NCP347MTAITBG
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NCP347-正过压保护控制器，内置NMOS FET上的低电阻和状态标志
NCP347是一款内置低RDS(on) NMOS FET和状态标志的正压过压保护控制器。它能够检测到错误的输入操作条件时断开系统输出，保护系统免受正压过压，最高可达+28V。该设备使用内部NMOS，无需外部设备，从而降低了系统成本和PCB面积。
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NCP347正过压保护控制器，内置低导通电阻NMOS FET和状态标志
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广告 发布时间 : 2025-03-03
NCP347正过压保护控制器，内置低导通电阻NMOS FET和状态标志数据手册
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NCP347正过压保护控制器
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带有内部低RON NMOS FET和状态标志的NCP347正过压保护控制器
NCP347是一款内置低RDS(on) NMOS FET和状态标志的过压保护控制器，能够检测并断开系统输出，以防止输入操作条件错误。该器件提供正电压保护，最高可达+28V，并具有过压锁定（OVLO）和欠压锁定（UVLO）功能。NCP347适用于手机、摄像头、数码相机和个人数字应用等。
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材料成分声明NCP347MTAETXG
本资料为一份关于元器件的声明文件，详细列出了制造商列出的物品中所含有的物质。文件包括物质清单、RoHS合规性声明、材料组成、环境信息等。声明中涵盖了所有制造商负责的较低级别材料，并提供了与欧洲联盟成员国实施RoHS指令相关的合规性信息。
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NCP347MTAETBG/NCP347MTAFTBG 过电压保护电路，带内部低导通电阻 NMOS FET 和状态标志
NCP347是一款能够在检测到错误输入运行情况时将系统从输出引脚断开的保护电路。其核心特性包括正向过电压保护（最高+28V），内置低导通电阻功率NMOS晶体管（65 mΩ），过电压锁定（OVLO）和欠电压锁定（UVLO）。此外，该器件具有内部50毫秒启动延迟，警报FLAG(BAR)输出以及关机EN(BAR)输入功能。在发生故障时，NCP347能够通过负向转换标志(FLAG(BAR))输出警告系统。同时，当使用1.0 µF或更大电容器进行旁路联接时，该器件还具备ESD保护输入（15 kV Air）。此产品适用于手机、相机手机、数码静态相机、个人数字应用和MP3播放器等领域。封装形式为WDFN-10，工作温度范围为-40°C至85°C。
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NCP347MTAHTBG材料成分声明
本资料为Onsemi公司关于其产品中物质声明的文件，包括产品编号、材料成分、环保法规符合性等信息。文件详细列出了产品中使用的材料，如硅、环氧树脂、碳黑等，并声明产品符合RoHS指令，不含有害物质。此外，文件还提供了产品的安全信息，如最高工作温度、焊接时间等。
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安森美过电压保护电路FAN3988系列型号产品介绍
安森美的过电压保护电路系列，例如FAN3988、FAN3989和NCP346等型号，专为充电电路和USB接口提供全面的电压与电池保护功能。这些产品广泛应用于消费电子、工业设备及汽车电子等领域，确保系统在异常电压情况下的稳定性和安全性。核心参数包括工作电压范围（如2.7V至20V）、最大功耗（如20W）、典型阈值电压（如3.3V）以及工作温度范围（-40°C至85°C）。封装形式多样，涵盖SIP-6、TSOP-5/SOT-23-5、WDFN-8等小型化设计，满足不同应用场合的需求。其优势在于低静态电流、快速响应时间以及高可靠性，能够有效防止过压和过流对设备造成的损害。
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NCP347：带内部低Ron NMOS FET和状态标志的正过电压保护电路
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