国产半导体有SIC模块么，1200V/600A，可以跟ROHM-BSM600D12P3G001等封装

国产半导体有sic模块么，1200v/600A，可以跟ROHM-bsm600d12p3g001等封装替换的
创建于2021-01-05

代理服务

技术支持

采购服务

写回答

1个回答

Memory_世强 (0)

您好，目前世强代理的国产sic mos 模块品牌中，暂时没有1200v/600A，世强代理国产基本半导体的车规sic mos 模块，bmb200120p1，单模块采用半桥拓扑结构，内部集成两单元 1200V/200a 碳化硅 mosfet 和碳化硅续流二极管，参考资料介绍：https://www.SEKORM.com/news/94186066.html

创建于2021-01-05

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
| 转发至：

平台合作

展开

罗姆的全碳化硅模块BSM600D12P3G001用在什么应用上面?

全碳化硅模块为半桥拓扑，包含SiC MOSFET 和SiC 肖特基二极管，同时内部集成热敏电阻。可以用于工业电源、变频器、光伏、风力发电、感应加热、电动汽车电驱等应用中。具有低浪涌和低开关损耗特性，可以进行高速开关，并且对温度依赖性降低。资料见链接： BSM600D12P3G001

2020-02-12 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

目前项目在测试ROHM BSM600D12P3G001做双脉冲的时候发现上下半桥驱动波形有差异，可能的原因？

BSM600D12P3G001内部的半桥SIC MOS是对称布局的，从模块内部来看不会存在差异没可能原因是外部驱动回路上不对称的寄生电感造成的，建议检查下上下桥驱动回路，最好做到一致。

2021-03-31 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

罗姆有没有62mm封装的sic模块推荐?

罗姆没有62mm封装的sic模块推荐，其模块封装如下。

2020-03-16 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

请问罗姆有集成的碳化硅IGBT模块吗？

ROHM有一系列SiC模块，包括1200V和1700V耐压，电流80A~576A，半桥和六管模块都有。可参考以下链接：https://www.sekorm.com/news/96494393.html

2018-11-16 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

请问：碳化硅的有300A、400A、600A，1200V，及耐压以上的吗？其驱动电路与驱动IGBT的一样吗

推荐采用rohm的SiC模块，耐压1200V的模块电流规格范围80A-600A，耐压1700V的模块电流规格为250A。可参考链接：【选型】ROHM（罗姆）SIC碳化硅功率元器件选型指南。IGBT对驱动电压的要求为-10V和+15V，而SiC MOS对驱动电压的要求通常为-5V和+20V，在设计时需要注意。

2019-09-05 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

【选型】OBC用SiC MOS推荐WM2A075120L，漏源极电压高达1200V，连续漏极电流33A

11KW的OBC项目需要一款SiC MOS，1200V电压、内阻60mΩ~80mΩ、TO247四角封装。推荐中电国基南方WM2A075120L，漏源极电压1200V，高阻压，适合高压复杂情况；连续漏极电流33A，驱动简单。

2023-03-16 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

【元件】新品 | ROHM开发出新型二合一SiC封装模块“TRCDRIVE pack™”

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向300kW以下的xEV（电动汽车）用牵引逆变器，开发出二合一SiC封装型模块“TRCDRIVE pack™”，共4款产品。

2024-06-28 - 产品代理服务技术支持采购服务

扬杰科技应用在OBC上的SiC MOS半桥模块（SMPD）封装相比于单管产品有何优点？

扬杰科技应用在OBC上的SiC MOS半桥模块是顶部散热封装，且内部集成绝缘陶瓷垫片，具备良好的可靠性，与外部绝缘垫片的单管相比，热阻也更低，此外其内部还可以集成NTC热敏电阻。

2024-12-16 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

维安SiC MOS：高压化与大电流化趋势下的前沿探索

维安拥有行业前沿的SiC创新技术，目前SiCMOS产品电压涵盖650V~1700V，电阻涵盖10mΩ~720mΩ，并且有TO-247、TO-247-4L(ISO)、TOLL、TO-263-7L等封装来满足不同的应用需求。同时维安也在积极升级、研发更多的 SiC 产品以顺应高压化、大电流化发展趋势。

2024-11-27 - 产品代理服务技术支持采购服务

CRE SIC模块CAS120M12BM2若用SIC单管方案做，是否有合适的单管推荐？

推荐力特SIC-MOS LSIC1MO120E0080，1200V/80mohm，TO-247-3L封装，数据手册可参考：https://www.sekorm.com/doc/96459.html

2019-07-29 - 技术问答代理服务技术支持采购服务

B2M160120H SiC MOSFET

本资料详细介绍了B2M160120H型号的SiC MOSFET产品，包括其特性、最大额定值、电气特性、热特性、开关特性、反向二极管特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于开关电源、逆变器、电机驱动器和电动汽车充电站等领域。

基本半导体 - 碳化硅MOSFET,SIC MOSFET,B2M160120H,开关模式电源,DC/DC变换器,电源逆变器,EV充电站,POWER INVERTER,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,EV CHARGING STATION,SOLAR INVERTER,MOTOR DRIVERS,电动机驱动器,太阳能逆变器,SMPS,DC/DC CONVERTER,模式电源开关

2024-03-01 - 数据手册 - Rev. 0.0 代理服务技术支持采购服务