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寻求N沟道mos，要求小封装252，电流60A，电压尽可能高些，有无合适推荐？
推荐扬杰科技YJD60N04A，耐压40V，通流60A，低导通电阻。规格书链接：https://www.sekorm.com/doc/1373606.html
你好，请问60V,10A,24毫欧，双N沟道MOS,有无推荐呢？另外需要车规级的。
你好，推荐P15LF6QTKD 60V/15A,24毫欧，双N沟道mos 链接：https://www.sekorm.com/Web/Search/keyword/P15LF6QTKD?ugc=k
你好，请问有无双N沟道mos，60V/30A,10毫欧的车规级MOS，有无推荐呢？
你好，推荐P33LF6QLKD，60V/33A,10.5毫欧内阻 链接：https://www.sekorm.com/Web/Search/keyword/P33LF6QLKD?ugc=k
你好，我想找一个车规级双N沟道mos，要求60V,35A,8.3毫欧，有无推荐？
你好，推荐P39LF6QTKD 60V/39A,8.3毫欧 可以查看链接：https://www.sekorm.com/Web/Search/keyword/P39LF6QTKD?ugc=k
你好，请问，有无双N沟道车规级MOS推荐呢，要求40V，50A？
您好，推荐新电元双N沟道MOS，P50LF4QTKD，，40V,50A,4.4毫欧内阻 查看手册：https://www.sekorm.com/doc/3748763.html
扬杰科技MOSFET选型表
扬杰科技提供MOSFET产品，漏源电压VDSS(V)：-100V~900V，漏极电流ID(A)：-115~300，耗散功率PD(W)：-0.83W~375W；
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产品型号
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品类
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Package
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Status
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ESD
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Configuration
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Type
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VDSS(V)
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ID(A)
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PD(W)
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VGS(V)
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Tj(℃）
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Vth_Typ(V)
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Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
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Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
|
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
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Ciss_Typ(pF)
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Coss_Typ(pF)
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Crss_Typ(pF)
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Qg_Typ(nC)
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Grade
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2N7002
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MOSFET
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SOT-23
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Active
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No
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Single
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N
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60
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0.34
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0.35
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±20
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150
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1.5
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1200
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2500
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1300
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3000
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27.5
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2.75
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1.9
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1.6
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Standard
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扬杰科技应用在OBC上的SiC MOS半桥模块（SMPD）封装相比于单管产品有何优点？
扬杰科技应用在OBC上的SiC MOS半桥模块是顶部散热封装，且内部集成绝缘陶瓷垫片，具备良好的可靠性，与外部绝缘垫片的单管相比，热阻也更低，此外其内部还可以集成NTC热敏电阻。
正在给客户设计一款机顶盒，需要使用一颗MOS器件，之前设计用的是安森美的KRLML6401，新项目需国产化，请问有合适的产品可以推荐吗？
您好，根据您的需求推荐国产扬杰科技的YJL2305B，可以兼容替代，封装为SOT23封装，详细参数可参考规格书链接https://www.sekorm.com/Web/Search/keyword/YJL2305B
光模块目前在用一颗安世小封装的MOS管2N7002BKV，由于封装问题不好找替换料，帮忙推荐一颗可以P2P替换的物料？
推荐国产品牌扬杰科技2n7002KDW替换，60V 0.34A SOT363封装，满足性能参数要求，资料链接：https://www.sekorm.com/doc/2135501.html。
【应用】扬杰科技MOS管YJQ1216用于光模块，导通电阻低，采用DFN小封装利于产品小型化
在电信工业和微波电路设计领域，在插入的瞬间容易产生较大的浪涌电流以及其它一些干扰，为了防止对后级电路产生影响，客户会普遍使用MOS管达到电流缓启动的目的。扬杰科技推出的MOS管YJQ1216A，低导通电阻，采用DFN小封装，可应用于光模块缓启动上电。
某BMS项目上需要一款国产的MOS管，10V/30A ，TO263封装，，请问有无合适推荐？
你好推荐扬杰科技的YJB30GP10A，耐压100V,电流30A，耗散功率125，TO263封装 产品规格书https://www.sekorm.com/doc/2229539.html
请帮忙推荐一款国产的60V MOS管，替代英飞凌BSC0702LS，谢谢
你好，推荐扬杰科技的YJG95G06A，采用PDFN5060-8L的封装设计，漏源电压为60V，漏极电流为95A，PDFN封装 产品规格书https://www.sekorm.com/doc/2032099.html
控制器项目，需要MOS，80V 120A的规格，TO-220封装，有合适的推荐吗？
推荐扬杰的YJP120G08A，80V,120A，封装也合适， RDS(ON)( at VGS=10V) ＜4.8mohm，满足您的要求； 具体链接：https://www.sekorm.com/doc/2864006.html
一个电力保护光模块项目，项目设计需使用一颗MOS器件，要求耐压可达20V，漏极电流可达2A，请问有合适的物料可以推荐吗？
您好，根据您的需求推荐国产扬杰科技的YJL2102W，其漏极电流大小达到3A，封装为SOT-323小封装。详细参数参考规格书链接：https://www.sekorm.com/product/410498.html
仪表盘项目，需要一颗MOS，TO-252封装，PMOS，VDS=100V，ID=28A，有合适的吗？
推荐扬杰科技的YJD28GP10A，VDS：-100V，ID：-28A，PMOS，TO252封装；、 具体链接：https://www.sekorm.com/product/727609.html
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