【产品】捷捷微电30/40V系列N沟道JSFET,实现国际水准的导通电阻水平,有效降低损耗
捷捷微电30/40V系列N沟道JSFET适用于多种负载范围的终端,利用最先进的工艺流程、新型封装技术,结合对终端应用的理解,该系列SGT MOSFETs电气特性达业界领先水平。
具有国内最小单元间隔的40V JSFET® ,实现全球行业领先的RON,sp。采用先进PDFN3x3封装的30V SGT MOSFET,RDS(ON) 达到国内同类产品最佳水平,对标国际一流。
图 1
超低的Qg&RDS(ON),有效地降低在DC/DC和AC/DC等应用中的开关及导通损耗。采用先进封装技术,在保留电气和热性能稳定的同时,有效的解决了终端在尺寸结构方面的限制。
采用高热效能的PDFN3x3、PDFN5x6、及双渠道的PDFN 5x6_Dual封装,此系列的30/40V SGT MOSFETs无卤素,且符合RoHS标准。
图 2
应用
●同步/非同步直流升降压:电脑主板、图像处理板卡、数据中心、车充、网络设备、数码生活个人小家电
●VBUS电源开关:快充充电器、含支持电源进出USB-C端口的终端
●半桥逆变器:消费类电动工具、无人机、智能家电
●负载开关- 消费/ 商用/ 工业类电脑主板、FPGA主板等的负载点电源并关
产品型号
表 1
信息
图 3
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捷捷微电MOS选型表
捷捷微电提供以下技术参数的MOS选型,VDS_Max:-100V~1000V,VGS(th)_Typ:-2V~3.5V等
产品型号
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品类
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Confi-guration
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VDS_Max(V)
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ID_Max(A)
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VGS(th)_Typ(V)
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RDS(ON)_Typ@VGS =10V(mΩ)
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RDS(ON)_Max@VGS=10V(mΩ)
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RDS(ON)_Typ@VGS=4.5V(mΩ)
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RDS(ON)_Max@VGS=4.5V(mΩ)
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VGS_Max(V)
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EAS_Max(mJ)
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Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
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MPQ
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MOQ
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封装
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JMSL040SAGQ
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MOS
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N
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40V
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387A
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1.5V
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0.58mΩ
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0.75mΩ
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0.8mΩ
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0.99mΩ
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±20V
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506mJ
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7654pF
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3738pF
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44pF
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114nC
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3000
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30000
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PDFN5x6-8L
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选型表 - 捷捷微电 立即选型
JMSL04055UQ 40V,62A,5.1mΩN沟道功率SGT MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSL04055UQ型号的40V, 62A, 5.1mΩ N-channel Power SGT MOSFET。该产品具有超低导通电阻、低栅极电荷、100% UIS和ΔVds测试等特点,适用于负载开关、PWM应用和通用汽车应用。
型号- JMSL04055UQ-13,JMSL04055UQ
JMSH0606PG 60V,114A,4.5mΩN沟道功率SGT MOSFET
描述- 本资料详细介绍了JMSH0606PG型号的60V、114A、4.5mΩ N-channel Power SGT MOSFET的特性、参数、应用领域等。该产品具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域。
型号- JMSH0606PG,JMSH0606PG-13
JMSH0406PGQ 40V,106A,4.1mΩN沟道功率SGT MOSFET
描述- 该资料详细介绍了JMSH0406PGQ型号的40V、106A、4.1mΩ N-channel Power SGT MOSFET的特性、参数和应用领域。资料涵盖了产品的电气特性、热特性、开关特性、典型性能曲线、封装尺寸等详细信息。
型号- JMSH0406PGQ-13,JMSH0406PGQ
JMSH0401PTSQ 40V,381A,0.9mΩN沟道功率SGT MOSFET
描述- 该资料详细介绍了JMSH0401PTSQ型号的40V、381A、0.9mΩ N-channel Power SGT MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有超低导通电阻、低栅极电荷、100% UIS和ΔVds测试等特点,适用于负载开关、PWM应用和通用汽车应用等领域。
型号- JMSH0401PTSQ,JMSH0401PTSQ-13
JMSL0402TG 40V,163A,2.9mΩN沟道功率SGT MOSFET
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型号- JMSL0402TG,JMSL0402TG-13
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型号- JMSH040SPGQ,JMSH040SPGQ-13
JMSH1509PG 150V,88A,9.1mΩN沟道功率SGT MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSH1509PG型号的150V、88A、9.1mΩ N-channel Power SGT MOSFET。该产品具有优异的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域。
型号- JMSH1509PG-13,JMSH1509PG
JMSL0603PG 60V,154A,2.7mΩN沟道功率SGT MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSL0603PG型号的60V、154A、2.7mΩ N-channel Power SGT MOSFET。该器件具有优异的导通电阻和低栅极电荷,适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域。
型号- JMSL0603PG
JMSH1504NC 150V,200A,3.9mΩN沟道功率SGT MOSFET
描述- 本资料介绍了JMSH1504NC型号的150V、200A、3.9mΩ N-channel Power SGT MOSFET。该器件具有优异的导通电阻和低栅极电荷,适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域。
型号- JMSH1504NC
JMSL0401PGQ 40V,355A,1.1mΩN沟道功率SGT MOSFET
描述- 该资料详细介绍了JMSL0401PGQ型号的40V, 355A, 1.1mΩ N-channel Power SGT MOSFET的特性、参数、电气特性、典型性能曲线以及封装机械数据。该器件具有超低导通电阻、低栅极电荷、100% UIS和ΔVds测试等特点,适用于负载开关、PWM应用和通用汽车应用等领域。
型号- JMSL0401PGQ,JMSL0401PGQ-13
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现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
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