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5G CPE项目，找一颗5G eSim卡，消费级，有合适厂牌推荐吗
您好，推荐中移芯昇的eSim卡，支持2G/3G/4G/5G及NB-IoT等多种通信制式，同时增加空中写卡功能，成本更低，适用多种应用场景，以下是一款5G eSim卡C2X2的型号规格书链接：https://www.sekorm.com/doc/3751405.html
吸顶灯项目上寻一款国产功率mos，可替代替代Toshiba TK6A65D，有合适型号推荐吗？
推荐紫光微超级结MOSFET TPA65R600M替代，VDSS max=650V，ID max=7A@Tc=25℃，Rdson max=0.6Ω，TO-220F封装，相关规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/1452058.html。
某项目上需要一款低压MOS管，40V/20A，对标FDD4243，TO252封装，请问有合适推荐的吗
你好，推荐长晶科技的CJU40P04，漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10.5mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 产品规格书https://www.sekorm.com/doc/2331996.html
储能电源上寻一款高压MOS，650V，30A以上，TO-247封装，请问有合适型号推荐吗？
推荐紫光微SJ-MOSFET TPW65R080C，VDS耐压650V，最大ID漏电流47A，最大导通电阻80mΩ，TO-247-3封装，相关规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/1451972.html.
储能项目上寻一款国产光耦，可替代HCNR200，有合适型号推荐吗？
推荐华联线性光耦HPC300-2替代，绝缘耐压3750Vrms，0.01%反馈线性，工作温度-55~85℃，规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/2268553.html
扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃）
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Vth_Typ(V)
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Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
|
Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
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Grade
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2N7002
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MOSFET
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SOT-23
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Active
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No
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Single
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N
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60
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0.34
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0.35
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±20
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150
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1.5
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1200
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2500
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1300
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3000
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27.5
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2.75
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1.9
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1.6
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Standard
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一颗NMOS 2N7002需要国产替代，有什么推荐？
推荐扬杰科技2N7002，VDSS=60V,ID=0.34A，耗散功率0.35W，SOT-23封装。资料：https://www.sekorm.com/doc/2222131.html
扬杰科技应用在OBC上的SiC MOS半桥模块（SMPD）封装相比于单管产品有何优点？
扬杰科技应用在OBC上的SiC MOS半桥模块是顶部散热封装，且内部集成绝缘陶瓷垫片，具备良好的可靠性，与外部绝缘垫片的单管相比，热阻也更低，此外其内部还可以集成NTC热敏电阻。
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【应用】扬杰科技MOS管YJQ1216用于光模块，导通电阻低，采用DFN小封装利于产品小型化
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推荐扬杰科技NMOS YJG95G06AQ，PDFN5060封装，VDS耐压60V，漏电流ID为95A，最大导通电阻3.8mΩ，工作温度范围-55℃～+150℃。
16孔PCR仪上寻一款NMOS，内置双NMOS，5X6封装，规格要求100V/20A，导通电阻尽量小，求推荐。
推荐扬杰科技双NMOS管YJGD20G10A，采用DFN5060-8L封装，最大VDS耐压100V，最大漏电流ID为20A，最大导通电阻22mΩ，典型栅极电荷Qg为16nC，相关规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/2229578.html。
需求耐压100V、电流100A以上、TO-263封装的NMOS管，有合适推荐吗？
推荐无锡紫光微N沟道MOS管TMB140N10A，主要参数：漏源电压100V、导通电阻7mΩ、漏源电流130A、封装TO-263。资料：https://www.sekorm.com/doc/1452129.html。
快速充电器项目上寻一款NMOS，耐压60V，漏电流至少100A，5*6封装，求推荐。
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