【产品】栅源电压±30V的N沟道增强型高压功率MOSFET-MX7N65，栅极电荷低，适用于开关电源等产品

时间： 2023-02-10 来源：明芯微

技术问答

无锡明芯微推出的MX7N65 N沟道增强型高压功率MOSFET，具有低栅极电荷，高雪崩耐量以及较强dv/dt能力等特性。该产品漏源电压为650V，栅源电压±30V，最大脉冲电流为28A。其应用广泛，适用于开关电源、电子变压器、电子镇流器、锂电充电器以及其他高压转换产品。

主要特点

●7A650V，R_on=1.5Ω（max）

●创新高压技术

●低栅极电荷

●高雪崩耐量

●较强dv/dt能力

主要应用

●开关电源

●电子变压器

●电子镇流器

●锂电充电器

●其他高压转换产品

图 1

极限参数

表 1

电气参数

表 2

热阻特性

表 3

注释

①脉冲宽度：以最高结温为限制条件；

②初始结温为25°C，V_DD=50V，L=10mH，R_G=25Ω，I_AS=7.0A；

③脉冲测试：脉冲宽度小于等于300μs，占空比小于等于2%。

订购信息

表 4

TO-220F封装外形图

图 2

TO-263-2L封装外形

图 3

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明芯微（maxinmicro）芯片/理想二极管/高侧开关/比较器/控制器/电子保险丝选型指南

描述- 无锡明芯微电子有限公司是江苏省“双创”创新创业领军人才企业，是“滨湖之光“创业领军团队企业，无锡市雏鹰企业和无锡市专精特新企业，在无锡和上海有研发中心，是有专业的投资机构和多名有20多年经验的研发团队共同成立创建，研发团队成员来自德州仪器，前国家半导体，美信，昂宝等，专注于AC-DC 副边反激，原边反激，驱动芯片和保护器件的研发和销售。

型号- MX1313AS,MXPP8-30-1250,MX25924,MX8563EMA,MX8015,MX3085,MX8653,MX74610SS,MX1217E6,MX51712YB,MX1110T,MX25947ES,MX44273,MX3485,MX6875,MX6605Q,MX5014S,MX5069MS,MX27524ES,MX74700,MX7219T,MX8015DC,MX523L18BTE-A,MX10010,MX6288T,MX51728YB,MX16171T100,MX5134T,MX5015D22,MX1025D22,MX74610T,MX1210H,MX523L50BTE-A,MXPP6-3K6110,MX3485E,MX523LXX系列,MX1210E,MX523L18BTE-B,MX1112S,MX8563ESA,MX22917,MX3502,MX3501,MX1118AS,MX51718YB,MX16171D,MX25924D33,MX3502S,MX6505,MX5052S,MX1111S,MX2660,MX27524S,MX6501,MX51725YB,MX74610,MX51710YB,MX51733YB,MX3019C,MX5069,MX517LXX,MX1323AS,MX517LXX系列,MX27517,MX1217AS,MX1210P,MX5050T,MXPP8-30-1103,MX1020W,MX1210S,MX1210T,MX3501T23,MX1312AS,MX523L18BTE,MX51708YB,MX2734,MX5114T,MX22917T,MX25947,MX1025DFN,MX7N65F,MX523L33BTE,MX51730YB,MX7N65D,MX1020CSP,MX10010S,MX1112AS,MX51711YB,MX1310T,MX51715YB,MX5014D22,MX26631DL,MX523LXX,MX523L50BTE,MX75176,MX3085E,MX5069D,MX1218AS,MX523L33BTE-A,MX8563,MX523L33BTE-B,MX6501T,MX5114D,MX5114E

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无锡明芯微电子

型号- MX1313AS,MXPP8-30-1250,MX25924,MX8563EMA,MX8015,MX8653,MX74610SS,MX10T03AHT,MX1217E6,MX51712YB,MX1110T,MX25947ES,MX44273,MX3485,MX6875,MX6605Q,MX5014S,MX5069MS,MX27524ES,MX74700T,MX26631S,MX7219T,MX8015DC,MX523L18BTE-A,MX5052SL,MX10010,MX6288T,MX51728YB,MX16171T100,MX5134T,MX5015D22,MX1025D22,MX74610T,MX1210H,MX523L50BTE-A,MXPP6-3K6110,MX3485E,MX523LXX系列,MX1210E,MX523L18BTE-B,MX1112S,MX8563ESA,MX22917,MX3502,MX3501,MX5050TL10R25,MX1118AS,MX51718YB,MX16171D,MX25924D33,MX3502S,MX6505,MX5052S,MX1111S,MX2660,MX27524S,MX6501,MX4007ALR,MX51725YB,MX1210,MX74610,MX51710YB,MX51733YB,MX3019C,MX5069,MX5050L,MX517LXX,MX1323AS,MX517LXX系列,MX27517,MX1217AS,MX1210P,MX5050T,MXPP8-30-1103,MX1313,MX1020W,MX1210S,MX1210T,MX3501T23,MX1312AS,MX523L18BTE,MX51708YB,MX2734,MX5114T,MX22917T,MX25947,MX1025DFN,MX7N65F,MX523L33BTE,MX51730YB,MX7N65D,MX1020CSP,MX10010S,MX1112AS,MX51711YB,MX1310T,MX51715YB,MX5014D22,MX26631DL,MX523LXX,MX523L50BTE,MX75176,MX3085E,MX5069D,MX1218AS,MX523L33BTE-A,MX8563,MX523L33BTE-B,MX6501T,MX10T01AHTL,MX5114D,MX5114E

