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你好，我们想用PCAP01这款芯片测试湿度，能不能提供一下固件
你好，对于你目前咨询的AMS(艾迈斯)的PCAP01我司暂时没有代理；你可以了解一下我们平台上的敏源传感MDC04，参考数据手册：https://www.sekorm.com/doc/2928629.html。
你好，我需要一种中小功率的GaN HEMT器件，开关频率能达到MHz级别，在无线功率传输系统中使用，请问有哪些厂家可以提供？
推荐EPC的低压氮化镓器件，请参考选型手册：EPC（宜普）eGaN®FET与IC/开发板/演示板/评估套件选型指南 (sekorm.com)。
你好，我想对E5050B进行询价，但我在你们商场只搜索到E5058A，请问可以帮忙咨询一下E5080B的询价吗
您好！您的咨询已收到，稍后会有专属客服为您服务，另外世强代理有近300个知名品牌物料，供应数十万种元器件，您可在【世强元件电商】首页中部位置查询，网址：https://www.sekorm.com/supply/；如还有其他问题欢迎致电400-887-3266或邮件service@sekorm.com，谢谢您的咨询。
你好，我想请教一下，MLX90632在使用上怎么与MLX90614有这么大的不同，我们IIC读取的这些参数是什么意思？这个有什么作用吗？有十几个参数。
您好，MLX90632与MLX90614其实是两个不同的产品，所以在应用使用上会有不同。 这些我们读取的参数，是出厂校准时所写进去的。那么我们在温度计算上就需要使用这些参数来做补偿。比如我们可以从手册的计算温度章节中看大，计算出To是需要应用到这些参数的
你好 我想咨询一下圣邦微的8197 请问有规格书吗 想了解一下
圣邦微要求提供项目信息报备才能提供SGM8197规格书，稍后会有工作人员联系您，请保持手机畅通。
抢占车载市场！罗姆加速量产TOLL封装650V耐压GaN HEMT，体积更小、散热更强
全球知名半导体制造商ROHM已将TOLL（TO-LeadLess）封装的650V耐压GaN HEMT*1“GNP2070TD-Z”投入量产。TOLL封装不仅体积小，散热性能出色，还具有优异的电流容量和开关特性，因此在工业设备、车载设备以及需要支持大功率的应用领域被越来越多地采用。
解析GaN氮化镓的4种封装解决方案
GaN氮化镓晶圆硬度强、镀层硬、材质脆材质特点，与硅晶圆相比在封装过程中对温度、封装应力更为敏感，芯片裂纹、界面分层是封装过程最易出现的问题。同时，GaN产品的高压特性，也在封装设计过程对爬电距离的设计要求也与硅基IC有明显的差异。
SGMGH10265G 650V TDFN 封装GaN E-Mode功率晶体管，体积8×8mm²，设计紧凑
SGMGH10265G 650V，TDFN封装，GaN E-Mode功率晶体管符合RoHS规定且不含卤素，广泛应用在快速电池充电，DC/DC转换器，反激式转换器，高效电源转换。
目前国产GaN的射频功率放大器有哪些厂家？
国产的GaN有苏州能讯，世强代理的UMS也有GaN功放器件，详细资料请参考https://www.sekorm.com/doc/894926.html。
罗姆在PCIM Asia上展出SiC封装模块TRCDRIVE pack™及GaN HEMT在内的丰富产品
2024年8月28-30日，全球知名半导体制造商ROHM参加在深圳国际会展中心举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会，简称PCIM Asia。罗姆在PCIM Asia上展出TRCDRIVE pack™及GaN HEMT在内的丰富产品。
半导体不同封装对GaN的性能影响有多大？
封装主要影响器件的热阻即散热以及可靠性。散热会影响实际电流能力，可靠性方面例如H3TRB，TC等都会与封装有关。
脉冲电源项目需要一颗小体积封装的MOS，看到世强官网有GaN型号EPC2034相关参数比较合适，发现有类似的型号EPC2034C，两者有什么区别，目前选型选那颗料比较好？
EPC2034和EPC2034C的主要区别在于一个是导通电阻，EPC2034C为8mΩ，EPC2034为10mΩ，然后EPC2034C的漏电流值均比EPC2034小，但EPC2034C的结电容和门极电荷比EPC2034大，目前世强电商平台EPC2034有现货库存，建议在满足电路参数的前提下，选EPC2034测试比较好。
DC-DC电源项目，找一款GaN芯片，规格要求：650V 30mΩ 最好是TOLL封装，请问贵司有代理英诺赛科的产品吗？
推荐英诺赛科，INN650TA030AH。VDS（MAX），650V；ID 100A 英诺赛科成立于2015年12月，是一家致力于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体，拥有全球最大的8英寸硅基氮化镓晶圆的生产能力。主要产品涵盖从低压到高压（30V-650V）的氮化镓功率器件，产品设计及性能均达到国际先进水平。 规格书链接：https://www.sekorm.com/doc/3727321.html
增强型GaN与耗尽型GaN对比
本文对比了增强型GaN和耗尽型GaN的特性，包括带隙、绝缘击穿电场、饱和漂移速度、电子迁移率等。文章详细介绍了GaN功率器件的特点，如较低的结电容、较低的导通电阻、较高的开关能力等。此外，还对比了D模式GaN和E模式GaN的开关损耗、饱和电流、反向浪涌电流能力、关断漏电流、ESD能力等。最后，文章讨论了D模式GaN与低压Si的兼容性、封装样式以及成本优势。
CORENERGY - GAN POWER DEVICE,氮化镓功率器件
在车载激光雷达产品中需要一款GaN用来驱动VCSEL激光二极管，要求峰值电流到20A，脉冲宽度在2-4ns,耐压到80V。要求车规。
推荐世强代理的EPC2214,、,尺寸1.35 mm x 1.35 mm,通过AEC Q101认证测试.耐压到80V。可以实现在300us内的峰值电流为47 A，完全满足2-4ns内峰值电流20A的要求。 数据手册链接：https://www.sekorm.com/doc/1403762.html
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提供稳态、瞬态、热传导、对流散热、热辐射、热接触、和液冷等热仿真分析，通过FloTHERM软件帮助工程师在产品设计初期创建虚拟模型，对多种系统设计方案进行评估，识别潜在散热风险。
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