【产品】符合AEC-Q101标准汽车级MOSFET,业界最小尺寸仅3.3×3.3mm
![MOSFET,汽车级MOSFET,AG009DGQ3,AG001AHQ3](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
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全球知名半导体制造商ROHM面向引擎ECU*1为首的电子化日益普及的各种车载应用,开发出符合AEC-Q101*2标准的超小型MOSFET"AG009DGQ3"。"AG009DGQ3"是实现高可靠性安装、且安装面积可比以往产品减少达64%的产品。
本产品采用ROHM独有的引脚结构,扩大封装的引脚宽度,从而成功提高了接合强度。而且,通过在栅极引脚的中央部进行镀层处理,改善了焊料润湿性,使致命风险即栅极引脚剥落的主要原因--焊料开裂降低到一半以下,实现安装的高可靠性。
为确保品质,以往汽车电子使用的主流MOSFET为5mm × 6mm尺寸的封装。尤其是要求可靠性的引擎ECU部分,该尺寸一直被视为小型化的极限。而ROHM利用多年积累的芯片技术优势和封装技术经验,成功实现3.3mm × 3.3mm尺寸的业界最小级别的小型封装。由此,确保车载品质的同时使安装面积缩减达64%,有助于应用的高性能化、小型化。
今后ROHM将继续扩充车载领域用的追求高可靠与高性能的MOSFET产品阵容,持续为小型化与安全性作出贡献。
近年来,随着汽车的事故防止对策和自动驾驶技术的普及,汽车的电子化飞速发展。与此同时,汽车中搭载的应用的附加功能增加,MOSFET的搭载数量也日益增加。因此,对汽车应用的小型化、轻量化需求高涨,要求封装本身体积更小。以往SOP8(5mm × 6mm)为主流封装,而ROHM利用多年积累的封装技术优势,成功开发出符合AEC-Q101标准的MOSFET的最小级别封装。实现产品的高可靠性与小型化,满足了客户需求。
AG009DGQ3 MOSFET特点:
· 本产品采用汽车电子中的小型尺寸3.3mm × 3.3mm封装"HSMT8AG"。
· 封装特点如下
1.高可靠性安装,保证车载品质
--扩大引脚宽度,提高安装性
以往,扁平引脚产品对于PCB板有焊料裂纹的担忧,存在温度循环性方面的课题。而"AG009DGQ3"采用ROHM独有的引脚结构,栅极引脚面积扩大2倍,提高了接合强度。由此,致命风险--即栅极引脚和安装PCB板间发生的焊料裂纹风险降低到一半以下,从而确保了车载品质,实现高可靠性安装。
--焊料润湿性改善
"AG009DGQ3"通过在栅极引脚的中央实施镀层处理,实现独有形状的栅极引脚。由此,PCB板与焊料的接合面增加,消除焊接时的润湿性误差,有助于提高安装时的可靠性。
2. "HSMT8AG"封装,有助于应用的小型化
以往汽车电子用的MOSFET主流为5mm × 6mm的SOP8尺寸,"AG009DGQ3"利用ROHM的芯片技术与封装技术优势,实现汽车电子用的小型大功率封装"HSMT8AG"。不仅可确保车载品质,还使安装面积缩减64%,实现小型尺寸,满足车载领域的小型化市场需求。
AG009DGQ3 MOSFET及开发中的AG001AHQ3、AG010ALQ3主要电气特性:
AG009DGQ3 MOSFET应用案例
· 鼓风机电机
· 油/水泵
· 导航/音响
· 引擎ECU喷射
· 变速器
· 其他各种车载电机
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芯力特依托豪威集团强大的产品/工艺/设计以及供应链能力,陆续推出了一系列车规级MOSFET产品,适用于汽车车身控制、水泵油泵、车大灯、无线充电等应用场景。芯力特新推出的车规级MOSFET产品,满足AECQ101标准,提供了N40V,N60V,N80V,N100V,P40V,P60V等系列产品。
SiC-MOSFET的体二极管的恢复时间为什么比Si-MOSFET短?
SiC-MOSFET的体二极管为pn结合形式,但少数载流子的寿命短,少数载流子的积蓄效应几乎看不到,因此显示与SBD同等的超高速恢复性能(几十ns),恢复时间与SBD一样不依赖于正向注入电流,为固定值。(dI/dt固定的条件下)。
【应用】40V/140A LFPACK MOSFET+汽车级驱动芯片助力汽车电子水泵小型化设计
Shindengen推出的 P140LF4QNK 功率MOSFET ,小尺寸,LF PACK封装产品, L*W=5.000mm*6.050mm。
SiC-MOSFET串联时,应注意哪些?
・上侧元器件接地绝缘只能保证绝缘耐压。 ・需要串联数栅极电压用浮动电源。 ・串联时,导通电阻的温度系数变为正,为防止热失控,请考虑产品偏差和充分的电流降额。 ・串联后作为高耐压单开关使用时,推荐并列插入大电阻进行适当分压。 ・若不符合开关时序,则将破坏耐压。
【选型】P沟道MOSFET CJAC70P06导通电阻低至7.6mΩ,可兼容PDC6901X用于水泵控制器中
在客户的水泵控制器项目上,需要一颗MOS来驱动控制电路,原来使用博盛的PDC6901X,现需要找寻另一款合适的型号作为备选方案。给客户推荐了长晶科技的P沟道MOSFET CJAC70P06,参数和性能都与博盛的PDC6901X差不多,可以满足替换的基本需求。
【技术】解析MOSFET的dV/dt失效
dV/dt失效是MOSFET关断时流经寄生电容Cds的充电电流流过基极电阻RB,使寄生双极晶体管导通而引起短路从而造成失效的现象。dV/dt是单位时间内的电压变化量。本文ROHM将为您详细介绍什么是MOSFET的dV/dt失效。
SiC-MOSFET产品击穿电压规格有温度条件吗?
常温(Ta=25℃)。 高温状态下,漏电流和击穿电压有轻微的增加。
油泵AOP、水泵AWP模块应用
本资料为水泵控制板和燃油泵控制板油泵AOP、水泵AWP应用MOS选型推荐表。表格中列出了不同型号的MOSFET,包括其类型、耐压值、电流、阈值电压、栅极电压、导通电阻等参数,以及封装类型。表格旨在为工程师提供选型参考,确保元器件的匹配性和性能。
JESTEK - MOS管,JST320GN01HDTL-Q,JST300GN40HDTL-Q,JST80GP60D5-Q,JST90N40HD5-Q,JST180GN40HD5-Q,JST320GN40HDTL-Q,JST60GN40HD5-Q,JST100P40D5-Q,JST50DN60HD5-Q,JST50GDN40HD5-Q,JST100P40T2-Q,JST80N40HD5-Q,JST70N60HD5-Q,JST65GDN40HD5-Q,JST200GN40HD5-Q,JST310GN40HSTL-Q,JST110P40T3-Q,JST100N60HD5-Q,JST275GN01HDTL-Q,JST180GN60HD5-Q,JST220GN40HD5-Q,JST65GN40HD5-Q,油泵AOP模块,水泵电机,油泵电机,水泵AWP模块
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