【产品】集成GaN FET驱动的高频高性能准谐振模式电流型PWM控制器KP2206，待机功耗＜30mW

主要特点

• 集成GaN FET驱动和驱动调节功能

• 集成700V高压启动和X电容放电功能

• 超低启动和工作电流，待机功耗<30mW

• 谷底锁定模式，最高工作频率三档可调 (500kHz，300kHz，140kHz)

• 超宽VDD供电范围9V-112V

• 集成EMI优化技术

• 封装类型SSOP-10

• 集成自恢复模式的保护功能:

• VDD 过压/欠压保护 (VDD OVP/UVLO)

• 输出过压保护 (OVP)

• 输入过压/欠压保护 (LOVP/BOP)

• 片内过热保护 (OTP)

• 逐周期电流限制 (OCP)

• 输出电流过流保护 (SOCP)

• 过载保护 (OLP)

• 异常过流保护 (AOCP)

• CS管脚开路保护

典型应用

• 快速充电器和适配器

典型应用电路

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产品型号	品类	封装	拓扑电路	最大功率(W)	工作模式	最高频率(kHz)	输出特性	启动方式	能效标准	待机功耗(mW)	VDDmax(V)
KP212	PSR 控制器	SOT23-6	Buck/Flyback	65	DCM	70	CC&CV	电阻启动	六级	<75	30

选型表 - 必易微立即选型

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