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满足车规要求的MOS管:N管和P管都要 Vds≥150V; 恒流:1A; 封装:贴片 Rds≤0.2Ω
N管可以评估: JMSH1509AGQ,150V 8.5mΩ IDmax78A N-Ch Power MOSFET,参考链接https://www.sekorm.com/Web/Search/keyword/JMSH1509AGQ JMSH1507AEQ,,150V 5.2mΩ IDmax126A N-Ch Power MOSFET参考链接https://www.sekorm.com/Web/Search/keyword/JMSH1507AEQ JMSH1504AEQ,150V 3.9mΩ IDmax192A N-Ch Power MOSFET,参考链接https://www.sekorm.com/Web/Search/keyword/JMSH1504AEQ
目前再找一颗MOS管,用在辅助电源中,耐压1200V,电流6A,结温150摄氏度即可,封装TO263封装,要求车规级。
给您推荐LittelFuse的MOS管IXFA6N120P ,耐压1200V,电流6A,结温150℃,封装为TO-263, 详情请查看数据手册:https://www.sekorm.com/doc/1273627.html。
帮忙找一颗车规MOS管,具体参数,40V、15-20A、SO8、车规,主要关注一下封装和内阻
您好,根据您的需求给你推荐长晶科技的车规MOS,CJQ14SN06封装SOP8、电流14A,60V,内阻9.7mΩ。 详情请查看数据手册:https://www.sekorm.com/doc/2331957.html。
推荐一个100V,30A左右的P沟道MOS管,封装要TO-220,用在逆变器电源部分的。
你好,推荐世强代理的无锡紫光微电子的TTP30P10AT,沟槽式MOS,低导通内阻,详细资料:https://www.sekorm.com/doc/1452111.html
目前有MOS管要找,要求是800V,20A左右,RDS400毫欧,请问有合适的推荐吗?
您好,跟据您的要求给您推荐LITTELFUSE的IXFH24N80P,该MOS管电压800v,电流24A,导通电阻在400毫欧 详细参数请参考数据手册:https://www.sekorm.com/doc/1268053.html
【产品】导通阻抗仅0.033Ω!2合1封装MOS管让能效更高
PDM系列开启时间最短为0.16us,关闭时间最短为0.23us,适合高速开关设计。
【应用】科信MOS用于12V输出开关电源,采用SOT-223封装,电压高达200V
客户做降压的电源功率大概是10W左右,前级需要选用一颗MOS,需要200V,功率10W,考虑到散热问题,客户考虑的SOT-223的封装,因为100V输入电流只有0.1A左右,因此考虑到散热和使用环境问题,推荐200V/1A的MOS,型号为NDT4N20L。
电源模块项目,有MOS管需求,要求100V~150V,内阻低于5mΩ的,DFN5*6封装,有合适推荐吗?
您好,推荐NCE的NCEP050N12GU这颗,120V,4.6mΩ,ID 120mA,4.6mΩ,可以满足您的需求,参考手册:https://www.sekorm.com/doc/3739270.html
强茂(PANJIT)Low Voltage MOSFET选型表
强茂(PANJIT)提供以下参数选型:VDS(V):-40~40,VGS(±V):8-20,ID(A):-100~136,RDS(on) Max. (Ω)(10V):1.6~160等。强茂开发一系列不同封装的低压MOSFET产品,适用于笔记型电脑,平板电脑,主机板等3C产品均会使用到此类型产品;采沟槽式(Trench)结构与封装技术相结合实现低导通电阻提升产品性能。
产品型号
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品类
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Package
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Product Status
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Replacement Part
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AEC-Q101 Qualified
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ESD
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(±V)
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ID(A)
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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
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Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(10V)
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Qg Typ. (nC)(4.5V)
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PJQ5542V-AU
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Low Voltage MOSFET
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DFN5060-8L
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New Product
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-
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AEC-Q101 Qualified
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-
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N
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Single
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40
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20
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136
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3
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-
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-
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-
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-
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-
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3050
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3.5
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43
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-
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在找一个MOS管,做电机控制,N-MOS,30V以上,30A以上,Rds比较小的(20mR以下)。
推荐国产品牌无锡紫光增强型N沟通MOS TTD70N03AT 30V Rdson=5.6mΩ TO252封装,详细资料链接:https://www.sekorm.com/doc/2171824.html。
one box项目上寻一款车规级互补型N+P MOS,SOT-23-6封装,VDS耐压20V/-20V,漏电流ID 3A/-2.5A,求推荐。
推荐PANJIT(强茂)互补增强型N+PMOS PJS6601-AU_S1_000A1,采用SOT-23-6封装,其中N沟道与P沟道的漏-源电压VDS最大额定值分别为20V和-20V,连续漏极电流ID最大额定值分别为4.1A和-3.1A,通过AEC-Q101认证,可满足需求,相关规格书参考链接:https://www.sekorm.com/doc/1575400.html。
最近电机驱动板要降低成本,想要对MOS下手,现在用的是ON的产品,耐压到100,V,电流40A,有没有国产的产品可以替换?封装5*6的最好。然后价格低一些。
可以看看丽正国际的MOS产品RM60N100DF,100V、60A,DFN5X6封装,资料链接如下:https://www.sekorm.com/doc/948854.html
做一个35W的电源项目,用的一颗高压MOS,NCE65T540F,TO-220F封装,想找一颗能替代的,最好也是TO-220F封装的,求推荐。
推荐捷捷微的JMPF20N65G1,参数650V,20A,满足要求可以试一下,规格书https://www.sekorm.com/doc/3415991.html
电源上想找一颗N MOS,要求国产,VDS大于800V,ID大于8A,TO247的封装
推荐上海贝岭的BL10N80,800v电压,10A 的ID,电阻0.72欧姆,TO247的封装 具体参数可参考数据手册:https://www.sekorm.com/doc/3084875.html
电源板上用的MOS型号CRTD360N10L,请问有替代推荐吗?
推荐芯派SWD340R10VT,TO-252封装,可以兼容,参考资料https://www.sekorm.com/doc/3723787.html
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品牌:PANJIT
品类:P-Channel Enhancement Mode MOSFET
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使用FloTHERM和Smart CFD软件,提供前期热仿真模拟、结构设计调整建议、中期样品测试和后期生产供应的一站式服务,热仿真技术团队专业指导。
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提供稳态、瞬态、热传导、对流散热、热辐射、热接触、和液冷等热仿真分析,通过FloTHERM软件帮助工程师在产品设计初期创建虚拟模型,对多种系统设计方案进行评估,识别潜在散热风险。
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