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智能焊机项目，需要选一款开关电源，输入AC380V ，输出DC 24 V，输出电流6 A左右，要求输入电压宽电压AC360-550V,主要是给传感器、信号灯提供DC 24 V电压，帮忙推荐一下
推荐WAGO的787-738，开关稳压电源； Eco，3相，24 VDC，6.25A输出电流，输入电压(2 / 3) xAC 360 … 575 V； DC 500 … 650 V，满足设计要求，具体可以参考https://www.sekorm.com/doc/2549914.html
电气控制柜项目，需要一款防雷器，标称放电电流25KA，AC380V,三相四线，性价比高，请问是否有合适的推荐方案？
推荐国产品牌中光防雷ZGGF25-385(3+1)Ayc，三相四线，标称放电电流25KA。
有没有国产AC380V转DC24V电源模块推荐，工作温度要到80℃
您好，世强暂时没有找到合适的产品推荐，感谢您对世强平台的持续关注。
做开关电源项目，需要国产MOS管，80V~100V、10mΩ内阻，有合适推荐么
NXP PSMN6R9-100YSF, 新洁能，尚阳通的还可以，我都用了
请帮忙推荐可以替代CEM4953的国产MOS管
推荐扬杰YJS4953A可兼容替代CEM4953，具体数据手册参考：https://www.sekorm.com/doc/1373675.html
【应用】科信MOS用于12V输出开关电源，采用SOT-223封装，电压高达200V
客户做降压的电源功率大概是10W左右，前级需要选用一颗MOS，需要200V，功率10W，考虑到散热问题，客户考虑的SOT-223的封装，因为100V输入电流只有0.1A左右，因此考虑到散热和使用环境问题，推荐200V/1A的MOS，型号为NDT4N20L。
【应用】800V超级结MOS管TPA80R750C助力40W LED驱动电源，VDS电压800V，导通电阻最大750mΩ
无锡紫光微超级结MOS管TPA80R750C，运用于40W LED驱动电源反激式开关电源中作为主功率开关管（Q1位置）的优势特点：1、TPA80R750C的VDS电压800V满足应用需求；2、导通电阻为最大750mΩ，可降低导通损耗，减小系统功率损耗；续漏极电流在25℃时最大额定值为8A；3、TPA80R750C为TO-220F塑封封装。4、工作结温和存储温度范围均为-55~150℃。
电源模块项目，有MOS管需求，要求100V~150V，内阻低于5mΩ的，DFN5*6封装，有合适推荐吗？
您好，推荐NCE的NCEP050N12GU这颗，120V，4.6mΩ，ID 120mA，4.6mΩ，可以满足您的需求，参考手册：https://www.sekorm.com/doc/3739270.html
ucc24612我们用在48v电源上，有没有工程师技术支持电流30a，批量价格多少？
世强暂无代理UCC24612，无法给出批量价格。根据同步整流输出需求，推荐国产伊凡微的同步整流芯片AP402，其详细资料参考：https://www.sekorm.com/doc/1171771.html；同步整流MOS推荐国产紫光微的MOS管TMP140N10A，采用TO-220插件封装，配合LLC的散热，其详细资料参考：https://www.sekorm.com/doc/1452130.html
做一个35W的电源项目，用的一颗高压MOS，NCE65T540F，TO-220F封装，想找一颗能替代的，最好也是TO-220F封装的，求推荐。
推荐捷捷微的JMPF20N65G1，参数650V，20A，满足要求可以试一下，规格书https://www.sekorm.com/doc/3415991.html
30KW 直流电源设计需要用到SIC MOS做开关，参数要求：电压1200V，导通电阻80mΩ，封装TO263-7，有什么型号推荐。
推荐瞻芯电子的IV1Q12080D7Z，电压1200V，导通电阻80mΩ，封装TO263-7，具体参数可参考数据手册： https://www.sekorm.com/product/501616788.html。
【选型】高压N沟道MOS管TPD60R360MFD助力反激拓扑开关电源设计，VDS耐受电压达600V
客户在一款50W左右的反激拓扑开关电源中，正在寻找一款高于600V，电流大于10A的高压贴片N沟道MOS管。因此推荐无锡紫光微TPD60R360MFD，它是一款600V、11A的高压N沟道MOS管，具有低阻抗的，且为贴片TO252封装，便于散热与安装。
【应用】超级结MOS管TPD65R950M助力12W智能台灯电源设计，TO-252贴片封装体积小
AC-DC电源模块作为智能台灯的电源供应，电路设计常采用反激式电路拓扑，主要通过将市电220V交流转换为低压直流电，为后级负载提供稳定直流电压。无锡紫光微超级结MOS管TPD65R950M运用于12W智能台灯电源模块，漏源电压最大额定值为650V，TO-252贴片封装体积小，导通损耗低。
电源上想找一颗N MOS，要求国产，VDS大于800V，ID大于8A，TO247的封装
推荐上海贝岭的BL10N80，800v电压，10A 的ID，电阻0.72欧姆，TO247的封装 具体参数可参考数据手册：https://www.sekorm.com/doc/3084875.html
环保仪器项目，有能替代MMBFJ177的国产P沟道三极管MOS管吗？参数要求：栅漏电压，栅源电源分别为25V,门极电流20mA, 导通电阻300Ω，封装为SOT-23，望推荐，谢谢！
您好，推荐美国中央半导体的，CMPFJ176 BK PBFREE， 栅漏电压，栅源电源分别为30V,门极电流50mA, 导通电阻250Ω，详细资料： https://www.sekorm.com/doc/873306.html
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