【产品】英诺赛科推出的650V硅上氮化镓增强型功率晶体管，采用双平面无引线封装（DFN），尺寸为8mm×8mm

时间： 2023-05-01 来源：英诺赛科

技术问答

英诺赛科推出的650V硅上氮化镓增强型功率晶体管，双平面无引线封装（DFN），尺寸为8mm×8mm。支持超高开关频率，并且具有无反向恢复电荷，低栅极电荷，低输出电荷的优点，符合JEDEC标准的工业应用资格。

■特征：
●增强型晶体管常闭电源开关
●超高开关频率
●无反向恢复电荷
●低栅极电荷，低输出电荷
●符合JEDEC标准的工业应用资格
●ESD防护
●RoHS，无铅，符合REACH

应用：

●AC-DC转换器

●DC-DC转换器

●图腾柱PFC

●电池快速充电器

●高密度功率转换

●高效功率转换

关键性能参数（Tj=25℃）

引脚信息：

表2 引脚信息

表3 订购信息

最大额定值

在Tj=25℃，除非另有说明。超过最大额定值可能会破坏该设备。欲了解更多信息，请联系英诺赛科销售办事处。

表4最大额定值

V_DS，_transient用于非重复事件，t_PULSE<200µs。
V_DS，_pulse用于重复脉冲，t_PULSE<100ns。
极限值是从特性测试中获取的，不是在生产过程中测量的。
最小V_GS由ESD保护电路钳位，如图10所示。

电气特性（Tj=25℃，除非另有说明）

静态特性

动态特性

1.CO（er）是当VDS从0上升到400V时，提供与COSS相同的存储能量的固定电容。

2.CO（tr）是当VDS从0上升到400V时，提供与COSS相同的充电时间的固定电容。

栅极电荷特性

反向导通特性

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