【产品】采用TO-247-4L封装的SiC FET器件UF3C120150K4S,典型导通电阻为150mΩ
新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布进一步扩展UF3C FAST产品系列,新增采用TO-247-4L 4引脚Kelvin Sense分立封装选项的1200V高性能SiC FET器件。新产品UF3C120150K4S具有150mΩ的典型导通电阻(RDS(on)),使4引脚FAST系列器件的总数达到6个,并将整个系列的导通电阻范围从30mΩ一直延伸到最高至150mΩ。
UF3C120150K4S的最高工作温度达175℃,具有出色的反向恢复、低栅极电荷和低固有电容。与标准的3引脚TO-247产品相比,具备ESD保护的HBM 2级TO-247-4L封装可提供更快的开关速度和更清晰的栅极波形。4引脚Kelvin封装能够避免栅极振铃和误触发,这些通常需要限制开关速度以管理3引脚封装的较大共源电感。UF3C120150K4S器件非常适用于电动汽车(EV)充电、光伏逆变器、开关模式电源、功率因数校正(PFC)模块、电机驱动和感应加热(induction heating)等应用。
UnitedSiC的新型UF3C FAST SiC系列现在共有13种器件,分别采用TO-247-3L和TO-247-4L封装,具有1200V和650V选项。该产品系列基于高效的“共源共栅”配置,能够以高功率密度封装提供非常快速的开关,实现高功率器件解决方案。4端子Kelvin封装可提供简单的螺钉或夹具安装,具有极低的结到壳(junction-to-case)热阻,能够充分利用SiC的高结温能力。
UnitedSiC完整的UJ3C和UF3C SiC FET产品系列的独特之处在于其真正的“直接替代”功能。设计人员可以通过用UnitedSiC FET替代现有的Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超级结器件,并能够显著提高系统性能,而无需改变栅极驱动电压。
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目录- Product introduction SiC FETs SiC JFETs SiC Schottky Diodes
型号- UJ3D06506TS,UJ3D1220KSD,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UF3C065040B3,UJ4C075023K3S,UJ3D1210KS,UF3N090350,UF3C SERIES,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UJ3N1701K2,UF3N SERIES,UJ3N065025K3S,UJ3N065080K3S,UF3SC120016K3S,UF3C065080K3S,UJ4SC,UF3N170400,UF3C065030K4S,UF3N120140,UF3N065600,UF3N170400B7S,UJ3D06510TS,UJ3D06560KSD,SC SERIES,UJ3C065030B3,UJ3D1210K2,UF3SC065007K4S,UF3C120400K3S,UJ4SC SERIES,UF4C120053K4S,UJ3C120150K3S,UJ4C075060K4S,UJ3D1202TS,UF3C065080B7S,UJ3D1220K2,SC,UF3C065080T3S,UF3C065040K3S,UJ3C120080K3S,UF3SC,UF4C120053K3S,UF3C120080K4S,UF3N090800,UJ4C075018K3S,UJ3D1210TS,UF3SC065030B7S,UJ4C075023K4S,UJ3D06530TS,UJ4C075060K3S,UJ3N SERIES,UJ3N120035,UF4C120070K3S,UF3SC120040B7S,UF3SC120016K4S,UJ4C SERIES,UJ4C075018K4S,UJ3C065080T3S,UF4SC120030K4S,UJ3N120035K3S,UJ3D06504TS,UJ3C065030K3S,UJ3D1205TS,UF3C065080B3,UJ3N065080,UJ4SC075009K4S,UJ3N120070K3S,UJ4C075033K3S,UF3SC SERIES,UF4C120070K4S,UF3C065030T3S,UJ3D06508TS,UJ3D1210KSD,UJ3D06516TS,UJ3D06512TS,UJ3D1250K2,UJ4SC075006K4S,UF3C120040K4S,UF3C065030B3,UF3C120150B7S,UJ3C SERIES,UF3C065040K4S,UJ4C075044K3S,UJ3C065030T3S,UJ4C,UJ3C120070K3S,UF3C065030K3S,UF4C,UJ3D1250K,UJ3D06520TS,UF3SC120009K4S,UF4C SERIES,UJ3N065025,UF3C120080B7S,UF3C120040K3S,UF3C120150K4S,UJ3C065080K3S,UJ3D1725K2,UJ3N120065K3S,UJ3D,UJ4C075044K4S,UJ3C,UJ3D06520KSD,UF3N065300,UF3C,UF3N,UJ3N120070,UJ4SC075011K4S,UJ4C075033K4S,UJ3N,UF3C170400K3S,UF4SC120023K4S,UJ3D SERIES,UF3SC065040B7S,UF3C065080K4S
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应用方案 发布时间 : 2020-06-18
SiC FET User Guide
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UnitedSiC SiC FET User Guide
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The totem-pole PFC stage comes of age with SiC FETs
The gate drive issue is solved by designing with SiC FETs from UnitedSiC, a cascode combination of a SiC JFET and a silicon MOSFET. The gate now can be driven at ‘normal’ MOSFET or IGBT levels with a large margin of safety to the absolute maximum +/- values, with a stable threshold level when driving the device fully on, largely independent of time and temperature.
原厂动态 发布时间 : 2022-05-11
全球唯一一家拥有同时兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商——UnitedSiC(联合碳化硅)
UnitedSiC(联合碳化硅)开发出各种创新的碳化硅场效应晶体管(FET)、碳化硅结型场效应晶体管(JFET)和碳化硅肖特基二极管(Schottky Diode)等功率半导体器件,且可定制,为电动汽车充电器,DC-DC转换器,牵引变流器等。
品牌简介 发布时间 : 2019-11-22
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