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规格参数
订货型号 | RM2003 |
品牌 | 丽正国际 |
型号系列 | RM200 |
品类 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET |
描述/说明 | N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET;Vdss(V)=20;ID(TA=25℃)(A)=3;Rds-on(typ)(mOhms)=36;Total Gate Charge(typ)=2.9;Maximum Power Dissipation(W)=0.8;Vgs(th)(typ)=0.75;Input Capacitance(Ciss)(pF)=260 |
封装/外壳/尺寸 | SOT-23-6L |
最小包装量 | 3,000 |
包装形式 | |
生命周期 | 有效(ACTIVE) |
停产时间 | |
Vdss(V) | 20 |
ID(TA=25℃)(A) | 3 |
Rds-on(typ)(mOhms) | 36 |
Total Gate Charge(typ) | 2.9 |
Maximum Power Dissipation(W) | 0.8 |
Vgs(th)(typ) | 0.75 |
Input Capacitance(Ciss)(pF) | 260 |
授权代理商 | 世强先进(深圳)科技股份有限公司 |
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现货采购 | 世强硬创平台世强仓 3,000(当天发货) |
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商品标签 | 授权代理, 一支起订, 世强自营, 原厂认证 |
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技术问答
2个回答
2023-01-19 17:07:57
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丽正国际的RM2003,在世强硬创平台上由世强先进(深圳)科技股份有限公司授权代理并提供研发和采购服务。 世强硬创平台提供RM2003的在线购买,购买,样品申请,批量询价,交期查询,期货订购等服务。 RM2003的简介:N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET;Vdss(V)=20;ID(TA=25℃)(A)=3;Rds-on(typ)(mOhms)=36;Total Gate Charge(typ)=2.9;Maximum Power Dissipation(W)=0.8;Vgs(th)(typ)=0.75;Input Capacitance(Ciss)(pF)=260。你可以在世强硬创平台下载RM2003的技术资料、数据手册,原理图 、PCB封装库文件和3D模型。

