【产品】具有快速开关特性的N沟道功率MOSFET AP0603Q，无卤素，栅源电压±20V
铨力半导体推出的一款N沟道功率MOSFET AP0603Q，提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。该产品采用的DFN 3*3封装是商业、工业表面贴装应用的广泛首选，适用于DC/DC转换器等低压应用。
产品外观和示意图
特点：
● 较低的栅极电荷
● 驱动要求简单
● 快速开关特性
● 符合RoHS标准且无卤素
绝对最大额定值参数（Tj=25℃，除非另有说明）:
热数据：
电气特性（Tj=25℃，除非另有说明）:
注：
脉冲宽度受最大结温限制
脉冲测试
表面安装在FR4板的1 in2铜垫上，t≤10sec；安装在最小铜垫上时为125℃/W
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可来图定制均温板VC尺寸50*50mm~600*600 mm，厚度1mm~10mm，最薄0.3mm。当量导热系数可达10000W/M·K，散热量可达10KW, 功率密度可达50W/cm²。项目单次采购额需满足1万元以上，或年需求5万元以上。
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