【产品】具有极低漏电流的ESD抑制器CESDxxLC0201，响应时间快，广泛应用于高速数据端口

时间： 2022-08-27 来源：世晶半导体

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ESD抑制器,CESDxxLC0201,CESD05LC0201,CESD09LC0201

世晶半导体推出了一款聚合物ESD抑制器 CESDxxLC0201，该ESD静电抑制器专用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）的威胁。该产品几乎瞬间响应于瞬态电压，并在 ESD 瞬变期间有效地将其钳位到低电压。ESD抑制器使用固有地产生低电容和非常低的漏电流的电压可变聚合物。因此，在正常操作模式下，该器件对电路实际上是不可见的。由于具有高关断状态阻抗和低电容，它对高速数字电路特别透明。大量测试显示，信号不会失真或中断。使用 ESD抑制器进行ESD 保护，器件就能够保护高速数据信号的信号完整性，同时保护电路免受 ESD 影响。材料的本质决定了它是双向配置的，这就意味着无论浪涌极性如何，每个浪涌通路只需要一个器件来提供完整的 ESD 保护。

特点：

0201英寸/ 0603毫米尺寸

为高频、低电压应用提供理想的ESD保护

超出IEC 61000-4-2中列出的测试要求

超低电容（典型值2pF）

极低的漏电流

响应时间快

双向配置

表面贴装

RoHS 符合全球应用

应用：

高速数据端口（USB 2.0，IEEE 1394）

电脑及外围设备（手机、PDA、HDTV、DVD播放器）

电气参数（环境温度=25℃）

电气特性：

注：

1. 根据IEC61000-4-2，在脉冲开始后30ns内测量的4级波形（8kV直接脉冲，30A）。

2. 使用传输线脉冲（TLP）方法进行的触发测量

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产品型号	品类	Package	Channel	Directional	VRWM(V)	Cj(pF)	ESD(Contact KV)	工作温度（℃）
CESD05BC0201	CESD	O2O1	1	Bi	5V	33pF	±8KV	﹣40℃~85℃

选型表 - 世晶半导体立即选型

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