【产品】捷捷微电30/40V系列N沟道JSFET,实现国际水准的导通电阻水平,有效降低损耗
捷捷微电30/40V系列N沟道JSFET适用于多种负载范围的终端,利用最先进的工艺流程、新型封装技术,结合对终端应用的理解,该系列SGT MOSFETs电气特性达业界领先水平。
具有国内最小单元间隔的40V JSFET® ,实现全球行业领先的RON,sp。采用先进PDFN3x3封装的30V SGT MOSFET,RDS(ON) 达到国内同类产品最佳水平,对标国际一流。
图 1
超低的Qg&RDS(ON),有效地降低在DC/DC和AC/DC等应用中的开关及导通损耗。采用先进封装技术,在保留电气和热性能稳定的同时,有效的解决了终端在尺寸结构方面的限制。
采用高热效能的PDFN3x3、PDFN5x6、及双渠道的PDFN 5x6_Dual封装,此系列的30/40V SGT MOSFETs无卤素,且符合RoHS标准。
图 2
应用
●同步/非同步直流升降压:电脑主板、图像处理板卡、数据中心、车充、网络设备、数码生活个人小家电
●VBUS电源开关:快充充电器、含支持电源进出USB-C端口的终端
●半桥逆变器:消费类电动工具、无人机、智能家电
●负载开关- 消费/ 商用/ 工业类电脑主板、FPGA主板等的负载点电源并关
产品型号
表 1
信息
图 3
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Confi-guration
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VDS_Max(V)
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ID_Max(A)
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RDS(ON)_Typ@VGS =10V(mΩ)
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RDS(ON)_Max@VGS=10V(mΩ)
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RDS(ON)_Typ@VGS=4.5V(mΩ)
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RDS(ON)_Max@VGS=4.5V(mΩ)
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Ciss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
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MPQ
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MOQ
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封装
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JMSL040SAGQ
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MOS
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N
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40V
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387A
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1.5V
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0.58mΩ
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0.75mΩ
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0.8mΩ
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0.99mΩ
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±20V
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506mJ
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7654pF
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3738pF
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44pF
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