瑞萨为高性能DDR5 DIMM开发提供一站式解决方案,给予卓越性能、密度和可靠性并降低整体系统功耗
在人工智能、机器学习和大数据分析等诸多因素的推动下,市场对CPU的容量、速度和性能要求不断提高,因为应用继续需要增加带宽、容量和性能。为了尽快将数据送到CPU,DDR5 DRAM被设计为提供具有更低延迟的数据访问。CPU的速度也在不断提高,因此需要更高的带宽来将数据快速转移到需要它的核心,而DDR5为高达6400Mbps的带宽打开了大门。DRAM的容量对计算系统也很关键,以确保所需的数据可以存储在那里。内存容量越大,操作系统就越有可能将下一个需要的数据保留在内存中,而不是将其转移到较慢的存储中。
在过去的几十年里,缩小的工厂工艺导致了DRAM芯片密度的持续增长。凭借今天的现代化生产设施,DDR4目前能够实现每颗晶粒高达16Gb的密度,而DDR5将能够实现更高的密度,并享有堆叠功能,如3D堆叠通过硅通道,以适应更高容量的模块。
DDR5引入了新的功能,将使下一代系统取得进展并满足客户需求。DDR5将实现更高的性能(高达6400Mbps的更高信令率和改进的内存通道利用率)和扩展性。在芯片上,纠错码(ECC)允许在不增加成本的情况下进行下一步的工艺缩减,改变核心时序以提高设计扩展性,以及提高芯片密度以实现更高的容量和更低的功率。
DDR5有什么新特点?
1、2倍的通道速度提升
DDR5的内存带宽将达到6400MT/s通道速度,初始速度为4800MT/s。DDR4的最大速度是3200MT/s。这些更高的速度将带来更高的性能,这是业界所期待的。
2、更高的DIMM密度
DRAM密度—单个DRAM芯片封装可以有16Gb,允许在8-High Stack芯片封装上最大128Gb。
更高容量的DRAM允许更高容量的DIMM。目前,DDR5在8Rx4配置中使用基于16Gb的8-High Stack DRAM组件,在单个DIMM上可以有高达512GB的DIMM。
3、更低的功率
随着工作电压的降低—VDD/VDDQ/VPP从DDR4的1.2V降至DDR5的1.1V,DDR5的功耗更低。这有助于降低服务器和PC的功耗,这对于减少数据中心和办公大楼的碳足迹变得至关重要。
4、更有效的电源和温度管理
DIMM上的电压调节器允许在DIMM层面进行更有效的电源管理。
DIMM上的温度传感器提供虚假的热监测和控制。
5、一个DIMM上的2X 40位子通道;
6、突发长度为16;
7、命令和地址接口上的双数据速率(DDR),而不是DDR4命令和地址接口上的单数据速率(SDR)。
服务器DIMM架构和产品
在DDR5中,电压已降至1.1V,频率范围已大大增加,DQ总线宽度从72位增加到80位。与DDR4 LRDIMM相比,DDR5 LRDIMM上有一个额外的数据缓冲器,并且在RCD和DRAM上都增加了DFE支持。增加了一个额外的温度传感器,而且DIMM上将有一个电压调节器(PMIC),这在DDR4中是不存在的。最后,将有I3C边带总线协议支持。详情见图1。
图1 服务器DIMM
客户端DIMM架构和产品
DDR5客户端(图2)和游戏DIMMs(图3)将需要客户端PMIC和SPD HUB。这些在DDR4中是不需要的。
UDIMM
图2 客户端DIMM
SODIMM
图3 客户端SODIMM
瑞萨为DDR5提供了什么?
与前几代DDR内存接口产品一样,RENESAS(瑞萨电子)的器件在性能和可靠性方面都处于市场领先地位。瑞萨拥有一个完整的IC系列来开发高性能的DDR5 DIMM,包括--RDIMM、LRDIMM、NVDIMM、UDIMM、SODIMM、游戏DIMM,以及用于服务器和客户端内存下降应用的内存接口产品。
瑞萨的产品组合包括:
用于RDIMMS和LRDIMM的电源管理IC(PMIC) P8900
用于客户端内存模块的电源管理IC(PMIC)P8911
温度传感器 TS5111
数据缓冲器 5DB0148
I³C驱动器和扩展器产品
瑞萨的DDR5和I³C扩展器IC系列使下一代服务器和客户端DIMM以及服务器和客户端主板解决方案能够有效地扩展到卓越的性能、密度和可靠性,同时降低整体系统功耗。瑞萨在为所有DDR世代提供业界领先的内存接口芯片组方面有着深厚的历史,瑞萨的器件将提供可靠的性能,以满足最苛刻的企业和数据中心应用,是所有DDR5 DIMM接口产品的唯一一站式服务机构。
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