【产品】栅源电压±30V的N沟道增强型高压功率MOSFET-MX7N65，栅极电荷低，适用于开关电源等产品

时间： 2023-02-10 来源：明芯微

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无锡明芯微推出的MX7N65 N沟道增强型高压功率MOSFET，具有低栅极电荷，高雪崩耐量以及较强dv/dt能力等特性。该产品漏源电压为650V，栅源电压±30V，最大脉冲电流为28A。其应用广泛，适用于开关电源、电子变压器、电子镇流器、锂电充电器以及其他高压转换产品。

主要特点

●7A650V，R_on=1.5Ω（max）

●创新高压技术

●低栅极电荷

●高雪崩耐量

●较强dv/dt能力

主要应用

●开关电源

●电子变压器

●电子镇流器

●锂电充电器

●其他高压转换产品

图 1

极限参数

表 1

电气参数

表 2

热阻特性

表 3

注释

①脉冲宽度：以最高结温为限制条件；

②初始结温为25°C，V_DD=50V，L=10mH，R_G=25Ω，I_AS=7.0A；

③脉冲测试：脉冲宽度小于等于300μs，占空比小于等于2%。

订购信息

表 4

TO-220F封装外形图

图 2

TO-263-2L封装外形

图 3

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明芯微（maxinmicro）芯片/理想二极管/高侧开关/比较器/控制器/电子保险丝选型指南

描述- 无锡明芯微电子有限公司是江苏省“双创”创新创业领军人才企业，是“滨湖之光“创业领军团队企业，无锡市雏鹰企业和无锡市专精特新企业，在无锡和上海有研发中心，是有专业的投资机构和多名有20多年经验的研发团队共同成立创建，研发团队成员来自德州仪器，前国家半导体，美信，昂宝等，专注于AC-DC 副边反激，原边反激，驱动芯片和保护器件的研发和销售。

型号- MX1313AS,MXPP8-30-1250,MX25924,MX8563EMA,MX8015,MX3085,MX8653,MX74610SS,MX1217E6,MX51712YB,MX1110T,MX25947ES,MX44273,MX3485,MX6875,MX6605Q,MX5014S,MX5069MS,MX27524ES,MX74700,MX7219T,MX8015DC,MX523L18BTE-A,MX10010,MX6288T,MX51728YB,MX16171T100,MX5134T,MX5015D22,MX1025D22,MX74610T,MX1210H,MX523L50BTE-A,MXPP6-3K6110,MX3485E,MX523LXX系列,MX1210E,MX523L18BTE-B,MX1112S,MX8563ESA,MX22917,MX3502,MX3501,MX1118AS,MX51718YB,MX16171D,MX25924D33,MX3502S,MX6505,MX5052S,MX1111S,MX2660,MX27524S,MX6501,MX51725YB,MX74610,MX51710YB,MX51733YB,MX3019C,MX5069,MX517LXX,MX1323AS,MX517LXX系列,MX27517,MX1217AS,MX1210P,MX5050T,MXPP8-30-1103,MX1020W,MX1210S,MX1210T,MX3501T23,MX1312AS,MX523L18BTE,MX51708YB,MX2734,MX5114T,MX22917T,MX25947,MX1025DFN,MX7N65F,MX523L33BTE,MX51730YB,MX7N65D,MX1020CSP,MX10010S,MX1112AS,MX51711YB,MX1310T,MX51715YB,MX5014D22,MX26631DL,MX523LXX,MX523L50BTE,MX75176,MX3085E,MX5069D,MX1218AS,MX523L33BTE-A,MX8563,MX523L33BTE-B,MX6501T,MX5114D,MX5114E

2024/5/9 - 明芯微 - 选型指南代理服务技术支持批量订货

无锡明芯微电子

描述- 无锡明芯微电子有限公司提供多种类型的电子产品，包括保护产品、高速驱动芯片、工业和汽车用芯片。其产品涵盖了电子保险丝、反激电源芯片、隔离电源芯片、清洁电器和消费电子等领域。产品选型表中详细列出了各种型号的产品特性，如封装类型、工作电压、电流限制、静态功耗等关键参数。此外，还介绍了GaN驱动芯片、ACDC转换SSR产品、同步整流产品、RS485/RTC时钟芯片、MOSFET等多种产品及其规格和应用场景。

型号- MX1313AS,MXPP8-30-1250,MX25924,MX8563EMA,MX8015,MX8653,MX74610SS,MX10T03AHT,MX1217E6,MX51712YB,MX1110T,MX25947ES,MX44273,MX3485,MX6875,MX6605Q,MX5014S,MX5069MS,MX27524ES,MX74700T,MX26631S,MX7219T,MX8015DC,MX523L18BTE-A,MX5052SL,MX10010,MX6288T,MX51728YB,MX16171T100,MX5134T,MX5015D22,MX1025D22,MX74610T,MX1210H,MX523L50BTE-A,MXPP6-3K6110,MX3485E,MX523LXX系列,MX1210E,MX523L18BTE-B,MX1112S,MX8563ESA,MX22917,MX3502,MX3501,MX5050TL10R25,MX1118AS,MX51718YB,MX16171D,MX25924D33,MX3502S,MX6505,MX5052S,MX1111S,MX2660,MX27524S,MX6501,MX4007ALR,MX51725YB,MX1210,MX74610,MX51710YB,MX51733YB,MX3019C,MX5069,MX5050L,MX517LXX,MX1323AS,MX517LXX系列,MX27517,MX1217AS,MX1210P,MX5050T,MXPP8-30-1103,MX1313,MX1020W,MX1210S,MX1210T,MX3501T23,MX1312AS,MX523L18BTE,MX51708YB,MX2734,MX5114T,MX22917T,MX25947,MX1025DFN,MX7N65F,MX523L33BTE,MX51730YB,MX7N65D,MX1020CSP,MX10010S,MX1112AS,MX51711YB,MX1310T,MX51715YB,MX5014D22,MX26631DL,MX523LXX,MX523L50BTE,MX75176,MX3085E,MX5069D,MX1218AS,MX523L33BTE-A,MX8563,MX523L33BTE-B,MX6501T,MX10T01AHTL,MX5114D,MX5114E