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MX7N65N沟道增强型高压功率MOSFET

型号- MX7N65F,MX7N65,MX7N65D

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【产品】600V N沟道增强型功率MOSFET BSS127，采用SOT-23封装

丽正国际推出的BSS127是新一代N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的平面技术，可提供出色的高压特性和快速开关特性，使其非常适合小信号和电平转换应用。在环境温度为 25°C时，BSS127可以承受的漏源电压最大额定值为600V，栅源电压最大额定值为±20V，可以承受的漏极连续电流最大额定值为0.021A，结温和储存温度范围为-55~150℃，结到环境热阻为250℃/W。

新产品发布时间 : 2019-10-16

【产品】福斯特半导体推出的N沟道增强型高压功率MOSFET FIR20NS65AFG，漏源电压最大额定值高达650V

器件概述FIR20NS65AFG是福斯特半导体推出的一款采用Silan的DP MOS技术研发的N沟道增强型高压功率MOSFET。该器件实现了低导通损耗和低开关损耗特性，为设计工程师提供了一款具有高效率、高功率密度和优异热性能的功率转换器。

产品发布时间 : 2023-03-24

【产品】福斯特半导体推出的N沟道增强型高压功率MOSFET FIR11NS70AFG，漏源电压最大额定值高达700V

FIR11NS70AFG是福斯特半导体推出的一款采用Silan的DP MOS技术研发的N沟道增强型高压功率MOSFET。该器件实现了低导通损耗和低开关损耗特性，为设计工程师提供了一款具有高效率、高功率密度和优异热性能的功率转换器。

产品发布时间 : 2023-03-29

【产品】最大额定漏极电流达7A的功率MOSFET FIR7NS65AFG，具有增强型的雪崩特性

FIR7NS65AFG是福斯特半导体推出的一款采用DP MOS技术研发的N沟道增强型高压功率MOSFET。该器件实现了低导通损耗和低开关损耗特性，为设计工程师提供了一款具有高效率、高功率密度和优异热性能的功率转换器。

产品发布时间 : 2023-03-25

【产品】漏极连续电流可达36A的N沟道增强型碳化硅MOSFET裸片CPM3-1000-0065B，反向恢复时间仅14ns

Wolfspeed推出的碳化硅功率MOSFET裸片CPM3-1000-0065B，该器件为N沟道增强型MOSFET，设计上采用了该公司独特的C3MTMMOSFET技术。此款产品具有低导通电阻和高阻断电压的特点，易于驱动。且具有较高的电气安全性，低电容特性。实物轮廓如图1所示，可用于太阳能逆变器，EV电池充电器，高压DC/DC转换器以及开关电源。

新产品发布时间 : 2018-11-19

【应用】无锡明芯微理想二极管控制器MX5050T/16171D用于防反接防电流倒灌，静态功耗仅50μA

无锡明芯微的MX5050T和MX16171D是针对此汽车电源系统应用开发的高边Oring控制器：在电源上电的瞬间通过NMOS的体二极管导通，当电压到达VSD(REG)20mv时候NMOS完全导通，当被反接了或者输入Vin＜Ｖout时关断。

应用方案发布时间 : 2022-10-21

明芯微电源管理芯片选型表

无锡明芯微高边开关、低边驱动、理想二极管、E-Fuse、负载开关、氮化镓驱动、激光雷达驱动、SSR、PSR选型表。理想二极管：1-50v 理想二极管，内置10毫欧FET；E-fuse：30毫欧内阻 E-Fuse，外部分压电阻过压保护；高速比较器：4ns双通道高速比较器；负载开关：100毫欧，2.5A，1-5V负载开关；低边驱动：单、双通道，低边驱动，耐压20V，MSOP8小封装；SSR：大功率副边反激控制器，满载65Khz，准谐振，外部过温保护自恢复。

产品型号	品类	描述	开关频率(Khz)	导通特性	模式
MX1210T	反激芯片SSR	大功率副边反激控制器，满载65Khz，准谐振，外部过压过温输入欠压保护自锁	65Khz	准谐振	Burst mode

选型表 - 明芯微立即选型

采用明芯微高边开关MX74502D23的具有高侧控制的低功率Oring电路分析

在Oring的应用电路中，有一种应用场景，无论电池电压高于或者低于充电器电压，都希望电池处于待机状态，优先充电器供电，并且要求电池的静态功耗足够低，甚至是小于10μA，当充电器不存在的时候，电池开始供电，并且要求充电头不带电。本文介绍了采用无锡明芯微超低静态功耗的高边开关MX74502D23和集成功率MOSFET的理性二极管的案例，满足该应用需求。

应用方案发布时间 : 2024-11-01