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世强你好,请推荐一款栅极驱动器,要求栅极驱动芯片0.13A、200V、SOIC-8封装,UPS项目使用。谢谢
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世强你好,请推荐一款高压运算放大器,要求宽工作电压输入4.5V~36V,增益带宽积要求1MHz,小封装。
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SILM5350单通道10A隔离式栅极驱动器
SiLM5350是一款单通道隔离栅极驱动器,适用于IGBT和MOSFET。它提供10A源电流和10A吸收电流,具有分立输出以独立控制上升和下降时间。该产品具备高共模瞬态免疫力(CMTI)、低传播延迟、小脉冲宽度失真和高工作温度等特点,适用于各种电机驱动、太阳能逆变器、工业电源和家用电器。
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【应用】SLMi8233BD隔离性半桥栅极驱动器用于DC-DC电源模块设计,能提供高边低边隔离驱动,驱动电流高达4A
一般高边开关管的驱动需要具备电压自举功能,数明半导体推出的SLMi8233BD隔离性半桥驱动,采用业界领先的双电容隔离技术以及OOK传输技术,本文针对SLMi8233BD从性能参数,封装尺寸方面进行分析,以讨论其在电源模块设计中的优势。
SGM48013C高速栅极驱动器采用绿色SOT-23-5封装,提供热关断保护和欠压锁定等保护功能
SGM48013C是一款高速栅极驱动器,能够有效驱动MOSFET和IGBT电源开关。当VDD为20V时,它可提供高达8A的峰值拉电流和13A的峰值灌电流。SGM48013C还提供全面的保护功能,例如热关断保护和欠压锁定,并可在4.5V至20V的宽电源电压范围内工作。SGM48013C采用绿色SOT-23-5封装,其工作温度范围为-40℃至+125℃。
【应用】国产单通道高速低侧栅极驱动器SLM27517AD-7G用于模块电源,峰值源电流达4A
某用户在做一款600W的DC/DC模块电源产品,需要一款单通道的高速低侧栅极驱动器来驱动MOSFET;为此本文推荐数明半导体推出的SLM27517AD-7G,高达4A峰值源电流和5A峰值汇电流,可以高效安全地驱动MOSFET。
SLM27523、SLM27524、SLM27525双通道、高速、低端栅极驱动器
该资料介绍了Sillumin半导体公司的SLM27523、SLM27524和SLM27525系列双通道高速低边门极驱动器。这些器件专为高效能MOSFET和IGBT功率开关设计,具有高电流脉冲源和吸收能力,适用于多种电源转换和应用。
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SILM27273单通道、高速、低端栅极驱动器
SiLM27273是一款单通道、高速、低边门极驱动器,适用于MOSFET和IGBT功率开关。该器件设计用于最小化闩锁电流,能够在电容负载中提供高峰值脉冲电流,具有轨到轨驱动能力和极小的传播延迟(典型值为18ns)。它能在12V电源电压下提供4A源极和5A漏极峰值驱动电流。
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【产品】传输延迟最大200ns的高速栅极驱动器光电耦合器
LITTELFUSE的子公司IXYS公司推出了一款高速栅极驱动器光电耦合器芯片——IX3180。该光电耦合器内部包含一个输入红外LED,该LED通过光耦合到一个集成的功率门驱动器,能够提供的峰值电流为2.5A的拉电流和灌电流。该芯片具有快速传输的特点,在整个温度范围内最大传输延迟为200ns。
【产品】驱动电流高达30A高速低侧栅极驱动器,助力功率MOSFET和IGBT驱动
LITTELFUSE的子公司IXYS公司推出了一系列高速低侧栅极驱动器——IXD_630,特别适合驱动最新的IXYS功率MOSFET和IGBT,包括IXDD630,IXDI630和IXDN630三个型号。 IXD_630系列栅极驱动器的输出可以提供峰值电流为30A的拉电流和灌电流,同时产生小于20ns的电压上升和下降时间。该系列栅极驱动器的内部电路可以消除交叉传导和电流“击穿”。
ZH619A0 600V 高压半桥栅极驱动器
ZH619A0是一款600V高压半桥栅极驱动器,适用于功率MOSFET和IGBT的驱动。它具有高边和低边输入,内置死区控制电路,以及欠压保护功能。该产品适用于半桥和全桥电源功率模块以及马达驱动等应用。
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【产品】双通道4A的高速低侧栅极驱动器SL27523/4/5,可高效安全地驱动MOSFET以及IGBT
SL27523/4/5是双通道4A的高速低侧栅极驱动器,可以高效安全地驱动MOSFET以及IGBT。低传播延迟和失配以及紧凑的SOP-8封装等特点,使得MOSFET的开关频率可以达到数百kHz。这款芯片非常适合用于服务器和通讯电源的同步整流驱动。
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品牌:数明半导体
品类:Single-Channel, High-Speed, Low-Side Gate Driver
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