【产品】英诺赛科推出的650V硅上氮化镓增强型功率晶体管，采用双平面无引线封装（DFN），尺寸为8mm×8mm
英诺赛科推出的650V硅上氮化镓增强型功率晶体管，双平面无引线封装（DFN），尺寸为8mm×8mm。支持超高开关频率，并且具有无反向恢复电荷，低栅极电荷，低输出电荷的优点，符合JEDEC标准的工业应用资格。
■特征：
●增强型晶体管常闭电源开关
●超高开关频率
●无反向恢复电荷
●低栅极电荷，低输出电荷
●符合JEDEC标准的工业应用资格
●ESD防护
●RoHS，无铅，符合REACH
应用：
●AC-DC转换器
●DC-DC转换器
●图腾柱PFC
●电池快速充电器
●高密度功率转换
●高效功率转换
关键性能参数（Tj=25℃）
引脚信息：
表2 引脚信息
表3 订购信息
最大额定值
在Tj=25℃，除非另有说明。超过最大额定值可能会破坏该设备。欲了解更多信息，请联系英诺赛科销售办事处。
表4最大额定值
VDS，transient用于非重复事件，tPULSE<200µs。
VDS，pulse用于重复脉冲，tPULSE<100ns。
极限值是从特性测试中获取的，不是在生产过程中测量的。
最小VGS由ESD保护电路钳位，如图10所示。
电气特性（Tj=25℃，除非另有说明）
静态特性
动态特性
1.CO（er）是当VDS从0上升到400V时，提供与COSS相同的存储能量的固定电容。
2.CO（tr）是当VDS从0上升到400V时，提供与COSS相同的充电时间的固定电容。
栅极电荷特性
反向导通特性
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