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目前在研发一个新项目，目前想找一款线性驱动放大器，要求工作频率范围1.5-2.7GHz，同时芯片功耗5V 300mA以上,增益28dB，问一下世强代理的有没有合适推荐的，希望世强这边帮忙看看。
推荐客户参考通量科技的FW2202线性驱动放大器，该型号就是一款工作频率范围1.5-2.7GHz，功耗5V 350mA ，具体参数需要客户参考。文件具体参考如下： 推荐参考通量科技的FW2202线性驱动放大器，具体数据手册链接：https://www.sekorm.com/doc/previewDoc?docId=2207979＆code=0
在一个变频器项目，使用到一个半桥驱动芯片，之前用的是力特的LN2109N，请问有没有国产的推荐，最好是p2p的
你好，推荐数明SLM2186，具有自举电路设计，输入输出拉、灌电流最大2.5A/3A,逻辑输入与标准CMOS或LSTL输出兼容，低至3.3V逻辑，其工作电压最高到600V。
世强是否有半桥驱动芯片或者模块代理吗！最好是不用外接电源，带隔离的！
建议可以参考Silicon Labs的驱动芯片SI823X，属于半桥驱动，峰值电流可达4A;另外隔离电压可满足5KV需求；具体资料可以通过如下链接下载：【数据手册】Si823x Data Sheet
集成半桥驱动芯片，如何实现上下桥硬件互锁
半桥驱动芯片如果不带互锁功能的话，可以在输入前端加入逻辑电路，实现上下桥臂驱动信号同时输入高电平时，输出信号为低电平，保证上下桥臂不会直通。参考链接：https://www.sekorm.com/news/26918468.html
驱动器项目上，有用IR2183这个半桥驱动芯片，想要找国产替换，有合适的型号推荐吗？
可以评估下屹晶微电子的这个半桥驱动芯片EG2183D，可以兼容替换IR2183, https://www.sekorm.com/product/751985.html
耐压可达600V的多功能半桥驱动芯片EG1160，最高频率支持500kHz，静态功耗＜1.5mA
屹晶微电子EG1160是一款高性价比的多功能半桥驱动芯片，内部集成了5V线性电源、运放放大器、MOS管峰值电流保护、VCC欠压保护、VB欠压保护、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，非常适合电源、电机等场合使用。
屹晶微电子驱动芯片选型表
屹晶微电子提供如下参数的驱动芯片：悬浮电源60~600V，低端电源 2.8~36V，不同的输入逻辑，有1/2/4/6四种通道，死区0~1300ns等参数。
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产品型号
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品类
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悬浮电源 V
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低端电源 V
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输入逻辑
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输出电流 A
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低端电源欠压保护(V)
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高端电源欠压保护(V)
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闭锁保护
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使能
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开延时（Ton）LO/HO
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关延时（Toff）LO/HO
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上升时间（Tr）LO/HO
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下降时间（Tf）LO/HO
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死区（nS)
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通道
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封装
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替代、兼容型号
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特点
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EG1160
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单相半桥驱动芯片
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600
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10-20
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HIN, LIN
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2.0/2.5
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8.5/7.9
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8.2/7.5
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有
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有
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280/300
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150/170
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120/120
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80/100
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160
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2
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SOP16
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-
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带运放+比较器+LDO+SD
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EG2186 芯片数据手册 高压 600V 半桥驱动芯片
EG2186是一款高压600V半桥驱动芯片，适用于大功率MOS管和IGBT管栅极驱动。该芯片具有高端悬浮自举电源设计，适应5V、3.3V输入电压，最高频率支持500KHZ，具有VCC和VB电源欠压保护，输出电流能力IO+/- 4A/4A，采用SOP8封装，适用于移动电源、电动车控制器、变频水泵控制器等领域。
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EG2124A 芯片数据手册：三相独立半桥驱动芯片
EG2124A是一款高性能的三相独立半桥驱动芯片，适用于大功率MOS管和IGBT管的栅极驱动。它具备高端悬浮自举电源设计，耐压高达260V，集成三路独立半桥驱动，支持5V、3.3V输入电压，最高频率达500kHz。该芯片还包含欠压保护和内建死区控制电路，提供TSSOP20和QFN24两种封装形式。
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【应用】国产半桥驱动芯片EG2103助力PCR仪的TEC驱动设计，具有较宽的供电电压范围0.3~20V
在用于新冠检测的PCR仪中，会用到TEC来进行被测样品的温度控制，而控制TEC发热或者制冷，则需要用到两个半桥驱动或一个全桥驱动IC，国内一客户在选择TEC驱动IC，最终选择了屹晶微电子的半桥驱动芯片EG2103。
EG2234 三相独立半桥驱动芯片数据手册
EG2234是一款由浙江屹晶微电子股份有限公司生产的三相独立半桥驱动芯片，适用于大功率MOS管和IGBT管的栅极驱动。该芯片具备高端悬浮自举电源设计，耐压高达200V，集成三路独立半桥驱动，支持5V至3.3V输入电压，最高工作频率达500kHz。它提供丰富的保护功能，包括欠压保护和内建死区控制电路，并具有闭锁功能以避免上、下管同时导通。
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【产品】工作电压可达260V的EG2124A三相独立半桥驱动芯片，自带闭锁功能，最高频率支持500KHz
屹晶微电子推出的EG2124A是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压保护电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。
【产品】屹晶微电子的三相独立半桥驱动芯片，可用于驱动大功率MOS管、IGBT管的栅极
屹晶微电子的EG2334是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。
EG2136S 三相半桥驱动芯片数据手册
EG2136S芯片数据手册详细介绍了屹晶微电子有限公司生产的三相半桥驱动芯片EG2136S的技术规格和应用信息。该芯片适用于高压、高速功率器件，如N型功率MOSFET和IGBT，具备悬浮自举电源设计、多种保护功能和良好的电气特性。
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【产品】三相独立半桥驱动芯片EG2134，耐压可达300V，采用TSSOP20和QFN24封装
屹晶微电子推出的EG2134是一款高性价比的大功率MOS管、IGBT管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路。其工作电压可达300V，低端VCC的电源电压范围宽4.5V～20V；具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输出电流能力IO+1.2A/-1.4A，采用TSSOP20和QFN24封装。
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