【产品】采用TO-247-4L封装的SiC FET器件UF3C120150K4S，典型导通电阻为150mΩ

时间： 2019-11-19 来源：UnitedSiC

新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布进一步扩展UF3C FAST产品系列，新增采用TO-247-4L 4引脚Kelvin Sense分立封装选项的1200V高性能SiC FET器件。新产品UF3C120150K4S具有150mΩ的典型导通电阻（R_DS（on）），使4引脚FAST系列器件的总数达到6个，并将整个系列的导通电阻范围从30mΩ一直延伸到最高至150mΩ。

UF3C120150K4S的最高工作温度达175℃，具有出色的反向恢复、低栅极电荷和低固有电容。与标准的3引脚TO-247产品相比，具备ESD保护的HBM 2级TO-247-4L封装可提供更快的开关速度和更清晰的栅极波形。4引脚Kelvin封装能够避免栅极振铃和误触发，这些通常需要限制开关速度以管理3引脚封装的较大共源电感。UF3C120150K4S器件非常适用于电动汽车（EV）充电、光伏逆变器、开关模式电源、功率因数校正（PFC）模块、电机驱动和感应加热（induction heating）等应用。

UnitedSiC的新型UF3C FAST SiC系列现在共有13种器件，分别采用TO-247-3L和TO-247-4L封装，具有1200V和650V选项。该产品系列基于高效的“共源共栅”配置，能够以高功率密度封装提供非常快速的开关，实现高功率器件解决方案。4端子Kelvin封装可提供简单的螺钉或夹具安装，具有极低的结到壳（junction-to-case）热阻，能够充分利用SiC的高结温能力。

UnitedSiC完整的UJ3C和UF3C SiC FET产品系列的独特之处在于其真正的“直接替代”功能。设计人员可以通过用UnitedSiC FET替代现有的Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超级结器件，并能够显著提高系统性能，而无需改变栅极驱动电压。

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本指南提供了使用RC阻尼器与快速切换SiC器件的实用解决方案和指导。通过实验双脉冲测试（DPT）验证了该解决方案。阻尼器损耗被精确测量，以帮助用户计算阻尼电阻的功率等级。分析了阻尼器在硬切换和软切换应用中的有益影响。指南还包括SiC FET的使用表格，详细说明了不同型号的SiC FET的参数和应用类型。

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本指南提供了使用RC阻尼器与快速切换SiC器件的实用解决方案和指导原则。内容包括阻尼器设计指南、Snubber规则、BOM表格以及相关注意事项。指南通过实验验证了阻尼器的效果，并分析了硬开关和软开关应用中的有益影响。

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本指南提供了使用RC阻尼器与快速开关SiC器件的实际解决方案和指导。通过实验双脉冲测试（DPT）结果验证了该解决方案。阻尼器损耗被精确测量，以帮助用户计算阻尼电阻的功率等级。分析了阻尼器在硬开关和软开关应用中的有益影响。附带的“使用阻尼器开关快速SiC FET”应用笔记可在https://unitedsic.com/wp-content/uploads/appnotes/Snubber%20AppNotes_V8.pdf找到。指南中包含了基本假设、阻尼器规则、BOM清单和注意事项。

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