规格参数
订货型号 | NSI6602A-Q1SWKR |
品牌 | 纳芯微电子 |
型号系列 | NSi6602-Q1 |
品类 | Gate Driver |
描述/说明 | NSI6602 is a family of high reliability isolated dual-channel gate driver ICs which can be designed to drive power transistor up to 2MHz switching frequency. |
封装/外壳/尺寸 | SOW14 |
最小包装量 | 1,000 |
包装形式 | |
生命周期 | 有效(ACTIVE) |
停产时间 | |
Isolation Rating | 5.7kVRMS |
UVLO Level(V) | 6V |
MSL | 2 |
Inputside supply voltage(V) | 2.7V to 5.5V |
Minimum CMTI(kV/us) | ±150kV/us |
AEC- Q100 | YES |
Temperature | -40℃~125℃ |
Package Type | SOP14(300mil) |
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商品标签 |
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纳芯微电子的NSI6602A-Q1SWKR,在世强硬创平台上提供研发和采购服务。 世强硬创平台提供NSI6602A-Q1SWKR的在线购买等服务。 NSI6602A-Q1SWKR的简介:Gate Driver NSI6602 is a family of high reliability isolated dual-channel gate driver ICs which can be designed to drive power transistor up to 2MHz switching frequency.。你可以在世强硬创平台下载NSI6602A-Q1SWKR的技术资料、数据手册,原理图 、PCB封装库文件和3D模型。