE CONVERTERS,商人

Apr, 2023 - 数据手册 - Rev1.3 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

SCT52A40 120V电源、4A峰值、高频高端和低端栅极驱动器

SCT52A40是一款宽电压输入、高频高侧和低侧栅极驱动器，适用于半桥、全桥和降压转换器。该产品具有4A峰值源和漏电流能力，提高功率转换效率。SCT52A40具备广泛的输入滞后特性，与TTL低压逻辑兼容，并能在-10V负输入下工作，提高了输入噪声免疫力。此外，它还能承受高达-18V的最大HS引脚电压，大大扩展了其在处理开关节点噪声方面的应用灵活性。

芯洲科技 - HIGH FREQUENCY GATE DRIVERS,闸门驱动器,高频栅驱动器,GATE DRIVER,SCT52A40,SCT52A40DRA,SCT52A40DTC,SCT52A40STD,SCT52A40DSA,SCT52A40STER,SCT52A40STE,电池供电的手动工具,固态马达驱动器,SOLID-STATE MOTOR DRIVES,HALF-BRIDGE POWER CONVERTER,ACTIVE-CLAMP FORWARD CONVERTERS,双开关正激功率变换器,BATTERY POWERED HAND TOOL,TWO SWITCH FORWARD POWER CONVERTERS,半桥功率变换器,FULL-BRIDGE POWER CONVERTER,全桥功率变换器,有源箝位正激变换器

2021/11/09 - 数据手册 - Rev.1.1 代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。文章还详细介绍了eGaN FET在开关应用中的优势，如更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容和更低的驱动电路功率需求。此外，eGaN FET器件通过了AEC-Q101认证，具有可靠性，适用于多种应用，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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增强型氮化镓功率晶体管技术

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2022/6/14 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，适用于多种应用场景，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。此外，eGaN FET器件还通过了AEC-Q101认证，确保了其可靠性和安全性。

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2021/11/30 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，适用于多种应用场景，如汽车、射频放大器、DC/DC转换器、马达驱动、激光雷达、医疗应用和无线充电等。EPC公司提供全面的eGaN FET产品线，包括器件模型、应用笔记、演示板和技术文章，以支持设计师进行高效的设计。

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2020 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

TC2110, TC2113 High-Side and Low-Side Gate Drivers

TC2110和TC2113是无锡通富微电子公司生产的双通道高压高速MOSFET和IGBT驱动器。它们支持高边/低边配置，具有浮动高边供电功能，适用于高达600V的操作电压。这些驱动器提供宽范围的门极驱动电源电压（10V至20V）和逻辑输入电源电压（3.3V至20V），并具备快速上升和下降时间、循环触发的关断电路以及扩展的温度范围。

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2019/05/30 - 数据手册 - V1.0 代理服务技术支持采购服务

TCG1200 200V 高侧/低侧 eGaN® 栅极驱动器数据手册

TCG1200是一款由无锡通富微电子公司生产的200V高侧/低侧eGaN®栅极驱动器，专为驱动增强型氮化镓（eGaN®）场效应晶体管设计。该产品具备浮动高侧驱动器、5A/1.2A输出峰值电流能力、0.4Ω/2Ω的下拉/上拉阻抗等特点，适用于高速DC-DC转换器和高频开关电源等领域。

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2019/05/30 - 数据手册 - V1.0 代理服务技术支持采购服务

TC1125/1123/1121 200V High Speed Logic Level Mosfet Gate Driver

该资料介绍了无锡通富微电子公司的TC1125/1123/1121系列高侧/低侧栅极驱动器。这些驱动器适用于高达200V的浮动高侧操作，具有高速门驱动能力，并支持逻辑电平MOSFET的驱动。它们提供不同的输出源/漏电流选项（分别为1.2A/5A、0.8A/3.3A和0.4A/1.67A），以适应不同应用需求。

无锡紫光微 - 200V HIGH SPEED LOGIC LEVEL MOSFET GATE DRIVER,200V高速逻辑电平MOSFET栅极驱动器,TC1121,TC1125,TC1123,高速DC-DC变换器,HIGH SPEED DC-DC CONVERTERS,高频电源,无线充电,HIGH FREQUENCY POWER SUPPLIES,WIRELESS CHARGING

2019/05/30 - 数据手册 - V1.0 代理服务技术支持采购服务

LF2190N高端/低端栅极驱动器规格书\n

该资料介绍了LF2190N高侧/低侧栅极驱动器，适用于600V半桥配置下的N沟道MOSFET或IGBT。它具有浮动高侧驱动功能，支持高达4.5A的典型源/漏电流，并具备3.3V的逻辑输入能力。该器件广泛应用于电机控制、DC-DC转换器、AC-DC逆变器以及D类功率放大器等领域。

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09 / 20 / 2021 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

LF21814N高端/低端栅极驱动器规格书

该资料介绍了LF21814N高侧/低侧栅极驱动器。它是一种高压、高速栅极驱动器，可驱动半桥配置中的N沟道MOSFET或IGBT。具有宽的低侧栅极驱动电源电压（10V至20V），逻辑输入与标准TTL和CMOS电平兼容，适用于电机驱动、电机控制、DC-DC转换器和D类功率放大器。

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09 / 22 / 2021 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

LF2184N半桥栅极驱动器规格书

该资料介绍了LF2184N半桥栅极驱动器，一款高压高速门驱动器，适用于驱动N沟道MOSFET和IGBT。它能在600V下工作，具有高侧浮空操作功能，可驱动两个N沟道MOSFET或IGBT在半桥配置中运行。产品特性包括宽低侧栅极驱动电源电压（10V至20V）、逻辑输入能力（3.3V）、内部死区时间（400ns）以及扩展温度范围（-40°C至+125°C）。应用领域包括DC-DC转换器、AC-DC逆变器、电机控制和D类功率放大器。

LITTELFUSE - 半桥栅极驱动器,HALF-BRIDGE GATE DRIVER,闸门驱动器,高速栅极驱动器,HIGH SPEED GATE DRIVER,GATE DRIVER,LF2184NTR,LF2184N,DC-DC CONVERTERS,CLASS D POWER AMPLIFIERS,电机控制,D类功率放大器,AC-DC INVERTERS,AC-DC逆变器,DC-DC转换器,MOTOR CONTROLS

09 / 24 / 2021 - 数据手册代理服务技术支持采购服务