【选型】东科半导体高性能两个引脚同步整流芯片用于充电器设计,内部集成45V功率 NMOS 管和智能检测系统

2020-12-23 世强
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在传统充电器产品中,副边整流会采用肖特基二极管设计,利用单颗器件解决整流问题。但是肖特基的正向导通压降偏高,特别是在输出功率(电流)较大的场合,副边整流损耗较大,整机效率不高。


图1   传统副边肖特基二极管整流方案


随着实际应用对充电器的效率以及输出功率有了越来越高的要求,工程师们开始在副边加入同步整流设计。本文介绍东科半导体两引脚同步整流芯片,其内部自供电且内置MOS,可以直接替换肖特基二极管就可以完成设计,极大简化过程。


图2  东科同步整流IC直接替换下肖特基二极管方案


对比于传统同步整流IC方案,具有以下优势:


         

东科 DK5V100R25S芯片内部集成了45V功率 NMOS 管,可以大幅降低二极管导通损耗,提高整机效率。由于该芯片内部集成智能检测系统,还无需前端同步信号。内部示意框图如下:


另外,东科半导体提供BV 45-150V Rdson从5mΩ到25mΩ各种产品。


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