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BMS板（锂电池保护板）项目，希望可以推荐一款国产低价MOS管，不可变参数：封装TO-263，耐压80~100V，阻抗5-7mΩ,电流100A以上
您好，推荐无锡紫光微 TTB118N08A，这款是82V，封装是TO-263，资料：https://www.sekorm.com/doc/2171792.html 无锡紫光微 TMB140N10A 这款是100V，封装是TO-263，资料：https://www.sekorm.com/doc/1452129.html
低速车BCM上寻一款耐压100V，漏电流120A以上的NMOS，TO-263AB封装，单机用量32颗，不用车规级，有没有合适的型号推荐？
可推荐安邦AG135N10S，VDS耐压100V，漏电流ID达135A，最大导通电阻仅4.5mΩ@VGS=10V，相关规格书参考链接：http://www.anbonsemi.com/uploadfiles/AG135N10S.pdf。
仪器电源上，需要一款大功率的Nmos，要求耐压大于60V，电流100A，采用通用的TO-263封装或更小的，国产型号有推荐吗？
推荐扬杰科技的YJB110G10B，耐压100V,最大电流110A，内阻小于5.2mΩ@Vgs=10V，减小损耗， https://www.sekorm.com/doc/2294968.html
求推荐N MOS管，GS电压要求正负30V，DS电压为60V到120V，电流在60A到100A，to-263封装，谢谢！
推荐无锡紫光MOS TMB140N10A 100V 140A TO-263封装，资料链接：https://www.sekorm.com/doc/1452129.html。
电池BMS中需要一颗NMOS管，要求Vds=150---200V,Ids=6---12A,SMD封装的，有合适的型号推荐吗？
您好，推荐捷捷微电JMSH1516AE这颗，Vds=150V,Ids=61A,Vgs=3.2V,TO-263-3L封装，数据手册https://www.sekorm.com/doc/3238579.html。请参考，谢谢！
无锡紫光微MOS管选型表
无锡紫光微提供以下DT MOS，Multi-EPI Super Junction MOSFET，N-Channel DTMOS，N-Channel Trench MOSFET，P-Channel Trench MOSFET，P-Channel Trench MOSFET，Super-Junction Power MOSFET和Trench MOS的参数选型，ID(A)：1~180；RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)：1.3~1290；RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)：1.8~1540。
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产品型号
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品类
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V(BR)DSS(V)
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ID(A)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)
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RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)
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V(GS)thmin(V)
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V(GS)thmax(V)
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Ciss(pF)
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Qg(nC)
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封装
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TTD30N10AT
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N-Channel Trench MOSFET
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100
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20
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22
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27
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1
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2.4
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4529
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37
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TO-252
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选型表 - 无锡紫光微 立即选型
【应用】800V超级结MOS管TPA80R750C助力40W LED驱动电源，VDS电压800V，导通电阻最大750mΩ
无锡紫光微超级结MOS管TPA80R750C，运用于40W LED驱动电源反激式开关电源中作为主功率开关管（Q1位置）的优势特点：1、TPA80R750C的VDS电压800V满足应用需求；2、导通电阻为最大750mΩ，可降低导通损耗，减小系统功率损耗；续漏极电流在25℃时最大额定值为8A；3、TPA80R750C为TO-220F塑封封装。4、工作结温和存储温度范围均为-55~150℃。
漏源电压20V的N沟道MOS管SL9926A，采用SOP-8封装，导通电阻仅20mΩ
SLKOR SL9926A是一款N沟道MOS管，拥有出色的性能参数。其漏源电压可达20V，连续漏极电流达到6A。在4.5V、6A的条件下，导通电阻仅为20mΩ，显示出卓越的功率控制能力。同时，其阈值电压为0.7V@250μA，封装采用SOP-8，使得SL9926A在设计和应用上更加灵活便捷。
调光器项目需要一款NMOS，规格650V/20A，导通电阻低于190mΩ，TO-247封装，帮忙推荐一款合适的国产型号。
您好，推荐国产紫光微的TPW65R170M，VDS电压650V，ID为20A，导通电阻最大170mΩ，TO-247封装，参考资料：https://www.sekorm.com/doc/1732028.html
电源应用上使用1000V的高压MOS OSG95R1K2PF，TO-220封装，是否有替换产品推荐？
推荐紫光微TPA100R500A，1000V12A，RDSon≤0.5Ω，TO-220F封装，参考规格书：https://www.sekorm.com/doc/1452036.html
30KW 直流电源设计需要用到SIC MOS做开关，参数要求：电压1200V，导通电阻80mΩ，封装TO263-7，有什么型号推荐。
推荐瞻芯电子的IV1Q12080D7Z，电压1200V，导通电阻80mΩ，封装TO263-7，具体参数可参考数据手册： https://www.sekorm.com/product/501616788.html。
在DTU产品上有用到MOS管IRF7404，帮忙推荐颗国产MOS替换，谢谢！
推荐无锡紫光微的TTJ06P03AT，VDS=-30V，Rds(on)＜66mΩ，Id=-6A,SOP8封装，可pin-pin。数据手册请参考：https://www.sekorm.com/doc/2171840.html
大功率电源项目，在找一颗高压MOS，VDS 1200V、Id 12A、TO-263封装，请帮忙推荐。
推荐无锡紫光微的TPB120R800A 资料参考：https://www.sekorm.com/doc/1892036.html
伺服驱动上寻一款高压MOS，可替换FQD2N100TM，TO-252封装，求推荐。
推荐上海贝岭NMOS BL3N100E-D，TO-252封装，最大漏源电压VDS为1000V，最大漏电流ID为2.5A，典型导通电阻6.2Ω，相关规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/3743403.html
目前在寻找一款封装PDFN5x6-8L，漏源电压在60V，电流在250A以上，同时在10V情况下导通电阻在1Ω以下的N MOS，问一下世强代理的有没有合适推荐的，希望世强这边帮忙看看。
推荐客户参考捷捷微的JMSL0601AG，该型号就是一款封装PDFN5x6-8L，漏源电压在60V，同时在10V情况下导通电阻在0.9MΩ以下，具体参数需要客户参考。文件具体参考如下： 推荐参考捷捷微的JMSL0601AG，数据手册链接：https://www.sekorm.com/product/873522.html
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