泰科天润将在2023(秋季)亚洲充电展分享碳化硅功率器件、6寸碳化硅晶圆及PD电源、工业电源等应用方案
2023(秋季)亚洲充电展将于2023年8月23日-25日(周三-周五)在深圳福田会展中心3号馆举办。
作为参展商,泰科天润将展出碳化硅功率器件、6寸碳化硅晶圆及PD电源、工业电源等应用案例/方案。本次展会还将展出SiC MOSFET、1700V0.5A SMA封装碳化硅二极管、IGBT混合单管等新品。
诚邀您莅临泰科天润展台(C72)交流参观。
新品预告
■1200V 80mΩ SiC MOSFET具有更低的导通电阻,更低的开关损耗,更高的开关频率,更高的工作温度,Vth典型值超过3V。应用场景:光伏、OBC、UPS及电机驱动等。
■650V60A混合单管(Si IGBT+SiC diode)可大幅降低IGBT的开关损耗,提高效率,降低温升。
■1700V0.5A SMA封装碳化硅二极管,适用于三相电源,储能,光伏等领域。可以减少在RCD电路上的损耗,提高效率,降低温升。
关于泰科天润
碳化硅功率器件制造与应用解决方案提供商
泰科天润半导体科技(北京)有限公司成立于2011年,是中国碳化硅(SiC)功率器件产业化的倡导者之一,致力于中国半导体功率器件制造产业的发展,并提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。总部坐落于北京,拥有湖南一条年产6万片/6英寸SiC半导体晶圆生产线,2023年底扩产至年产10万片。公司2023年年初北京8寸线动工,预计2025年实现年产10万片/8英寸SiC半导体晶圆。
泰科天润产品已经批量应用于PC电源、光伏逆变器、充电模块、OBC、DC-DC等领域。质量资质:ISO9001 / IATF16949 / RoHS / REACH/UL / DNV·GL / USCG / AEC-Q101等,产品质量完全可以比肩国际同行业的先进水平。
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型号- G3S06506D,GW3-S12050,G5S06505DT,G3S06506C,G3S06506A,G4S06508HT,G3S06550A,G5S12020B,G3S17020PP,G3S06510C,G3S06510D,G5S12020A,G3S12020A,G3S06506H,G3S06510A,G4S12020D,G3S12020B,GW1-S3300.6,G3S06510B,G5S12015P,GW3-S065100,G3S06505R,G3S06004J,G3S12003R,G5S06508AT,G5S06504AT,G5S06505CT,G3S06505C,G4S06515HT,G3S06505D,G5S12015A,G3S06505A,G3S12003A,G5S06510HT,G4S06515PT,G3S12003C,G5S12015L,G3S06505H,G3S12003H,G3S06504R,G5S06510PT,G3S06520L,G3S06520H,G5S12002R,GAS06540B,G3S06560B,G3506008J,G3S12002R,G3S06520P,G3S06504C,G3S06504A,G5S06508HT,G3S06516B,G5S06504HT,G3S12002A,G4S06515QT,G3S12002C,G3S06504H,G3S06520B,G3S12002D,G5S12010A,G5S06508PT,G3S06520A,G3S06504D,G3S12002H,G3S06503R,GWA-S06520,G3S06540PP,G3S065100P,G5S06506CT,G4S06508AT,GW3-S17050,G5S06505AT,G3S06503A,GW3-S12020,G3S12040PP,G5S06508QT,G3S06503H,G5S06504QT,G4S06510HT,G3S06503C,G3S06503D,G3S06530L,G5S12020H,GW3-S06550,G4S06510PT,G4S06515AT,G5S12020P,G5S06506DT,G3S06530P,G3S06502R,GW5-S12010,G3S06502A,G4S06510AT,GW3-S12010,G5S06505HT,G3S06502H,G3S17010A,GW5-S12015,G3S06530A,G3S06502D,G3S12040B,G3S06502C,GW3-S06520,G4S06510QT,G4S06508CT,G5S12008A,G5S06506AT,G3S17005P,GW3-S17010,GW5-S12002,G5S06510DT,G4S06515DT,GW3-S12002,GW3-S12003,GW3-S12005,GAS06520A,G3S17005C,GW5-S12008,G3S17005A,G3S12010H,GAS06520H,G3S06508R,G5S12010P,GAS06520D,G3S12010M,G3S17020B,GW3-S06530,G4S06508DT,G3S12010P,GAS06520P,G3S12010R,G3S12050P,GAS06520L,GW3-S33050,G4S06510CT,G5S06506HT,G5S06510AT,G3S06508D,GW3-S17005,G3S06508C,G5S12002C,G3S06508A,G5S12002A,G3S12030PP,G3S06540B,G5S12030B,G3S12010A,G3S12010B,G3S12010C,G3S12010