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小功率逆变器项目上寻一款PMOS，可替代SI2343CDS-T1-GE3，求推荐。
推荐安邦PMOS AS3621，SOT-23封装，最大漏源电压VDS为-30V，最大漏电流ID为-6A，最大导通电阻30mΩ，工作温度范围-55℃~150℃，规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/3063741.html。
小功率逆变电源里面之前使用了ONSEMI的PMOS管FDD4243，现在希望推荐国产进行做替换，最好能够完全兼容！
你好，可以了解一下扬杰科技的PMOS管 YJD25GP06A，TO-252封装，采用SGT工艺，最大漏源电压VDS为-60V，最大漏电流ID为-25A，最大导通电阻50mΩ，工作温度范围-55～+150℃，相关规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/3234194.html。
麻烦推荐一下能国产替代Vishay的SI2343CDS-T1-GE3的物料，谢谢！
你好，扬杰科技的YJL3407A可以了解一下，具体资料：https://www.sekorm.com/doc/1373671.html
世强有么有大功率逆变电源的方案。
世强元件电商上有大功率逆变器优选器件方案，最高125KW的光伏逆变器优选器件方案，请在世强元件电商APP上搜索逆变器方案即可。
你好，我现在用到的是一颗威世的PMOS，型号为Si7611DN，40V，请问有合适的国产型号替代吗？
推荐强茂的PMOS，PJQ4441P_R2_00001，-40V，-44A，DFN3333-8L，数据手册链接：https://www.sekorm.com/doc/1576246.html
扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃）
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Vth_Typ(V)
|
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
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Grade
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2N7002
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MOSFET
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SOT-23
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Active
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No
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Single
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N
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60
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0.34
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0.35
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±20
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150
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1.5
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1200
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2500
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1300
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3000
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27.5
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2.75
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1.9
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1.6
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Standard
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某BMS项目上需要一款国产的MOS管，10V/30A ，TO263封装，，请问有无合适推荐？
你好推荐扬杰科技的YJB30GP10A，耐压100V,电流30A，耗散功率125，TO263封装 产品规格书https://www.sekorm.com/doc/2229539.html
项目上需要一款PMOS管，DFN5*6-8 EP，耐压60V及以上，电流40A及以上，求一款国产推荐
您好，推荐长晶科技的CJAC70P06，DFN5*6-8 封装， PMOS管，耐压60V，电流70A，资料参考https://www.sekorm.com/product/360421.html
由于目前我司要求全面国产化，并且需要厂家提供国产证明信息，请帮忙匹配一颗VDS为100V，ID大于5A的PMOS芯片且可以出具国产证明的厂家。
推荐扬杰科技的YJG25GP10A，数据手册参考：https://www.sekorm.com/doc/2229567.html
某汽车产品上需要一颗车规的的MOS管，40V/35A，小封装，有无合适推荐？
你好，推荐扬杰科技的YJQ35N04AQ，耐压40V，电流35A，DFN封装 产品规格书https://www.sekorm.com/doc/2232640.html
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在电信工业和微波电路设计领域，在插入的瞬间容易产生较大的浪涌电流以及其它一些干扰，为了防止对后级电路产生影响，客户会普遍使用MOS管达到电流缓启动的目的。扬杰科技推出的MOS管YJQ1216A，低导通电阻，采用DFN小封装，可应用于光模块缓启动上电。
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可定制变压器电压最高4.5KV，高频30MHz；支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
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