【选型】CJAC130SN06L_PDFNWB5X6-8L-B助力60W快速充电器同步整流MOSFET设计

时间： 2023-06-30 来源：世强

代理服务

技术支持

现货查询

批量订货

MOSFET,同步整流MOSFET,N沟道增强型MOSFET,SR MOSFET

60W PD快速充电器电路拓扑中一般有三款MOSFET，原边主开关MOSFET、同步整流MOSFET（又称SR MOSFET）、VBUS MOSFET（握手开关，按PD快充协议输出准确电压后接通负载），主要电路拓扑结构参考如下图1所示。

图1：60W PD快速充电器电路拓扑示意图

为实现60W快速充电器高效设计，本文重点介绍同步整流MOSFET选型，具体选型因素如下：

1、最大漏源电压VDS大于充电器输出电压，60W快充输出一般不超过20V/3A，VDS耐压一般选择60V~100V；

2、MOSFET最大耗散功率PD大于充电器输出功率（60W）；

3、低的静态导通电阻R_dson，该值越低，导通损耗越小；

4、低的栅极电荷Qg，该值越低，开通损耗越小；

5、小封装：选择DFN0506或SOP8；

ps：考虑到MOSFET因工艺问题，体二极管正向导通压降VSD很难做小，当SR MOSFET关断时，次级回路中电流不能立刻消失，将出现反向续流电流ISD，因体二极管正向压降VSD过大导致导通损耗加大，不利于效率提升，这里可以通过并联一个低VF的SBD肖特基二极管用于续流，参考图1所示。

为满足如上设计需求，市面上一般选用SGT工艺MOSFET或GAN实现，本文重点推荐长晶科技 N沟道增强型MOSFET CJAC130SN06L_PDFNWB5X6-8L-B，采用SGT工艺，最大漏源电压VDSS为60V，最大漏电流ID为130A@Tc=25℃，最大耗散功率PD为130W，最大导通电阻仅3.2mΩ@VGS=10V，相关电性参数参考如下图2所示。

图2：长晶科技N沟道增强型MOSFET CJAC130SN06L_PDFNWB5X6-8L-B相关电性参数

推荐理由如下：

1、具有出色的品质因数FOM：常温25℃条件下，静态导通电阻R_dson低至3.2mΩ，动态栅极电荷Qg典型值66.1nc，FOM= R_dson*Qg=211.52，具有低的导通损耗和开关损耗特性；

2、最大耗散功率130W，用于60W PD快充设计，具有足够的散热裕量；

3、采用市场主流的PDFN5060-8L封装，相对DFN封装焊接引脚稍有外延，便于上锡增强焊接强度；同时可满足小型化设计；

4、SGT工艺MOSFET，相比GAN产品，具有更低的成本，可提升产品竞争力。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由honglei提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【选型】长晶科技MOSFET及二极管在PC电源的应用

长晶MOSFET与二极管在PC电源的应用，以明纬电源为例,电路拓扑中整流＆PFC，切换电路（即主功率LLC回路），整流/滤波电路中均有机会使用到长晶的二极管或者MOSFET。

2020-10-29 - 器件选型代理服务技术支持现货查询批量订货

【选型】长晶科技MOSFET及二极管在LED电源中的应用推荐

目前市面上的小功率段LED电源的功率段一般100W以内，而这些电源都是采用FLYBACK的电路拓扑。以雷士LED电源为例，整流/开关电路中均有机会使用到长晶科技的二极管或者MOSFET.

2020-10-30 - 器件选型代理服务技术支持现货查询批量订货

【应用】N沟道MOSFET 2N7002用于USB接口控制电路的解决方案，保证USB接口工作稳定

该项目是一块液晶屏的终端控制板，其USB接口用于连接上位机，接收下发的显示命令，2N7002用于控制USB接口的上拉电阻通断，以便上位机对USB设备进行枚举。

2020-12-10 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】国产Cu-Clip封装的SGT工艺MOSFET CJAC100SN08U，RDS低至3.0mΩ

长晶科技的SGT工艺MOSFET CJAC100SN08U，漏源级击穿电压为80V，连续漏极电流为100A，不含卤素，符合RoHS标准。该产品采用先进的Cu-Clip封装工艺，封装形式为PDFNWB5×6-8L。

2021-10-26 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

AD-CJAN3R5SN04CH Plastic-Encapsulated MOSFET

型号- AD-CJAN3R5SN04CH

2024/4/22 - 长晶科技 - 数据手册 - Version 1.2 代理服务技术支持现货查询批量订货

【产品】130A 60V的SGT工艺MOSFET CJAC130SN06L，贴片PDFNWB5x6-8L封装

长晶科技的SGT工艺 MOSFET CJAC130SN06L，漏源级击穿电压为60V，连续漏极电流为130A，不含卤素，符合RoHS标准。该产品为PDFNWB5x6-8L封装，相较于TO-252-2L，封装更小，且厚度仅为1mm。

2022-03-02 - 新产品代理服务技术支持现货查询批量订货

CJ6617SP CSP Enhancement Mode Power MOSFET

型号- CJ6617SP

2021/11/8 - 长晶科技 - 数据手册 - Rev.-1.4 代理服务技术支持现货查询批量订货

CJAB35N03S PDFNWB3.3×3.3-8L Plastic-Encapsulate MOSFETS

型号- CJAB35N03S

2023/12/8 - 长晶科技 - 数据手册 - Rev. - 1.3 代理服务技术支持现货查询批量订货

长电科技分立器件部门成立长晶科技公司，主营二/三极管、晶振、MOSFET、电源管理、运放等产品

近日，长晶科技签约世强硬创电商，授权世强代理旗下所有产品系列和型号，涵盖二极管、三极管、MOSFET、LDO、DC-DC、频率器件、功率器件等品类。长晶科技拥有国内高密度集成电路国家工程实验室、国家级企业技术中心、博士后科研工作站等，长期为集成电路封装测试企业提供从芯片中测、封装到成品测试及出货的全套专业生产服务。在频率器件产品领域，长晶科技自主研发设计生产出1612、2016小尺寸晶振，具备着超