• 车上电源用到的mos管,P管,30V,3A左右,封装无要求,主要是要车规的

  • 创建于2020-09-26

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满足车规要求的MOS管:N管和P管都要 Vds≥150V; 恒流:1A; 封装:贴片 Rds≤0.2Ω

N管可以评估: JMSH1509AGQ,150V 8.5mΩ IDmax78A N-Ch Power MOSFET,参考链接https://www.sekorm.com/Web/Search/keyword/JMSH1509AGQ JMSH1507AEQ,,150V 5.2mΩ IDmax126A N-Ch Power MOSFET参考链接https://www.sekorm.com/Web/Search/keyword/JMSH1507AEQ JMSH1504AEQ,150V 3.9mΩ IDmax192A N-Ch Power MOSFET,参考链接https://www.sekorm.com/Web/Search/keyword/JMSH1504AEQ

2022-09-13 -  技术问答

目前再找一颗MOS管,用在辅助电源中,耐压1200V,电流6A,结温150摄氏度即可,封装TO263封装,要求车规级。

给您推荐LittelFuse的MOS管IXFA6N120P ,耐压1200V,电流6A,结温150℃,封装为TO-263, 详情请查看数据手册:https://www.sekorm.com/doc/1273627.html。

2023-03-14 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

帮忙找一颗车规MOS管,具体参数,40V、15-20A、SO8、车规,主要关注一下封装和内阻

您好,根据您的需求给你推荐长晶科技的车规MOS,CJQ14SN06封装SOP8、电流14A,60V,内阻9.7mΩ。 详情请查看数据手册:https://www.sekorm.com/doc/2331957.html。

2023-05-22 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

推荐一个100V,30A左右的P沟道MOS管,封装要TO-220,用在逆变器电源部分的。

你好,推荐世强代理的无锡紫光微电子的TTP30P10AT,沟槽式MOS,低导通内阻,详细资料:https://www.sekorm.com/doc/1452111.html

2019-10-29 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

目前有MOS管要找,要求是800V,20A左右,RDS400毫欧,请问有合适的推荐吗?

您好,跟据您的要求给您推荐LITTELFUSE的IXFH24N80P,该MOS管电压800v,电流24A,导通电阻在400毫欧 详细参数请参考数据手册:https://www.sekorm.com/doc/1268053.html

2023-04-03 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】导通阻抗仅0.033Ω!2合1封装MOS管让能效更高

PDM系列开启时间最短为0.16us,关闭时间最短为0.23us,适合高速开关设计。

2017-05-27 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【应用】科信MOS用于12V输出开关电源,采用SOT-223封装,电压高达200V

客户做降压的电源功率大概是10W左右,前级需要选用一颗MOS,需要200V,功率10W,考虑到散热问题,客户考虑的SOT-223的封装,因为100V输入电流只有0.1A左右,因此考虑到散热和使用环境问题,推荐200V/1A的MOS,型号为NDT4N20L。

2023-01-29 -  应用方案 代理服务 技术支持 采购服务

电源模块项目,有MOS管需求,要求100V~150V,内阻低于5mΩ的,DFN5*6封装,有合适推荐吗?

您好,推荐NCE的NCEP050N12GU这颗,120V,4.6mΩ,ID 120mA,4.6mΩ,可以满足您的需求,参考手册:https://www.sekorm.com/doc/3739270.html

2023-06-14 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

强茂(PANJIT)Low Voltage MOSFET选型表

强茂(PANJIT)提供以下参数选型:VDS(V):-40~40,VGS(±V):8-20,ID(A):-100~136,RDS(on) Max. (Ω)(10V):1.6~160等。强茂开发一系列不同封装的低压MOSFET产品,适用于笔记型电脑,平板电脑,主机板等3C产品均会使用到此类型产品;采沟槽式(Trench)结构与封装技术相结合实现低导通电阻提升产品性能。

产品型号
品类
Package
Product Status
Replacement Part
AEC-Q101 Qualified
ESD
Polarity
Config.
VDS(V)
VGS(±V)
ID(A)
RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
Ciss Typ.(pF)
VGS(th) Max.(V)
Qg Typ. (nC)(10V)
Qg Typ. (nC)(4.5V)
PJQ5542V-AU
Low Voltage MOSFET
DFN5060-8L
New Product
-
AEC-Q101 Qualified
-
N
Single
40
20
136
3
-
-
-
-
-
3050
3.5
43
-
选型表  -  PANJIT 代理服务 技术支持 采购服务 立即选型

在找一个MOS管,做电机控制,N-MOS,30V以上,30A以上,Rds比较小的(20mR以下)。

推荐国产品牌无锡紫光增强型N沟通MOS TTD70N03AT 30V Rdson=5.6mΩ TO252封装,详细资料链接:https://www.sekorm.com/doc/2171824.html。

2019-11-30 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

one box项目上寻一款车规级互补型N+P MOS,SOT-23-6封装,VDS耐压20V/-20V,漏电流ID 3A/-2.5A,求推荐。

推荐PANJIT(强茂)互补增强型N+PMOS PJS6601-AU_S1_000A1,采用SOT-23-6封装,其中N沟道与P沟道的漏-源电压VDS最大额定值分别为20V和-20V,连续漏极电流ID最大额定值分别为4.1A和-3.1A,通过AEC-Q101认证,可满足需求,相关规格书参考链接:https://www.sekorm.com/doc/1575400.html。

2023-05-31 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

做一个35W的电源项目,用的一颗高压MOS,NCE65T540F,TO-220F封装,想找一颗能替代的,最好也是TO-220F封装的,求推荐。

推荐捷捷微的JMPF20N65G1,参数650V,20A,满足要求可以试一下,规格书https://www.sekorm.com/doc/3415991.html

2022-06-01 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

电源上想找一颗N MOS,要求国产,VDS大于800V,ID大于8A,TO247的封装

推荐上海贝岭的BL10N80,800v电压,10A 的ID,电阻0.72欧姆,TO247的封装 具体参数可参考数据手册:https://www.sekorm.com/doc/3084875.html

2023-04-06 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

电源板上用的MOS型号CRTD360N10L,请问有替代推荐吗?

推荐芯派SWD340R10VT,TO-252封装,可以兼容,参考资料https://www.sekorm.com/doc/3723787.html

2023-01-09 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务
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