规格参数
订货型号 | NSI6601MC-DSPR |
品牌 | 纳芯微电子 |
型号系列 | NSi6601M |
品类 | Gate Driver |
描述/说明 | The NSi6601M is a single-channel isolated gate driver designed to drive IGBTs, power MOSFETs and SiC MOSFETs in many applications. |
封装/外壳/尺寸 | SOP8 |
最小包装量 | 2,500 |
包装形式 | |
生命周期 | 有效(ACTIVE) |
停产时间 | |
Isolation Rating(kV) | 3kV |
UVLO Level | 12V |
MSL | 3 |
AEC-Q100 | NO |
Input side supply voltage(V) | 3.1V to 17V |
Minimum CMTI(kV/us) | ±150kV/us |
Package Type | SOP8(150 mil) |
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纳芯微电子的NSI6601MC-DSPR,在世强硬创平台上提供研发和采购服务。 世强硬创平台提供NSI6601MC-DSPR的在线购买等服务。 NSI6601MC-DSPR的简介:Gate Driver The NSi6601M is a single-channel isolated gate driver designed to drive IGBTs, power MOSFETs and SiC MOSFETs in many applications.。你可以在世强硬创平台下载NSI6601MC-DSPR的技术资料、数据手册,原理图 、PCB封装库文件和3D模型。