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库存处理规格参数
| 订货型号 | NSI6601B-DSWVR |
| 品牌 | 纳芯微电子 |
| 型号系列 | NSi6601 |
| 品类 | Isolated Gate Driver |
| 描述/说明 | The NSi6601 is a single-channel isolated gate driver designed to drive IGBTs,power MOSFETs and SiC MOSFETs in many applications. |
| 封装/外壳/尺寸 | SOW8 |
| 最小包装量 | 1,000 |
| 包装形式 | |
| 生命周期 | 有效(ACTIVE) |
| 停产时间 | |
| Isolation Rating | 5kV |
| UVLO Level（V） | 9V |
| MSL | 3 |
| Inputside supply voltage(V) | 3.1V to 17V |
| Minimum CMTI(kV/us) | ±150kV/us |
| AEC- Q100 | NO |
| Temperature | -40℃~125℃ |
| Package Type | SOP8(300 mil) |
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| 商品标签 |
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纳芯微电子的NSI6601B-DSWVR，在世强硬创平台上提供研发和采购服务。 世强硬创平台提供NSI6601B-DSWVR的在线购买等服务。 NSI6601B-DSWVR的简介：Isolated Gate Driver The NSi6601 is a single-channel isolated gate driver designed to drive IGBTs,power MOSFETs and SiC MOSFETs in many applications.。你可以在世强硬创平台下载NSI6601B-DSWVR的技术资料、数据手册，原理图 、PCB封装库文件和3D模型。
