【产品】P沟道场效应管和低压肖特基二极管CMLM0584,适用于便携式设备电池供电
世界顶级分立半导体制作商Central Semi (美国中央半导体公司)推出的CMLM0584系列P沟道场效应管(MOSFET)和低压肖特基二极管,是一个多分立模块、由单个低rDS(on)的P沟道增强型场效应晶体管和一个低VF的肖特基二极管组成,采用SOT-563表面封装,具有节省空间的优点。产品主要应用于以小尺寸和操作效率为主要考虑因素的小信号应用领域中,尤适用于电池供电的便携式设备和DC/DC变换器。
TA=25℃时,CMLM0584系列P沟道场效应管和低压肖特基二极管的最大额定参数如下:
CMLM0584系列P沟道场效应管和低压肖特基二极管的电子特性如下:
CMLM0584系列P沟道场效应管和低压肖特基二极管机械尺寸:
CMLM0584系列P沟道场效应管和低压肖特基二极管突出特点与优势
·低VF肖特基二极管(电流为0.5A时,VF仅为0.47V)
·ESD保护最高可达2kV
·低rDS(on)晶体管(VGS=2.5V时,rDS(on)最大仅为1.5Ω)
·表面安装
CMLM0584系列P沟道场效应管和低压肖特基二极管应用领域
·电池供电的便携式设备
·DC/DC变换器
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由YXY翻译自CENTRAL,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】40V/6A的增强模式P沟道MOSFET管芯CP771,饱和导通内阻48mΩ
Central Semiconductor公司推出了一款增强模式P沟道MOSFET管芯CP771,其漏源电压为40V,栅源电压为25V,稳态连续漏源电流为6A,tp =10μs测试条件下最大脉冲漏源电流可达到20A,可以避免浪涌电流造成器件的损坏。增强模式P沟道MOSFET管芯CP771的饱和栅源电流100nA,饱和漏源电流最大1uA,栅源导通电压范围为1V~3V, 其饱和导通内阻只有48mΩ。
【产品】SOT-23S封装,P沟道MOSFET AM2311,导通电阻低至 110mΩ
AM2311是AiT公司推出的P沟道增强型MOSFET,导通电阻低;在25℃的环境温度下,可以承受-16V的极限漏源电压、±8V的极限栅源电压以及-3A的极限漏极连续电流,可应用于电源管理,便携式设备和电池供电系统中。
【产品】拥有0.15Ω低导通电阻的增强型P沟道MOSFET,阈值电压最大为0.85V
CMLDM8120TG是CENTRAL半导体公司推出的一款增强型P沟道MOSFET,其具有较低的rDS(ON),阈值电压最大值为0.85V。该产品采用P沟道DMOS工艺制造,专为高速脉冲放大器和驱动器应用而设计。
【产品】采用SOP-8塑封封装的无卤P沟道场效应管BRCS150P04SC,V-DS为-40V
蓝箭电子推出的BRCS150P04SC是一款采用SOP-8塑封封装的P沟道场效应管,VDS(V)=-40V,用于电源管理,便携式设备和电池供电系统。
电子商城
品牌:Central Semiconductor
品类:MOSFET and Schottky Diode or Rectifier
价格:
现货: 0
现货市场
服务
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。
最小起订量: 3000 提交需求>
可定制板装式压力传感器支持产品量程从5inch水柱到100 psi气压;数字输出压力传感器压力范围0.5~60inH2O,温度补偿范围-20~85ºС;模拟和数字低压传感器可以直接与微控制器通信,具备多种小型SIP和DIP封装可选择。
提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论