【产品】16Kbit SPI 总线接口方式的串行EEPROM BR25H160-2C,待机功耗仅有0.1微安
BR25H160-2C系列产品是16Kbit SPI 总线接口方式的串行EEPROM。位格式为2Kx8,页面大小:32字节。共有四款产品,分别有着不同的封装,封装分别为SOP8,MSOP8,SOP-J8,TSSOP-B8,对应产品分别为BR25H160F-2C,BR25H160FVM-2C,BR25H160FJ-2C和BR25H160FVT-2C。体积小,重量轻,多样化的封装便于用户选择,适用于工业产品,车载娱乐等领域。
图一:BR25H160-2C系列EEPROM产品外观图
BR25H160-2C系列EEPROM具有高达10MHz(最大)的高速时钟,电压范围为2.5V至5.5V适合于电池使用,读和写操作时电流仅为1.0毫安,降低了系统功耗,待机时仅有0.1微安。用户可以快速的进行读和写操作,高效的完成需要的数据存储,较低的功耗可以将产品集成到较小的功耗系统中去,利于小功耗系统的兼容。
BR25H160-2C系列EEPROM还具有读操作地址自动增加的功能,这样可以减少主控代码的复杂性。有效的防止写错误的措施,例如开机时写禁止和防止低电压写入错误等,提高了存储器数据的可靠性。不同的封装有利于根据用户自身产品的需要进行适当的选择,超过100年的数据保留可以有效的保证用户数据长时间的存储。
特征
· 高达10MHz(最大)的高速时钟
· 通过HOLDB终端等待功能
· 部分或全部存储器阵列可按程序设置为只读存储器区域
· 2.5V至5.5V单电源操作最适合电池使用
· 页写入模式对于出厂时的初始值写入很有用
· 对于SPI总线接口(CPOL,CPHA)=(0,0),(1,1)
· 自定时编程周期
· 低电源电流
· 写操作(5V)时:1.0mA(典型值)
· 读操作(5V)时:1.0mA(典型值)
· 待机操作(5V):0.1μA(典型值)
· 读操作时的地址自动递增功能
· 防止写错误
· 开机时写禁止
· 通过命令代码写入禁止(WRDI)
· 通过WPB引脚禁止写入
· 通过状态寄存器(BP1,BP0)设置写禁止块
· 防止低电压写入错误
· MSOP8,TSSOP-B8,SOP8,SOP-J8封装
· 发送数据存储器阵列的数据:FFh,状态寄存器WPEN,BP1,BP0:0
· 超过100年的数据保留
· 超过100万个写周期
· AEC-Q100合格
BR25H160-2C系列EEPROM典型应用:
· 通信领域
· 医疗领域
· 工业产品
· 车载消费品
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