2024/8/6 - 明芯微 - 选型指南代理服务技术支持批量订货

HC3M0032120D SiC功率MOSFET N沟道增强模式

描述- 该资料介绍了华为阳电子有限公司生产的HC3M0032120D型碳化硅（SiC）增强型N通道功率MOSFET。该器件采用第三代SiC MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、快速体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、电动汽车驱动器、高压直流/直流转换器和开关电源等领域。

型号- HC3M0032120D

2023/12/18 - 华轩阳电子 - 数据手册代理服务技术支持批量订货

F4N60-ML 4.0A，600V N沟道功率MOSFET

描述- 该资料介绍了UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD生产的F4N60-ML型号N沟道增强型硅栅功率MOSFET。这款MOSFET适用于高压、高速电力开关应用，具有快速导通时间、低栅极电荷、低导通电阻和高鲁棒性雪崩特性。

型号- F4N60L-TM3-T,F4N60G-TF1-T,F4N60G-TF2-T,F4N60L-TN3-R,F4N60G-TM3-T,F4N60G-TN3-R,F4N60L-TF1-T,F4N60-ML,F4N60L-TF2-T

2021/10/6 - UTC - 数据手册代理服务技术支持批量订货

UK2996 MOSFET 600V硅N沟道功率MOSFET

描述- 该资料介绍了UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD生产的UK2996型号N沟道增强型场效应功率晶体管。适用于高压、高速开关应用，如电源供应、DC-DC转换器、继电器驱动和PWM电机驱动控制。

型号- K2996G-TF1-T,K2996G-TF2-T,2996G-TF3-T,UK2996L-TF1-T,UK2996L-TF3-T,UK2996L-TA3-T,UK2996G-TA3-T,UK2996L-TF2-T,UK2996

2018/01/15 - UTC - 数据手册代理服务技术支持批量订货

HC3M0016120D SiC功率MOSFET N沟道增强模式

描述- 该资料介绍了华为阳电子有限公司生产的HC3M0016120D型碳化硅（SiC）增强型N通道功率MOSFET。该器件采用第三代SiC MOSFET技术，具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换等特点，适用于太阳能逆变器、电动汽车驱动器、高压直流/直流转换器和开关电源等领域。

型号- HC3M0016120D

2023/12/18 - 华轩阳电子 - 数据手册代理服务技术支持批量订货

【产品】600V N沟道增强型功率MOSFET BSS127，采用SOT-23封装

丽正国际推出的BSS127是新一代N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面技术，可提供出色的高压特性和快速开关特性，使其非常适合小信号和电平转换应用。在环境温度为 25°C时，BSS127可以承受的漏源电压最大额定值为600V，栅源电压最大额定值为±20V，可以承受的漏极连续电流最大额定值为0.021A，结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境热阻为250℃/W。

2019-10-16 - 新产品代理服务技术支持批量订货

MSH100170M1 1700V碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式

描述- 本资料介绍了MSH100170M1型1700V硅碳化物功率MOSFET的特性、电学特性、热特性、封装尺寸和应用领域。该器件适用于太阳能逆变器、开关电源、高压直流/直流转换器、电池充电器、电机驱动器和脉冲功率应用。

型号- MSH100170M1

oct. 2021 - 美浦森 - 数据手册 - Rev1.1 代理服务技术支持批量订货

HC2M0040120D SiC功率MOSFET N沟道增强模式

描述- 该资料介绍了华为阳电子有限公司生产的HC2M0040120D型碳化硅（SiC）增强型N通道功率MOSFET。产品具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性，适用于太阳能逆变器、开关电源、高压直流/直流转换器、电池充电器、电机驱动器和脉冲功率应用。

型号- HC2M0040120D

2023/12/18 - 华轩阳电子 - 数据手册代理服务技术支持批量订货查看更多版本

CS2M1000170J 1700V N 沟道增强型碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管 (CS2M1000170J 1700V N-Channel Enhancement Mode Silicon Carbide Power MOSFET)

描述- 该资料介绍了ChipNobo Co., Ltd生产的1700V N-Channel Enhancement Mode Silicon Carbide Power MOSFET（碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管）。产品具备高耐压、低导通内阻等特点，适用于辅助电源、开关式电源供应器和高压电容性负载等领域。

型号- CS2M1000170J

无边界 - 数据手册代理服务技术支持批量订货