【产品】漏源电压100V，漏极电流45A的N沟道增强型场效应管YJD45G10A，采用TO-252封装
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJD45G10A，采用TO-252封装，漏源电压最大额定值为100V，栅源电压最大额定值为±20V。在Tc= 25℃条件下，器件的漏极电流最大额定值可达45A，脉冲漏极电流最大额定值180A。总耗散功率最大额定值仅为72W，主要用于电源开关应用、硬开关和高频电路及不间断电源等领域。
图1 产品实物图
此外，YJD45G10A实现了低导通电阻RDS（ON），静态漏源导通电阻不超过17mΩ（VGS=10V）。器件的结壳热阻（稳态）最大额定值为1.7℃/W，散热性能优异。结温和存储温度范围均为-55~+150℃，耐高/低温性能出色。产品具有极低开关损耗和优良的稳定性及均匀性，经过了100％UIS测试。
产品概要
●VDS 最大100V
●ID 最大45A
●RDS（ON）（VGS = 10V时）＜17 mohm
●RDS(ON)( VGS=4.5V) ＜21.5 mohm
●经过100％UIS测试
●已通过100％▽VDS测试
●低RDS(on) & FOM
●极低开关损耗
●优良的稳定性和均匀性
●快速开关和软恢复
应用领域：
●电源开关应用
●硬开关和高频电路
●不间断电源
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