【产品】集成FET mixer、LO和RF低噪声放大器的下变频器,工作频率12~16GHz

2018-12-24 UMS
射频混频器,多功能单片接收器,pHEMT工艺下变频器下变频器,CHR3763-QDG 射频混频器,多功能单片接收器,pHEMT工艺下变频器下变频器,CHR3763-QDG 射频混频器,多功能单片接收器,pHEMT工艺下变频器下变频器,CHR3763-QDG 射频混频器,多功能单片接收器,pHEMT工艺下变频器下变频器,CHR3763-QDG

CHR3763-QDGUMS(United Monolithic Semiconductors)推出的一款多功能单片接收器其封装示意图如图1所示。它集成了平衡冷FET混频器、LO缓冲器和RF低噪声放大器。CHR3763-QDG是以芯片形式提供产品的,其电路采用pHEMT工艺制造,栅极长度为0.25μm,采用符合RoHS标准的SMD封装。


CHR3763-QDG的RF频率范围为12~16GHz,LO频率范围为8.5~19.5GHz,IF频率范围是DC~3.5GHz;具有12dB(典型值)的转换增益,以及2.3dB(典型值)的噪声系数;其混频器DC栅极电压的典型值为-1V,总漏极电流的典型值为80mA。


 

1 CHR3763-QDG封装图


CHR3763-QDG射频混频器的漏极偏置电压为3.5V,漏极偏置电流为120mA,最大LO输入功率为+10dBm。此外,器件的工作温度为-40°C~85°C,而它的存储温度范围在-55°C~150°C,操作结温为175°C,可以在较为恶劣的环境中继续工作。CHR3763-QDG的直流原理图如图2和图3所示。


2 CHR3763-QDG的LNA直流原理图:3V,45mA

图3 CHR3763-QDG的LO缓冲区直流原理图:3V,35mA


CHR3763-QDG射频混频器主要特点

·宽带RF性能:12-16GHz

·12dB转换增益

·2.3dB噪声系数

·直流偏置:Vd = 3.0V@Id=80mA

·24引脚的QFN封装,尺寸为4mmx4mm

 

CHR3763-QDG射频混频器典型应用

·光纤传输

·广播电视设备

·专网通信设备


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