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冲击波治疗仪项目上寻一款MOS，Vds耐压至少40V，ID漏电流至少30A，DPAK封装，求推荐。
推荐扬杰科技NMOS YJD40N04A，采用TO-252封装，最大VDS耐压为40V，常温25℃条件下，最大漏电流ID为40A，VTH阈值电压范围1V~2.5V，完全开启时最大导通电阻仅13mΩ，相关规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/2229550.html。
需求60V/50A、导通电阻10mΩ以下、TO-252封装的N沟道MOS管？
推荐ROHM的MOSFET，型号RD3L08BGNTL，规格是60V/5.5mΩ/80A/TO-252。 详情：https://www.sekorm.com/doc/745759.html
仪表盘项目，需要一颗MOS，TO-252封装，PMOS，VDS=100V，ID=28A，有合适的吗？
推荐扬杰科技的YJD28GP10A，VDS：-100V，ID：-28A，PMOS，TO252封装；、 具体链接：https://www.sekorm.com/product/727609.html
在智能配电盒项目上有一款MOS缺货，请帮忙推荐一下，需求 TO-252封装， N沟道，至少100V 耐压，Rds为20mΩ以下，要过车规级认证。
推荐国产杨杰车规级MOS管，YJD45G10AQ，100V 45A, RDson 17mΩ，规格书参考：https://www.21yangjie.com/ggs/qcdz/a12/YJD45G10AQ-TO-252.pdf
你好，需要一款N沟道MOS管,Vds 30V,Vgs 16V,Id 5.0A，请帮忙推荐一下。
您好，推荐辰达行的AO3402 N沟道MOS管，,VDS=30V,VGS=16V,ID=5.0A,PD=1.5W,IDM=20.4A SOT-23封装，数据手册链接https://www.sekorm.com/product/254044.html
扬杰科技应用在OBC上的SiC MOS半桥模块（SMPD）封装相比于单管产品有何优点？
扬杰科技应用在OBC上的SiC MOS半桥模块是顶部散热封装，且内部集成绝缘陶瓷垫片，具备良好的可靠性，与外部绝缘垫片的单管相比，热阻也更低，此外其内部还可以集成NTC热敏电阻。
光模块目前在用一颗安世小封装的MOS管2N7002BKV，由于封装问题不好找替换料，帮忙推荐一颗可以P2P替换的物料？
推荐国产品牌扬杰科技2n7002KDW替换，60V 0.34A SOT363封装，满足性能参数要求，资料链接：https://www.sekorm.com/doc/2135501.html。
某BMS项目上需要一款国产的MOS管，10V/30A ，TO263封装，，请问有无合适推荐？
你好推荐扬杰科技的YJB30GP10A，耐压100V,电流30A，耗散功率125，TO263封装 产品规格书https://www.sekorm.com/doc/2229539.html
【应用】扬杰科技MOS管YJQ1216用于光模块，导通电阻低，采用DFN小封装利于产品小型化
在电信工业和微波电路设计领域，在插入的瞬间容易产生较大的浪涌电流以及其它一些干扰，为了防止对后级电路产生影响，客户会普遍使用MOS管达到电流缓启动的目的。扬杰科技推出的MOS管YJQ1216A，低导通电阻，采用DFN小封装，可应用于光模块缓启动上电。
16孔PCR仪上寻一款NMOS，内置双NMOS，5X6封装，规格要求100V/20A，导通电阻尽量小，求推荐。
推荐扬杰科技双NMOS管YJGD20G10A，采用DFN5060-8L封装，最大VDS耐压100V，最大漏电流ID为20A，最大导通电阻22mΩ，典型栅极电荷Qg为16nC，相关规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/2229578.html。
某汽车产品上需要一颗车规的的MOS管，40V/35A，小封装，有无合适推荐？
你好，推荐扬杰科技的YJQ35N04AQ，耐压40V，电流35A，DFN封装 产品规格书https://www.sekorm.com/doc/2232640.html
请帮忙推荐一款国产的60V MOS管，替代英飞凌BSC0702LS，谢谢
你好，推荐扬杰科技的YJG95G06A，采用PDFN5060-8L的封装设计，漏源电压为60V，漏极电流为95A，PDFN封装 产品规格书https://www.sekorm.com/doc/2032099.html
工业5G CPE项目上寻一款国产MOS，对标STD80N6F7，请问有合适型号推荐吗？
推荐扬杰科技NMOS YJD80G06C，采用TO-252封装，最大漏源电压VDSS为60V，最大漏电流 ID为80A，最大导通电阻7.5mΩ，工作温度范围-55℃~150℃，相关规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/2864007.html。
智能模拟器上寻一款MOS，可替代IRFS3607TRLPBF，求推荐。
推荐扬杰科技NMOS YJB120G08A，TO-263封装，最大漏源电压VDS为80V，最大漏电流ID为120A，最大导通电阻4.5mΩ，相关规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/2864004.html。
控制器项目，需要MOS，80V 120A的规格，TO-220封装，有合适的推荐吗？
推荐扬杰的YJP120G08A，80V,120A，封装也合适， RDS(ON)( at VGS=10V) ＜4.8mohm，满足您的要求； 具体链接：https://www.sekorm.com/doc/2864006.html
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