【产品】16Kbit SPI 总线接口方式的串行EEPROM BR25H160-2C,待机功耗仅有0.1微安

2018-10-29 ROHM
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BR25H160-2C系列产品是16Kbit SPI 总线接口方式的串行EEPROM。位格式为2Kx8页面大小:32字节。共有四款产品,分别有着不同的封装,封装分别为SOP8,MSOP8,SOP-J8,TSSOP-B8,对应产品分别为BR25H160F-2CBR25H160FVM-2CBR25H160FJ-2CBR25H160FVT-2C。体积小,重量轻,多样化的封装便于用户选择,适用于工业产品,车载娱乐等领域。

 

图一:BR25H160-2C系列EEPROM产品外观图

 

BR25H160-2C系列EEPROM具有高达10MHz(最大)的高速时钟,电压范围为2.5V至5.5V适合于电池使用,读和写操作时电流仅为1.0毫安,降低了系统功耗,待机时仅有0.1微安。用户可以快速的进行读和写操作,高效的完成需要的数据存储,较低的功耗可以将产品集成到较小的功耗系统中去,利于小功耗系统的兼容。

 

BR25H160-2C系列EEPROM还具有读操作地址自动增加的功能,这样可以减少主控代码的复杂性。有效的防止写错误的措施,例如开机时写禁止和防止低电压写入错误等,提高了存储器数据的可靠性。不同的封装有利于根据用户自身产品的需要进行适当的选择,超过100年的数据保留可以有效的保证用户数据长时间的存储。

 

特征

· 高达10MHz(最大)的高速时钟

· 通过HOLDB终端等待功能

· 部分或全部存储器阵列可按程序设置为只读存储器区域

· 2.5V至5.5V单电源操作最适合电池使用

· 页写入模式对于出厂时的初始值写入很有用

· 对于SPI总线接口(CPOL,CPHA)=(0,0),(1,1)

· 自定时编程周期

· 低电源电流

· 写操作(5V)时:1.0mA(典型值)

· 读操作(5V)时:1.0mA(典型值)

· 待机操作(5V):0.1μA(典型值)

· 读操作时的地址自动递增功能

· 防止写错误

· 开机时写禁止

· 通过命令代码写入禁止(WRDI)

· 通过WPB引脚禁止写入

· 通过状态寄存器(BP1,BP0)设置写禁止块

· 防止低电压写入错误

· MSOP8,TSSOP-B8,SOP8,SOP-J8封装

· 发送数据存储器阵列的数据:FFh,状态寄存器WPEN,BP1,BP0:0

· 超过100年的数据保留

· 超过100万个写周期

· AEC-Q100合格

 

BR25H160-2C系列EEPROM典型应用:

· 通信领域

· 医疗领域

· 工业产品

· 车载消费品


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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全部评论(2

  • shakencity Lv7. 资深专家 2019-07-26
    学习学习
  • Captain Lv7. 资深专家 2018-10-29
    不错的EEPROM
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