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基站电源，需要一款Nmos作为电源开关，电压48V，电流可能超过60A，有一定降额的话，需要70V、100A的mosfet，请帮忙推荐国产型号，不知有没满足要求的产品？
推荐国产杨杰科技的YJB70G10A，耐压70V，电流最高支持100A，TO-263封装，内阻只有8.2mΩ，资料参考https://www.sekorm.com/doc/2229540.html
大功率DCDC电源，最大输出功率5000W，输入电压为48V-80V，输出电压380V，LLC全桥拓扑方案，能否推荐一款低压大电流的MOS最为原边MOS？电流大于100A
推荐耐压120V以上产品，扬杰YJB145G15A（150V/145A/6.2mR），TO-263封装，参考规格书：https://www.sekorm.com/doc/2229536.html
2T2R 60W直放站上寻一款NMOS，耐压100V，电流100A以上，SOA曲线中48V10ms时电流的能力大于几十mA，求推荐。
推荐捷捷微电子NMOS JMSH1005AE，TO-263封装，VDS耐压100V，漏电流ID为128A，最大导通电阻5.3mΩ，SOA曲线中48V10ms时电流的能力大于1A，可满足选型需求，相关规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/3757158.html。
快速充电器项目上寻一款NMOS，耐压60V，漏电流至少100A，5*6封装，求推荐。
推荐长晶科技NMOS CJAC130SN06L_PDFNWB5X6-8L-B，最大漏源电压VDS为60V，最大漏电流ID为130A，最大导通电阻2.5mΩ，5X6封装，工作温度范围-55℃~150℃，规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/3784342.html。
需求耐压100V、电流100A以上、TO-263封装的NMOS管，有合适推荐吗？
推荐无锡紫光微N沟道MOS管TMB140N10A，主要参数：漏源电压100V、导通电阻7mΩ、漏源电流130A、封装TO-263。资料：https://www.sekorm.com/doc/1452129.html。
一颗NMOS 2N7002需要国产替代，有什么推荐？
推荐扬杰科技2N7002，VDSS=60V,ID=0.34A，耗散功率0.35W，SOT-23封装。资料：https://www.sekorm.com/doc/2222131.html
一个直流无刷电机驱动板，原来用的时华润微的NMOS，SKD502T，耐压值85V，漏电流120A，TO-220封装，请问有合适的替代型号推荐吗？
你好，推荐扬杰科技的NMOS，YJP118G08H，耐压是85V，118A，TO-220封装，数据手册链接：https://www.sekorm.com/doc/3166757.html
电源上需要一款耐压值在150V，内阻10mΩ左右 TO220F封装的NMOS，麻烦推荐一下
根据您的需求，给您推荐新洁能的NCEP1580F，这款的VDS=150V，RDS（ON）＜12.5mΩ @ VGS=10V 具体的参数可以参考数据手册：https://www.sekorm.com/doc/1435167.html
DCDC电源上寻一款NMOS，可替代IRFP4568PBF，TO-247封装，求推荐。
推荐NCE NCEP15T14T，采用TO-247封装，最大漏源电压VDS为150V，最大漏电流ID为140A，最大导通电阻6.4mΩ，工作温度范围-55℃~175℃，规格书参考链接：https://www.sekorm.com/doc/2391357.html。
【选型】NMOS YJQ40G10A可兼容IRFHM7194TRPBF，ID通流高达40A，用于开关电源
在开关电源产品中，副边同步整流一般会使用MOS。NMOS是最常用的。现介绍一款100V耐压的NMOS扬杰科技的YJQ40G10A，其功能与INFINEON的IRFHM7194TRPBF相似，在系统余量合适的情况下，可以进行兼容性设计。
需要耐压值在150V，内阻10mΩ左右 TO220F封装的NMOS，是否有合适的推荐？
推荐您评估友顺的UFB4321G-TF1-T，该型号耐压值在150V RDS(ON) ≤ 17 mΩ TO220F封装 数据手册：https://www.sekorm.com/doc/3832039.html
调光器项目需要一款NMOS，规格650V/20A，导通电阻低于190mΩ，TO-247封装，帮忙推荐一款合适的国产型号。
您好，推荐国产紫光微的TPW65R170M，VDS电压650V，ID为20A，导通电阻最大170mΩ，TO-247封装，参考资料：https://www.sekorm.com/doc/1732028.html
请帮忙推荐一款NMOS，VDS在40V左右，ID电流大小需要大于150A，封装优先以TOLL封装为主，用于替代HYG011N04LS1TA。
推荐捷捷微的JMSH0401ATL，VDS为40V，ID 336A，满足您的要求，数据手册参考：https://www.sekorm.com/doc/3654666.html
需要一款 封装TO220F 耐压值在200V 的NMOS，Rdson要在百mΩ左右，有无推荐？
根据您的需求，给您推荐新洁能的NCE0224F的耐压值在200V，Id 24A，Rdson在80mΩ，TO-220F封装 具体参数可以参考选型表：https://www.sekorm.com/doc/3739270.html
【应用】耐压60V的国产NMOS YJQ62G06A助力砖块电源设计，过流62A，封装DFN3333
砖块电源由于体积小，功率低，为了提高效率，副边较常使用MOS进行同步整流。其中NOMS较常用，现介绍一款应用于副边同步整流的国产NMOS扬杰科技的YJQ62G06A。
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