2个回答
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- 用户_9400 (0)
- 推荐国产品牌扬杰科技2n7002kdw替换，60V 0.34A sot363封装，满足性能参数要求，资料链接：https://www.sekorm.com/doc/2135501.html。
- 创建于2020-09-30
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- bsy1984 Lv8 (0)
- 安世小封装的mos管2n7002bkv采用的SOT-666封装，推荐ROHM的EM6K31，封装可以实现兼容，电气参数上电流略小，用于光模块的信号控制，电流应该也是够的，其详细资料参考：https://www.sekorm.com/doc/855156.html。
- 创建于2020-08-25
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国产化替换项目上寻一款NMOS，可替代2N7002BK,215（Nexperia），要求国外品牌，车规，求推荐。
推荐DIOTEC NMOS MMBT7002K-AQ，SOT-23封装，最大漏源电压60V，最大漏电流300mA，最大导通电阻3Ω，工作温度范围-55℃~150℃，规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/1606879.html。
项目上有用到NXP的这个60V 350mA NMOSFET 2N7002BK，想要找国产的替换，有合适的型号推荐吗？
可以看下高特的这个MOSFET 2N7002K,参数和 2N7002BK接近，封装都是SOT23封装的，https://www.sekorm.com/product/692255.html
需求N沟道MOS管，替代NXP的2N7002，0.115A，60V，SOT-23封装
推荐centralsemi的N沟道MOS管，型号2N7002，0.115A，60V，SOT-23封装，PIN-to-PIN产品，性价比高。
一颗NMOS 2N7002需要国产替代，有什么推荐？
推荐扬杰科技2N7002，VDSS=60V,ID=0.34A，耗散功率0.35W，SOT-23封装。资料：https://www.sekorm.com/doc/2222131.html
控制板上需求一款N MOS管，之前用的2N7002LT1G，请推荐合适的国产型号
推荐扬杰的2N7002，规格书参考：https://www.sekorm.com/doc/2222131.html
扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃）
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Vth_Typ(V)
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Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
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Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
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Grade
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2N7002
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MOSFET
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SOT-23
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Active
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No
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Single
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N
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60
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0.34
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0.35
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±20
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150
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1.5
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1200
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2500
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1300
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3000
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27.5
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2.75
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1.9
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1.6
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Standard
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【经验】解析SFF光模块与其它光模块的区别
SFF和SFP都是光模块的两种子类型，SFF光模块是光模块产品演进的一大分支，而SFP小封装可插拔收发器光模块产品是截止目前最晚出现的光模块产品，它使用也同样较广泛，那么性能可靠的SFF光模块与其他光模块有什么区别呢？本文尚宁光电为您介绍。
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在电信工业和微波电路设计领域，在插入的瞬间容易产生较大的浪涌电流以及其它一些干扰，为了防止对后级电路产生影响，客户会普遍使用MOS管达到电流缓启动的目的。扬杰科技推出的MOS管YJQ1216A，低导通电阻，采用DFN小封装，可应用于光模块缓启动上电。
某BMS项目上需要一款国产的MOS管，10V/30A ，TO263封装，，请问有无合适推荐？
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100G QSFP28 LR4光模块缓启动电路上寻一款可替代RF4C100BCTCR的PMOS，请问，有合适型号推荐吗？
推荐扬杰科技YJQ1216A替代，采用DFN2020-6L封装，VDSS漏源耐压为-20V，常温25℃条件下，最大漏电流ID为-16A，最大导通电阻17mΩ@VGS=-4.5V,ID=-10A，相关规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/1373732.html。
目前在做100G QSFP28 LR4的光模块项目需要一颗MOS管用于缓启动，漏极电流能在0.5A左右、功率损耗尽量小、工作温度支持-40-125℃范围，需要小型的DFN封装，是否有相关产品推荐？
您好，根据您的需求，推荐您参考长晶科技的CJBA3134K系列的MOS器件，漏极电流为0.75A，功率损耗为100mW、温度范围支持-40-85℃，采用小型的DFN1006-3L封装，具体选型可以参考世强官网链接：https://www.sekorm.com/doc/2879521.html
一个电力保护光模块项目，项目设计需使用一颗MOS器件，要求耐压可达20V，漏极电流可达2A，请问有合适的物料可以推荐吗？
您好，根据您的需求推荐国产扬杰科技的YJL2102W，其漏极电流大小达到3A，封装为SOT-323小封装。详细参数参考规格书链接：https://www.sekorm.com/product/410498.html
10G光模块项目中缓启动电路PMOS FDMA507PZ（-20V, -7.8A, 24mΩ）寻求替代，有合适推荐么？
推荐扬杰科技YJQ1216A，VDS =-20V，Id=-16A,DFN2020-6L封装，能实现PTP兼容。资料：https://www.sekorm.com/doc/1948030.html
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可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W； 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围：4W-60W。
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可定制无线位移传感器量程范围10~600mm，采用了无线传输方式，可远程自动实时检（监）测位移量值，准确度级别(级)：0.2、0.5;内置模块：无线传输模块、供电模块;传输距离L(m)：可视距离1000 (Zigbee、 LORA)。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
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