D,G3S06508H,G3S06512B,GW1-S33001,GW1-S33002,G5S06510QT,G3S12005P,GW1-S33005,G3S06006J,G3S12005R,GW3-S06506,GW3-S06508,GW3-S06502,G3S06010J,GW3-S06503,GW3-S06504,G5S06508CT,GW3-S06505,GW5-S12020,G4S06510DT,G3S12005A,G3S17050P,G3S12005C,G3S12005D,G3S12005H,G3S06510M,GW3-S06510,G3S06506U,G3S06506R,G3S06510K,G3S06510L,G3S12020L,G3S06510H,G3S17010B,G3S17010P,G3S12020P,G3S06550P,G3S06510R,G5S06508DT,G3S06510P,G3S12020U
科普 | 碳化硅功率器件与光伏逆变器的未来
光伏发电是碳化硅器件除电动汽车以外的第二大应用领域。光伏逆变器作为光伏电站的转换设备,主要作用是将太阳电池组件产生的直流电转化为交流电。本文中SMC将为大家分析碳化硅功率器件与光伏逆变器的未来,希望对各位工程师朋友有所帮助。
中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势
为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求,中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装,具有开尔文源极,驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。
碳化硅功率器件在光伏逆变器的应用案例:可显著改善效率和功率密度
碳化硅功率器件的不断发展,为光伏逆变器的性能提升和成本优化带来了新的可能。碳化硅器件应用于大功率集成度要求高的场合,可显著改善微型逆变器效率和功率密度。本文SMC介绍碳化硅功率器件在光伏逆变器的应用案例。
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD,助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要,瞻芯电子开发2000V碳化硅(SiC)MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证,并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试,进入整机验证阶段。
【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行
现在光伏逆变器电压等级提升到1500V,如果选用单端反激拓扑,单管MOS耐压值需要超过3000V,因此建议采用双管反激方案,推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000,1700V高耐压,同时采用常用的TO247封装,可直接替换Si MOS使用。
【产品】1700V/3300V国产高压碳化硅肖特基二极管,可应用于光伏、轨道牵引等领域
国产泰科天润具有针对于高压应用领域的1700V/3300V电压等级产品。1700V碳化硅肖特基二极管产品型号齐全,也是同行中极少数可以批量供货3300V碳化硅产品的功率半导体器件厂商。泰科天润1700V产品对比同类产品VF约低8-10%,浪涌电流能力约高50-100%;文中3300V碳化硅二极管可针对特殊应用进行双面银芯片产品、高压二极管模组等特殊封装的定制服务。
碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等碳化硅功率器件用于变频空调等白色家电,具备更高的效率、开关频率
碳化硅技术带来了更高的效率,可以减少空调散热器的尺寸和热管理的成本。同时,更高的开关频率可以降低磁性元件的成本和尺寸,实现更高的功率密度。此外,低电磁干扰特性则可以降低电磁干扰滤波器的成本并解决电磁干扰的研发成本。
【产品】开关频率超100KHz的SiC三相逆变器模块
flow3xPHASE 0 SiC采用3x BUCK/BOOST拓扑结构,更高的效率和更低的发热量。
【应用】1200V/160mΩ的SiC MOSFET助力双向OBC小型化设计,可实现300KHz开关频率
本文推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO120E0160,耐压1200V,导通电阻160mΩ,助力双向OBC设计。可实现300KHz的开关频率,设计时可减小变压器体积,实现OBC小型化需求,此外产品本身具有高可靠性。
250W开关电源对碳化硅功率器件的需求正逐渐加大,碳化硅二极管KS10065-A的应用可提升电源效率
碳化硅二极管以其高效的导电性、耐高温和低能耗特点,在高频开关电源设计中显得尤其重要。相比于传统的硅二极管,森国科KS10065-A二极管能在更高的频率下工作,同时保持较低的热量输出,这直接提高了开关电源的效率和可靠性。
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可加工PCB板层数:1-20层,板材类型:双面板/多层板/FR4板/高频板/高精密板/高阶HDI板等,成品尺寸:10*10~60*55cm;板厚:0.5~5.0mm。
最小起订量: 1 提交需求>
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