【产品】漏源电压100V，漏极电流45A的N沟道增强型场效应管YJD45G10A，采用TO-252封装
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJD45G10A，采用TO-252封装，漏源电压最大额定值为100V，栅源电压最大额定值为±20V。在Tc= 25℃条件下，器件的漏极电流最大额定值可达45A，脉冲漏极电流最大额定值180A。总耗散功率最大额定值仅为72W，主要用于电源开关应用、硬开关和高频电路及不间断电源等领域。
图1 产品实物图
此外，YJD45G10A实现了低导通电阻RDS（ON），静态漏源导通电阻不超过17mΩ（VGS=10V）。器件的结壳热阻（稳态）最大额定值为1.7℃/W，散热性能优异。结温和存储温度范围均为-55~+150℃，耐高/低温性能出色。产品具有极低开关损耗和优良的稳定性及均匀性，经过了100％UIS测试。
产品概要
●VDS 最大100V
●ID 最大45A
●RDS（ON）（VGS = 10V时）＜17 mohm
●RDS(ON)( VGS=4.5V) ＜21.5 mohm
●经过100％UIS测试
●已通过100％▽VDS测试
●低RDS(on) & FOM
●极低开关损耗
●优良的稳定性和均匀性
●快速开关和软恢复
应用领域：
●电源开关应用
●硬开关和高频电路
●不间断电源
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扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
|
Status
|
ESD
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Configuration
|
Type
|
VDSS(V)
|
ID(A)
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PD(W)
|
VGS(V)
|
Tj(℃）
|
Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
|
Coss_Typ(pF)
|
Crss_Typ(pF)
|
Qg_Typ(nC)
|
Grade
|
|
2N7002
|
MOSFET
|
SOT-23
|
Active
|
No
|
Single
|
N
|
60
|
0.34
|
0.35
|
±20
|
150
|
1.5
|
1200
|
2500
|
1300
|
3000
|
27.5
|
2.75
|
1.9
|
1.6
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Standard
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电子商城
现货市场
服务
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